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公开(公告)号：CN120035137A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510098845.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C11/4097 , H10D30/67
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。具有多个存储单元的第一单元阵列和具有多个存储单元的第二单元阵列设置为彼此重叠。包括在第一位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。包括在第二位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。在第一单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之一具有与部分第一位线对重叠的区域，在第二单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之另一具有与部分第一位线对重叠的区域。
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公开(公告)号：CN111937074B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201980023236.8
申请日：2019-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C11/405 , G11C11/4074 , H01L29/786
Abstract: 提供一种数据的保持时间长且可靠性高的存储装置。存储装置包括驱动器电路及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。晶体管包括第一栅极及第二栅极，在存储单元保持数据的期间，对晶体管的第一栅极及第二栅极施加负电位。
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公开(公告)号：CN118696613A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021630.4
申请日：2023-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。存储装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第二电容器。第一电容器包括第一电极及第二电极。第二电容器包括第一电极及第三电极。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三电极电连接，第一电极具有与第二电极、第三电极、第一晶体管及第二晶体管重叠的部分且被供应固定电位或接地电位。
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公开(公告)号：CN118696612A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021550.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括具有第一至第三晶体管及电容器的存储单元。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一晶体管与第二晶体管间设置电容器。用作第一晶体管的源极或漏极的电极上设置有绝缘体，该绝缘体包括到达电极的开口。该开口内部设置有电容器。电容器的一个电极在开口内部具有与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个接触的区域。另外，电容器的一个电极具有与第二晶体管的栅电极接触的区域。
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公开(公告)号：CN118160094A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071806.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00
Abstract: 提供一种实现小型化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层。第一层包括在沟道形成区域中含有硅的p沟道型第一晶体管。第二层包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的n沟道型第二晶体管。由第一晶体管和第二晶体管构成CMOS电路。第一晶体管的沟道长度比第二晶体管的沟道长度长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117941483A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061607.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B61/00 , G11C11/16 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/82 , H10N50/10
Abstract: 提供一种存储容量大且功耗低的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三导电体、第一、第二晶体管以及MTJ元件。MTJ元件包括自由层以及固定层。在半导体装置中，从下方依次设置有第一导电体、第二导电体、自由层、固定层、第一及第二晶体管以及第三导电体。尤其是，在俯视时，第三导电体位于与第一导电体重叠的区域。第一导电体与第二导电体电连接，第二导电体与自由层及第一晶体管的第一端子电连接。固定层与第二晶体管的第一端子电连接，第一晶体管的第二端子与第二晶体管的第二端子及第三导电体电连接。此外，第一晶体管及第二晶体管都在沟道形成区域中包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN117941066A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061608.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/66 , H01L29/786 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00 , G06F1/3234 , G06G7/60
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提供一种具有新颖结构的电子装置。在包括半导体装置的电子装置中，半导体装置包括CPU、加速器以及存储装置。CPU包括扫描触发器电路以及电连接到扫描触发器电路的备份电路。备份电路包括第一晶体管。加速器包括运算电路、电连接到运算电路的数据保持电路。数据保持电路包括第二晶体管。存储装置具有包括第三晶体管的存储单元。第一晶体管至第三晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。
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公开(公告)号：CN116114018A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180061513.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种设置有包括第一铁电电容器的存储单元及包括第二铁电电容器的参照存储单元的半导体装置。在第一期间对存储单元写入第一2值数据且对参照存储单元写入第一参照2值数据。在第二期间从存储单元读出第一2值数据且从参照存储单元读出第一参照2值数据。在第三期间进行第一2值数据和第一参照2值数据的逻辑运算。在第四期间对存储单元写入第二2值数据且对参照存储单元写入第二参照2值数据。第一2值数据的值与第二2值数据的值不同，并且第一参照2值数据的值与第二参照2值数据的值不同。
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公开(公告)号：CN116018644A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180054265.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/14
Abstract: 提供一种数据的保持时间很长的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、铁电电容器、第一电容及存储单元。另外，存储单元包括第三晶体管。第一晶体管的第一栅极与铁电电容器的第一端子电连接，第一晶体管的第一端子与第一晶体管的第二栅极及第二晶体管的第一端子电连接。此外，第二晶体管的第二端子与铁电电容器的第二端子及第一电容的第一端子电连接。第三晶体管的背栅极与第一晶体管的第一端子电连接。在上述结构中，通过向第一晶体管的第一端子供应负电位，可以提高第三晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN115606008A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035657.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所(JP)
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供一种能够植入生物的半导体装置。该半导体装置包括通信部、控制部、存储部、运算部及传感器部。控制部具有控制通信部、运算部、存储部的功能。存储部具有保持识别信息的功能。此外，运算部具有使用第一信息及从所述传感器部供应的第二信息生成第三信息的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号使运算部进行运算処理的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号将识别信息和第三信息中的一方或双方通过通信部输出到外部的功能。运算部包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管。半导体装置优选被覆盖材料覆盖。
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