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公开(公告)号：CN117280467A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280034039.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供一种能够进行多点测量的半导体装置。半导体装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括第一复用器、第二复用器、与第一复用器电连接的m个(m为1以上的整数)模拟开关、与第二复用器电连接的n个(n为1以上的整数)模拟开关，第二层包括m×n个晶体管。m个模拟开关都与n个晶体管电连接，n个模拟开关都与m个晶体管电连接。
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公开(公告)号：CN114503202A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080068983.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/405 , H01L27/115
Abstract: 本发明的一个方式提供一种存储容量大的存储装置。本发明的一个方式是一种连接有多个存储单元的NAND型存储装置，该存储单元包括写入用晶体管、读出用晶体管及电容器，将氧化物半导体用于写入用晶体管的半导体层。读出用晶体管包括背栅极。通过对背栅极施加读出用电压，读出存储单元所保持的信息。
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公开(公告)号：CN112750832A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011059595.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/108 , H01L29/24
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的结构体、在第二方向上延伸的第一导电体及第二导电体。结构体包括第三导电体、第一绝缘体、第一半导体以及第二绝缘体。在结构体与第一导电体交叉的第一交叉部，第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体设置为同心状。在结构体与第二导电体交叉的第二交叉部，第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第四导电体以及第四绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。
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公开(公告)号：CN111788697A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980016069.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/108
Abstract: 提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。
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公开(公告)号：CN119908173A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380064404.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种存储装置包括：衬底上的第一绝缘体；覆盖第一绝缘体的至少一部分的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第二绝缘体；第二导电体上的第三绝缘体；第二绝缘体上的第三导电体；第三绝缘体上的第四导电体；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第一导电体、第二绝缘体及第三导电体与第二导电体、第三绝缘体及第四导电体间的第一开口的第四绝缘体；配置在第一开口内的第五绝缘体；配置在第五绝缘体上的第五导电体；配置在形成于第四绝缘体中的第二开口内且接触于第三导电体的顶面的第六导电体；以及配置在形成于第四绝缘体、第三绝缘体及第四导电体中的第三开口内且接触于第二导电体的顶面的第七导电体，其中，第一绝缘体的高度比第一绝缘体的宽度长，第一绝缘体的顶面与第五绝缘体接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119769190A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380060987.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。在电容器上层叠设置垂直沟道型晶体管。作为电容器的介电层使用铁电体。铁电体优选包含铪、锆或者选自第13至15族元素中的至少一个元素。通过将氧化物半导体用于垂直沟道型晶体管的半导体层，源极与漏极间的绝缘耐压得到提高而可以缩短沟道长度。
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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN118696613A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021630.4
申请日：2023-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。存储装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第二电容器。第一电容器包括第一电极及第二电极。第二电容器包括第一电极及第三电极。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三电极电连接，第一电极具有与第二电极、第三电极、第一晶体管及第二晶体管重叠的部分且被供应固定电位或接地电位。
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公开(公告)号：CN118696612A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021550.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括具有第一至第三晶体管及电容器的存储单元。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一晶体管与第二晶体管间设置电容器。用作第一晶体管的源极或漏极的电极上设置有绝缘体，该绝缘体包括到达电极的开口。该开口内部设置有电容器。电容器的一个电极在开口内部具有与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个接触的区域。另外，电容器的一个电极具有与第二晶体管的栅电极接触的区域。
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公开(公告)号：CN118435359A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084947.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一半导体层、第一半导体层上的具有沟道形成区域的第二半导体层、第二半导体层上的第一导电体及第二导电体、在第二半导体层上并位于第一导电体和第二导电体之间的第二绝缘体、以及第二绝缘体上的第三导电体。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第三导电体覆盖第二半导体层的侧面及顶面。第二半导体层的介电常数比第一半导体层高。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第一半导体层和第二半导体层的界面的长度为1nm以上且20nm以下，从第二半导体层的底面到第三导电体的不与第二半导体层重叠的区域的底面的长度比第二半导体层的膜厚度大。
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