-
公开(公告)号：CN103125036A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180046581.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M4/5825 , H01M4/505 , H01M4/525
Abstract: 本发明提供一种锂离子电池用正极活性物质的制造方法，该制作方法包括，将构成以一般式LiXMYPZOW（其中，M为过渡金属元素的组合、X、Y、Z和W分别表示1个分子中的各元素的构成比）表示的锂过渡金属氧化物的各元素的不成盐氧化物混合得到混合物，然后对该混合物照射频率为10GHz以上、100GHz以下的毫米波，进行加热处理的过程。根据该制造方法，不需要粉碎，能量损失小，能制造良好品质的锂离子电池用正极活性物质。
-
公开(公告)号：CN101743346B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200880024501.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板(1)上形成由III族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶(5)。
-
公开(公告)号：CN103173864A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310072066.7
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板（1）上形成由III族氮化物构成的基底膜（2）。通过在氢存在下加热处理基板（1）以及基底膜（2），除去基底膜（2）使基板（1）的表面粗面化。通过气相生长法在基板（1A）的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜（4）。在籽晶膜（4）上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶（5）。
-
公开(公告)号：CN100351696C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
-
公开(公告)号：CN1739060A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938457B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
-
公开(公告)号：CN101743346A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024501.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板(1)上形成由Ⅲ族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由Ⅲ族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养Ⅲ族氮化物单晶(5)。
-
公开(公告)号：CN100409098C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380108926.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2201/30
Abstract: 一种光学波导设备包括由非线性光学材料组成的基板和具有与该非线性光学材料相同成分的周期性的畴反转结构。该畴反转结构具有依赖于该畴反转结构的折射率分布。
-
公开(公告)号：CN1938457A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
-
公开(公告)号：CN1829940A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022089.6
申请日：2004-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/377 , G02F2202/20
Abstract: 本发明提供转换效率高、并且可提高蓝色激光的输出功率的蓝色激光的起振方法以及装置。所采用的方法是：使来自法布里－珀罗(Fabry－Pelot)型宽带半导体激光起振元件(2)的输出光作为基波入射到由非线性光学晶体做成的平板光导波路(8)。从平板光导波路(8)输出蓝色激光(B)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.054 seconds)
