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公开(公告)号：CN119013091A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380029412.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 膜组件包括：柱状的反应器(10)；环状的第一凸缘(30)，其围绕反应器(10)的第一端部(10a)；第一中间部(50)，其配置于反应器(10)的第一端面(F2)与外壳(20)之间；以及第一接合材料(70)，其介于第一凸缘(30)与反应器(10)之间以及第一中间部(50)与反应器(10)之间。
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公开(公告)号：CN118591662A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380015284.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，能够抑制在该基板上形成的元件的特性偏差。本发明的实施方式的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面的面内的电阻率的最小值为1×107cmΩ以上，该第一面的面内的电阻率的最小值为该第一面的面内的电阻率的最大值的0.01倍以上。
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公开(公告)号：CN108352327B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201680059657.2
申请日：2016-10-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。
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公开(公告)号：CN108352306A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061168.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B19/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/401 , H01L29/66007 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN102511075A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041195.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/205 , H01L29/7787
Abstract: 提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119790123A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380063002.2
申请日：2023-08-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的主要目的在于缓和二氧化碳回收系统的设置场所的制约和/或稳定地确保液体燃料制造系统中的CO2供给源和/或冷却能量。根据本发明的实施方式，提供一种液体燃料制造系统，其具备：气体吸附脱附部，其吸附给定的气体A，并通过加热而使所述气体A脱离；传热介质供给部，其将用于加热所述气体吸附脱附部的传热介质供给到所述气体吸附脱附部；液体燃料合成部，其具有第一气体流路和第二气体流路，所述第一气体流路收容催化剂，该催化剂使从至少含有二氧化碳和氢气的原料气体向液体燃料转化的转化反应推进，所述第二气体流路使调整所述第一气体流路的温度的调温气体流通，从所述第一气体流路流出第一流出气体，从所述第二气体流路流出第二流出气体；以及热交换器，其在所述第二流出气体与所述传热介质之间进行热交换而对所述传热介质进行加热，所述第二流出气体含有冷凝性气体。
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公开(公告)号：CN119731290A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380062917.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的主要目的在于放宽二氧化碳回收系统的设置场所的制约和/或稳定地确保液体燃料制造系统中的CO2供给源和/或冷却能量。根据本发明的实施方式，提供一种液体燃料制造系统，具备：气体吸附脱附部，其吸附给定的气体A，通过加热而使所述气体A脱离；传热介质供给部，其向所述气体吸附脱附部供给用于加热所述气体吸附脱附部的传热介质；液体燃料合成部，其具有第一气体流路以及第二气体流路，所述第一气体流路收容催化剂，所述催化剂使从至少含有二氧化碳以及氢气的原料气体向液体燃料转化的转化反应推进，所述第二气体流路使调整所述第一气体流路的温度的调温气体流通，所述液体燃料合成部从所述第一气体流路流出第一流出气体，从所述第二气体流路流出第二流出气体；以及热交换器，其使所述第一流出气体与所述传热介质之间进行热交换，加热所述传热介质，所述第一流出气体含有冷凝性气体。
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公开(公告)号：CN119731289A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060632.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C10G2/00 , B01D53/22 , C07C29/152 , C07C31/04 , C10L1/02
Abstract: 本发明的主要目的在于抑制从含有氢气和碳氧化物的原料气体向液体燃料转化的转化反应中的反应收率的恶化。基于本发明的实施方式的液体燃料制造系统具备：液体燃料合成部，其进行从至少含有氢气和碳氧化物的原料气体向液体燃料转化的转化反应；原料气体供给部，其向所述液体燃料合成部供给所述原料气体；以及原料气体循环部，其将剩余原料气体从所述液体燃料合成部再供给到所述原料气体供给部，所述剩余原料气体含有未反应的所述氢气和所述碳氧化物以及所述转化反应的酸性副产物，所述原料气体供给部具有：混合部，其在水蒸气的存在下将胺化合物与所述剩余原料气体混合；以及水分去除部，其将所述胺化合物与所述酸性副产物的中和物连同所述水蒸气的冷凝水一起去除。
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公开(公告)号：CN119730940A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380056425.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高酸性气体的吸附效率的酸性气体吸附装置。本发明的实施方式所涉及的酸性气体吸附装置具备：流体能够在规定方向上通过的酸性气体吸附部、以及1个外壳。酸性气体吸附部包含能够吸附酸性气体的酸性气体吸附材料。酸性气体吸附部包括：第一吸附部；以及配置为在流体的通过方向上比第一吸附部靠下游侧的第二吸附部。第一吸附部包含吸附酸性气体的吸附力相对较小、酸性气体的吸附容量相对较大的第一酸性气体吸附材料。第二吸附部包含吸附酸性气体的吸附力相对较大、酸性气体的吸附容量相对较小的第二酸性气体吸附材料。1个外壳将第一吸附部及第二吸附部一并收纳。
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