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公开(公告)号：CN101842524B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880012096.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B23/02 , H01L21/203
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。
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公开(公告)号：CN102016135B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980114398.9
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/203 , C30B29/38 , C23C14/06 , C30B23/08
CPC classification number: C30B23/00 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , Y10T428/24471
Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
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公开(公告)号：CN101473075B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780023255.8
申请日：2007-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/00 , C30B23/025
Abstract: 本发明提供了AlxGa1-xN晶体生长方法以及AlxGa1-xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1-xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1-xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1-xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1-xN晶体10，以减少AkxGa1-xN晶体10中的位错。
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公开(公告)号：CN102471859A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180003026.6
申请日：2011-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/00 , B21B3/003 , B21C47/04 , B21C47/26 , B21C47/326 , B22D11/001 , B22D11/124 , B22D11/22 , B22D41/50 , C21D8/021 , C21D9/68 , C22C23/00 , C22F1/06 , Y10T428/12292
Abstract: 本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(1)卷绕即将开始时的温度T(℃)控制在如下温度，并利用卷取机对所述板材(1)进行卷绕，在该温度下由板材(1)的厚度t和弯曲半径R(mm)表示的表面应变((t/R)×100)小于或等于所述板材(1)在室温下的伸长率。
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公开(公告)号：CN102159755A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201080002639.3
申请日：2010-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102131964A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201080002414.8
申请日：2010-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/066 , C30B29/403
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
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公开(公告)号：CN102099510A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127950.8
申请日：2009-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , C30B25/18
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向 方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。
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公开(公告)号：CN101535533A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780042700.5
申请日：2007-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。
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公开(公告)号：CN1458913A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN02800712.3
申请日：2002-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: B24B37/042 , C04B35/581 , C04B35/591 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B38/0061 , C04B2111/00198 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/725 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , H01P3/081 , H01P3/088 , H05K1/024 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , C04B35/00 , C04B35/597 , C04B40/0014 , C04B41/5025 , C04B35/584 , C04B41/5155 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B38/0067 , C04B41/51
Abstract: 一种多孔性陶瓷的制备方法，它含有使陶瓷(1)的母体金属粉末和烧结助剂混合，采用微波加热进行热处理，而使金属粉末从表面进行氮化或氧化反应，使金属向该金属外壳形成的氮化物或氧化物扩散，得到具有均匀而细微的封闭孔(1a)的多孔性陶瓷(1)。本发明的多孔性陶瓷(1)由于封闭孔(1a)的比例高，具分散均匀，从而具有耐吸湿性和低介电常数、低介电损失以及电子线路基片等所要求的机械强度等优良特性。
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公开(公告)号：CN107052284B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610887505.3
申请日：2011-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B22D11/06 , C04B35/582 , C04B35/583 , C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/83 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材。本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴1)包含具有许多孔的多孔体2和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体2中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。
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