公开(公告)号：CN119993229A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411526736.2

申请日：2024-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑丈也 ,  松崎隆德

IPC: G11C11/417 ,  H10B12/00 ,  G11C11/412

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置、存储装置以及存储装置的驱动方法。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一电容器的一个端子连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与位线连接，第一晶体管的栅极与字线连接，第一电容器的另一个端子与第一驱动电路连接，第一驱动电路具有输出第一电位的功能、按供应到字线的选择信号的电位变化的时序联动输出第二电位的功能及按供应到位线的数据的电位变化的时序联动输出第三电位的功能，从第一电位到第二电位的变化方向与选择信号的电位变化方向相反，并且从第一电位到第三电位的变化方向与数据的电位变化方向相反。

公开(公告)号：CN119947103A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411456435.7

申请日：2024-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫田翔希 ,  松崎隆德

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 提供一种存储容量大的半导体装置、能够实现微型化或高集成化的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置或工作速度快的半导体装置。该半导体装置在依次设置在第一导电层上的第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层及第三导电层中设置到达第一导电层的开口部，在第二导电层的开口部内，从靠近该开口部的侧壁的顺序设置第三绝缘层、第一电荷累积层、第四绝缘层、氧化物半导体层、第五绝缘层、第二电荷累积层、第六绝缘层和第四导电层，第一导电层和第三导电层分别被用作晶体管的源电极和漏电极中的一个及另一个，第四导电层被用作第一控制栅极，第二导电层被用作第二控制栅极。

公开(公告)号：CN111542883B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN201880083912.6

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  松崎隆德 ,  加藤清 ,  山崎舜平

IPC: G11C14/00 ,  G11C11/405 ,  H10B12/00 ,  H10D30/67

Abstract: 提供一种新颖的存储装置。本发明是一种包括配置为行列状的多个存储单元的存储装置，各存储单元包括晶体管及电容器。晶体管包括具有隔着半导体层彼此重叠的区域的第一栅极及第二栅极。存储装置具有以“写入模式”、“读出模式”、“刷新模式”及“NV模式”工作的功能。在“刷新模式”中，在读出存储单元所保持的数据之后，以第一时间将数据再次写入到该存储单元。在“NV模式”中，在读出存储单元所储存的数据之后，以第二时间将数据再次写入到该存储单元，然后对第二栅极供应将晶体管变为关闭状态的电位。通过以“NV模式”工作，即使停止向存储单元的供电，也可以长期间储存数据。可以将多值数据储存在存储单元中。

公开(公告)号：CN118160023A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071494.5

申请日：2022-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德 ,  大贯达也 ,  加藤清 ,  冈本佑树 ,  山崎舜平

IPC: G09F9/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09F9/30 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10K59/00 ,  G11C11/405 ,  H01L29/786 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括功能电路。第二层包括具有多个像素的显示部及具有多个存储单元的存储部。多个像素分别包括像素电路及像素电路上的发光元件。功能电路包括显示部驱动电路及控制电路。存储部具有储存通过显示部驱动电路输出到显示部的图像数据的功能。存储单元包括用来保持对应于图像数据的电位的第一晶体管及用来读出电位的第二晶体管，第一晶体管设置在第二层中，第二晶体管设置在第一层中。

公开(公告)号：CN117999863A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280063259.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太 ,  神保安弘

IPC: H10B53/20 ,  G11C11/22 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00 ,  H10B51/20

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有第一电极及背栅极的晶体管以及具有一对电极的电容器，晶体管的背栅极与半导体之间有可具有铁电性的第一绝缘体。第一绝缘体隔着第二绝缘体与半导体重叠。晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接。晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接。一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域。作为第一绝缘体，使用铁电体。

公开(公告)号：CN117377999A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037156.X

申请日：2022-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  大贯达也 ,  松崎隆德 ,  伊藤港

IPC: G09G3/3275

Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有冗余性的半导体装置。半导体装置包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一选择电路、第二选择电路及切换电路，第一驱动电路的输出端子与第一选择电路的输入端子及切换电路的第一端子电连接，第二驱动电路的输出端子与第二选择电路的输入端子及切换电路的第二端子电连接。

公开(公告)号：CN110352559A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880015043.3

申请日：2018-02-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德

IPC: H03K19/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 提供一种在高精度地生成稳定的负电位的同时实现低功耗的半导体装置。包括电压转换电路、比较器、逻辑电路、晶体管及电容器。电压转换电路具有输出对应于逻辑电路所输出的时钟信号转换被输入的第一信号的电压的信号作为第二信号的功能。比较器具有根据电源门控信号控制电源电压的供应或停止的功能。晶体管具有在该晶体管处于非导通状态的期间在电容器中保持比较器的输出电压的功能。逻辑电路具有在停止对比较器的电源电压的期间，根据保持在电容器中的电压切换时钟信号的供应或停止的功能。

公开(公告)号：CN101197572B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200710196068.1

申请日：2007-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  松崎隆德

IPC: H03L7/08 ,  H03L7/18 ,  H04L7/033

CPC classification number: H03L7/0995 ,  H03L7/093 ,  H03L7/107 ,  H03L7/18

Abstract: 本发明的目的在于提供工作范围广的PLL。而且，本发明的目的还在于通过内置有这种PLL，来提供从通讯距离和温度的方面来看工作范围广的半导体器件或无线芯片。本发明是一种半导体器件或一种无线芯片，其包括：第一分频电路；第二分频电路；接收第一分频电路的输出及第二分频电路的输出的相位比较电路；接收相位比较电路的输出并且按照被输入的信号转换时间常数的环路滤波器；以及接收环路滤波器的输出并且向第二分频电路提供输出的电压控制振荡电路。

公开(公告)号：CN119908174A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380067086.7

申请日：2023-10-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  松崎隆德 ,  小林英智

IPC: H10B12/00 ,  G11C14/00 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/80 ,  H10D84/00 ,  H10D30/67 ,  H10B53/30 ,  H10B99/00

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括触发器电路以及存储电路，存储电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器以及第二电容器，半导体装置还包括衬底、第一绝缘体以及第二绝缘体，第一绝缘体设置在衬底上，第二绝缘体设置在第一绝缘体上，第一绝缘体包括在垂直于衬底的面的方向上延伸设置的第一开口部及第二开口部，第二绝缘体包括在垂直于衬底的面的方向上延伸设置的第三开口部及第四开口部，触发器电路设置在衬底上，第一电容器及第二电容器各自的至少一部分都设置在第一开口部及第二开口部中，第一晶体管及第二晶体管各自的至少一部分都设置在第三开口部及第四开口部中。

公开(公告)号：CN119769187A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061313.5

申请日：2023-08-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松崎隆德 ,  国武宽司 ,  井坂史人

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H10D30/67 ,  H10B53/00

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置。该存储装置在半导体层中含有硅的第一晶体管上包括存储单元。存储单元包括电容器及电容器上的第二晶体管。电容器中依次层叠有第一导电体、第一绝缘体和第二导电体。第二导电体兼用作第二晶体管的源极和漏极中的一个。用作第二晶体管的源极和漏极中的另一个的第三导电体位于第二绝缘体上。第二绝缘体及第三导电体设置有到达第二导电体的开口。以与该开口重叠的方式依次层叠有氧化物半导体、第三绝缘体和第四导电体。第四导电体与第一晶体管的源极或漏极电连接。