公开(公告)号：CN1590007A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074104.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  关根诚

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31105 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/364 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明涉及激光加工装置和方法、加工掩模、半导体装置及制造方法。该激光加工装置包括：被构造成沿从加工对象物的第一端到所述加工对象物的另一端的扫描方向移动所述加工对象物的扫描系统；被构造成沿所述扫描方向在垂直于所述激光光束光轴的平面上将激光光束变换成非对称加工激光光束的光束成形单元；以及被构造成把从光束成形单元发射的加工激光光束照射到加工对象物上的照射光学系统。

公开(公告)号：CN1460895A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131416.3

申请日：2003-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L23/544 ,  B23K26/066 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/70341 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  G21K5/10 ,  H01J2237/30438 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/949 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。

公开(公告)号：CN1440076A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03103665.1

申请日：2003-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 羽多野正亮 ,  池上浩 ,  臼井孝公 ,  松尾美惠

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。

公开(公告)号：CN1375860A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02119009.7

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  池上浩 ,  早坂伸夫

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70633 ,  B23K26/04 ,  B23K26/042 ,  B23K2101/40 ,  G03F9/7076 ,  Y10S430/146 ,  Y10T29/413

Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括:发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。

公开(公告)号：CN100416817C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C-H键和C-C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C-H键的C原子和形成C-C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1920674A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610138995.3

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  池上浩 ,  早坂伸夫

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  B23K26/04

Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。