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公开(公告)号：CN113437044B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110044447.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H10N30/87 , H10N30/85 , H10N30/093 , H10N30/063 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 能够通过在衬底上方形成例如钼层的金属层而提供一种微结构。在金属层的顶部表面上形成氮化铝层。通过氧化将氮化铝层的表面部分转化成连续含氧化铝层。能够在连续含氧化铝层上方形成介电间隔物层。能够使用刻蚀工艺来形成延伸穿过介电间隔物层、连续含氧化铝层以及氮化铝层以及向下延伸到至少一个金属层的相应部分的接触通孔腔，所述刻蚀工艺含有湿式刻蚀步骤同时抑制在氮化铝层中形成底切。能够在接触通孔腔中形成接触通孔结构。微结构能够包含含有压电换能器的微机电系统(MEMS)器件。
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公开(公告)号：CN113247855B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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公开(公告)号：CN113437044A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110044447.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/35 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 能够通过在衬底上方形成例如钼层的金属层而提供一种微结构。在金属层的顶部表面上形成氮化铝层。通过氧化将氮化铝层的表面部分转化成连续含氧化铝层。能够在连续含氧化铝层上方形成介电间隔物层。能够使用刻蚀工艺来形成延伸穿过介电间隔物层、连续含氧化铝层以及氮化铝层以及向下延伸到至少一个金属层的相应部分的接触通孔腔，所述刻蚀工艺含有湿式刻蚀步骤同时抑制在氮化铝层中形成底切。能够在接触通孔腔中形成接触通孔结构。微结构能够包含含有压电换能器的微机电系统(MEMS)器件。
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公开(公告)号：CN111762753A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910629444.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法，所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。
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公开(公告)号：CN109553065A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810404016.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供微机电系统装置与微机电系统的封装方法，其包括形成第一金属化结构于互补式金属氧化物半导体晶圆上，其中第一金属化结构包括第一牺牲氧化物层与第一金属接点垫。形成第二金属化结构于微机电系统晶圆上，其中第二金属化结构包括第二牺牲氧化物层与第二金属接点垫。接着将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起。在将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起之后，图案化并蚀刻微机电系统晶圆以形成微机电系统元件于第二牺牲氧化物层上。在形成微机电系统元件后移除第一牺牲氧化物层与第二牺牲氧化物层，使微机电系统元件沿着轴自由移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051288B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201310485415.8
申请日：2013-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/187 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L25/50 , H01L2224/03462 , H01L2224/038 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/08112 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80986 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2224/80896 , H01L2224/80801 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/01013 , H01L2924/053 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。
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公开(公告)号：CN107021448A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710028445.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/012 , B81B2207/09 , B81C1/00238 , B81C1/00984 , B81C2201/115 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B3/0016 , B81B7/007
Abstract: 本发明提供了一种制造CMOS‑MEMS结构的方法。该方法包括：在盖衬底的第一表面上蚀刻空腔；将盖衬底的第一表面与感测衬底接合；减薄感测衬底的第二表面，第二表面与感测衬底的接合至盖衬底的第三表面相对；蚀刻感测衬底的第二表面；图案化感测衬底的第二表面的一部分以形成多个接合区域；在多个接合区域上沉积共晶金属层；蚀刻感测衬底的空腔下方的一部分以形成可移动元件；以及通过共晶金属层将感测衬底接合至CMOS衬底。本发明的实施例还涉及CMOS‑MEMS结构。
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公开(公告)号：CN102452636B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110283910.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0038
Abstract: 提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，该器件可包括MEM器件。本发明还提供一种用于透明衬底的处理层。
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公开(公告)号：CN102556945B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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公开(公告)号：CN102530851A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110082943.X
申请日：2011-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B32B7/12 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/24 , B32B2307/746 , B32B2457/00 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , Y10T428/12674 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12986
Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
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