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公开(公告)号：CN103237931A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003037.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L33/007
Abstract: 在晶种基板（11）上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物（3）。13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（3b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自晶种基板（11）侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（3b）被设置于该夹杂物分布层（3a）上。
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公开(公告)号：CN101851785B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN102492993A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101415867B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780011616.7
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
Abstract: 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na-Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。
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公开(公告)号：CN1938457B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101851785A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN101405439A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN100405204C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480023906.X
申请日：2004-08-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3775
Abstract: 本发明涉及极化反转部的制造方法。在单畴化的铁电体单晶基板(2)的一个主面(2a)上设置梳形电极(3)，在另一个主面(2b)侧设置均匀电极(4)，通过施加电压来制造极化反转部。使具有基板主体(5)、在基板主体的一个主面(5a)上设置的第一导电膜(6)、以及在另一个主面(5b)上设置的第二导电膜(7)的底部基板与基板(2)层叠起来。此时，使均匀电极(4)和第1导电膜(6)电导通，通过在梳形电极(3)和第二导电膜(7)之间施加电压，而在基板(2)上形成极化反转部。
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公开(公告)号：CN1938457A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
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公开(公告)号：CN1829940A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022089.6
申请日：2004-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/377 , G02F2202/20
Abstract: 本发明提供转换效率高、并且可提高蓝色激光的输出功率的蓝色激光的起振方法以及装置。所采用的方法是：使来自法布里－珀罗(Fabry－Pelot)型宽带半导体激光起振元件(2)的输出光作为基波入射到由非线性光学晶体做成的平板光导波路(8)。从平板光导波路(8)输出蓝色激光(B)。
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