公开(公告)号：CN101922045A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN101312164B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101847575A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010163633.6

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。

公开(公告)号：CN101591810A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910145631.1

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B9/04 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物结晶、III族氮化物结晶衬底以及半导体器件的方法。提供具有主表面的III族氮化物结晶，其中所述主表面的相对于除了{0001}形式之外选择的{hkil}面的晶面取向的变化是最小的。一种制造III族氮化物结晶的方法是以下步骤之一：调节多个结晶片(10)，其中，结晶片(10)的主面(10m)上的任意给定点中相对于除了{0001}形式之外选择的{hkil}面的晶面取向的变化不大于0.5°；以使得多个结晶片(10)的主面(10m)整个表面(10a)上的任意给定点中相对于{hkil}面的面取向偏离不大于0.5°并且使得结晶片(10)的主面(10m)的至少一部分被暴露的方式来设置多个结晶片(10)；以及在多个结晶片(10)的主面(10m)的暴露区上生长第二III族氮化物结晶(20)。

公开(公告)号：CN101432471A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015378.7

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  樱田隆 ,  藤原伸介 ,  罔久拓司 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。

公开(公告)号：CN101331591A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。

公开(公告)号：CN101312165A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130625.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN100411111C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510082192.6

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101233265A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027936.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

公开(公告)号：CN101194053A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020842.7

申请日：2006-08-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  藤原伸介 ,  冈久拓司 ,  弘田龙 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10

Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。