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1.

发明公开
半导体发光元件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN105990473A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510854341.X

申请日：2015-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森健太郎 , 铃木健之 , 松尾美惠 , 关口正博 , 加贺广持

IPC: H01L33/00 , H01L33/44

CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0066 , H01L33/00 , H01L33/44

Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：基板，具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面；绝缘层，设置在所述基板的所述第2面上；第1金属层，设置在所述绝缘层上；半导体发光部，设置在所述第1金属层上，且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层，且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层；以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面，并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触，且电连接在所述第1金属层。

2.

发明公开
晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半导体器件的制造方法失效转让复审申请

公开(公告)号：CN1747154A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510102579.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田享 , 田窪知章 , 高桥健司 , 青木秀夫 , 沼田英夫 , 金子尚史 , 江泽弘和 , 松尾美惠 , 池上浩 , 大村一郎

IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L25/065

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898

Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。

3.

发明公开
层叠型半导体器件失效

公开(公告)号：CN1619812A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410094613.2

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松尾美惠 , 早坂伸夫 , 有门经敏 , 石内秀美 , 作井康司 , 田洼知章

IPC: H01L25/065 , H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 一种层叠型半导体器件，由至少三个分别包含半导体集成电路芯片且具有规格的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：上述半导体集成电路器件中，至少两个的除尺寸以外的上述规格的数值不同，且最下层的或最上层的半导体集成电路器件的除尺寸以外的规格的数值为最小或最大。

4.

发明公开
半导体装置失效

公开(公告)号：CN1440076A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03103665.1

申请日：2003-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 羽多野正亮 , 池上浩 , 臼井孝公 , 松尾美惠

IPC: H01L23/525 , H01L21/768 , H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5258 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。

5.

发明公开
半导体衬底及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1323056A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN00133856.0

申请日：2000-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤力 , 松尾美惠 , 水岛一郎 , 網岛祥隆 , 高木信一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/10805 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/1225 , G02B2006/12097 , H01L21/3247 , H01L21/7624 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L21/764 , H01L21/84 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0657 , H01L29/7842 , H01L29/78603 , H01L29/78639

Abstract: 在半导体衬底表面二维排列形成多个沟槽后,对半导体衬底实施热处理,将上述多个沟槽变为一个平板状空洞。

6.

发明公开
发光装置及发光装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN105990489A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093019.X

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松尾美惠

IPC: H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能提高良率的发光装置及发光装置的制造方法。本实施方式的发光装置具备框架。发光装置具备发光元件，该发光元件搭载在所述框架上，且具有：衬底，配置在所述框架上；发光层，设置在所述衬底的上方；第一反射层，设置在所述衬底的下表面；第二反射层，设置在所述衬底的侧面；以及电极。发光装置具备键合线，该键合线的一端与电极连接，另一端与框架连接。

7.

发明授权
半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN101930986B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010213275.5

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松尾美惠 , 萩原健一郎 , 小松公

IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/0558 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/83194 , H01L2224/9202 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法。半导体器件具备：半导体基板，在第1面上形成半导体元件；布线图形，形成于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧，至少在一部分包含接地线；贯通电极，从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板，电连接上述半导体元件和上述布线图形；以及金属膜，形成于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形所延伸存在的面之间，与上述接地线电连接。

8.

发明公开
具有执行器的半导体装置失效

公开(公告)号：CN1790751A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119434.4

申请日：2005-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大黑达也 , 池桥民雄 , 松尾美惠 , 关根秀一

IPC: H01L29/84 , H01L41/08 , B81B7/02 , B81B3/00

CPC classification number: H03H9/173 , B81B3/0018 , G02B26/0858 , H01G5/18 , H01H2057/006 , H01L27/20 , H01L41/094 , H01L41/0946 , H01L41/0973 , H03H9/0542 , H03H9/587 , H03H2003/027 , H03H2009/241

Abstract: 提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。