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公开(公告)号：CN106672889B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201610724049.0
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113050300A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010669014.8
申请日：2020-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种调制器装置及其形成方法，调制器装置包括被配置成接收入射光的输入端子。第一波导具有第一输出区及耦合到输入端子的第一输入区。第二波导光学耦合到第一波导，且具有耦合到输入端子的第二输入区及第二输出区。与第一波导的第一输出区及第二波导的第二输出区耦合的输出端子被配置成提供经调制的出射光。加热器结构被配置成向第一波导提供热量，以在第一波导与第二波导之间引发温度差。充气隔离结构靠近加热器结构，且被配置成将第二波导与提供到第一波导的热量热隔离。
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公开(公告)号：CN110972048A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910670631.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种麦克风。在一些实施例中，麦克风可包括衬底、隔板、背板及侧壁停止件。衬底具有设置成穿过衬底的开口。隔板设置在衬底之上且面向衬底的开口。隔板具有上覆于衬底的开口的通气孔。背板设置在隔板之上且与隔板间隔开。侧壁停止件设置成沿着隔板的通气孔的侧壁，且因此不受可移动部分与稳定部分之间的距离限制。此外，侧壁停止件不会使可移动部分的形状发生替换，且因此将不太可能致使可移动部分出现裂缝。在一些实施例中，可如同通过自对齐工艺形成的侧壁停止件一样来形成侧壁停止件，因此不需要额外的掩模。
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公开(公告)号：CN112748588B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010332172.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/01
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括第一波导及加热器结构的调制器装置。输入端子被配置成接收入射光。所述第一波导具有第一输出区及耦合到所述输入端子的第一输入区。第二波导光学耦合到所述第一波导。所述第二波导具有第二输出区及耦合到所述输入端子的第二输入区。输出端子被配置成提供基于所述入射光而调制的出射光。所述输出端子耦合到所述第一输出区及所述第二输出区。所述加热器结构上覆在所述第一波导上。所述加热器结构的底表面与所述第一波导的底表面对齐。所述第一波导横向间隔在所述加热器结构的多个侧壁之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113534339B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110726053.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林诗玮
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构和制造半导体结构的方法，包括：波导，具有围绕设置在衬底上方的芯层的盖层；腔体，延伸到与波导相邻的衬底中；光纤，设置在腔体中；以及隔离空间，延伸到衬底中并设置在波导下方。多个孔可以延伸穿过与芯层相邻的盖层。
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公开(公告)号：CN113534339A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110726053.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林诗玮
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构和制造半导体结构的方法，包括：波导，具有围绕设置在衬底上方的芯层的盖层；腔体，延伸到与波导相邻的衬底中；光纤，设置在腔体中；以及隔离空间，延伸到衬底中并设置在波导下方。多个孔可以延伸穿过与芯层相邻的盖层。
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公开(公告)号：CN113253490A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010669969.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体器件和其形成方法。本公开实施例提供一种半导体器件。半导体器件包含位于衬底之上的第一介电层中的氮化硅波导。半导体器件包含位于第一介电层之上的第二介电层中的半导体波导。包含氮化硅波导的第一介电层位于包含半导体波导的第二介电层与衬底之间。
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公开(公告)号：CN112141996A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010574106.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一些实施例，提供了一种自动聚焦装置及其制造方法。自动聚焦装置的制造方法包括形成悬臂梁构件。悬臂梁构件具有环型形状。该方法还包括在悬臂梁构件上方形成压电构件。该方法还包括在悬臂梁构件上形成膜。膜具有第一区域和第二区域。第一区域具有平坦的表面，并且第二区域位于第一区域和悬臂梁构件的内边缘之间并且具有多个波纹结构。另外，该方法包括在膜上施加液体光学介质并用保护层密封液体光学介质。
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公开(公告)号：CN105800543B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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