公开(公告)号：CN117730419A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280048397.4

申请日：2022-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  奥野直树 ,  神保安弘 ,  大野敏和 ,  大贯达也

IPC: H01L29/786 ,  H10B41/70 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种电特性不均匀少的晶体管。晶体管包括第一至第四导电体、第一至第十绝缘体以及氧化物。第三至第五绝缘体位于第二绝缘体上，第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第二导电体的侧面及顶面以及第三导电体的侧面及顶面接触的区域，第一导电体与氧化物及第四导电体重叠，第三绝缘体与氧化物及第四导电体重叠，第四绝缘体与氧化物及第二导电体重叠，第五绝缘体与氧化物及第三导电体重叠，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面分别接触，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。

公开(公告)号：CN117016044A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280022590.0

申请日：2022-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  冈崎健一

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种能够连续进行从有机化合物膜的加工到密封的工序的制造装置。一种能够连续进行发光器件的图案化工序及在不暴露于大气的情况下对有机层的表面及侧面进行密封的工序的制造装置，可以形成高亮度、高可靠性的微型发光器件。另外，可以将该制造装置组装在按发光器件的工序顺序配置装置的串列式制造装置中，由此可以以高处理量进行制造。

公开(公告)号：CN116803231A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180068990.0

申请日：2021-10-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  大野敏和 ,  佐藤优一 ,  江头祥惠 ,  川口忍

IPC: H10B53/30

Abstract: 提供一种具有良好的铁电性的铁电器件。该铁电器件包括第一绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的铁电层、铁电层上的第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及包裹第一导电体、铁电层、第二导电体及第二绝缘体的第三绝缘体，第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。

公开(公告)号：CN116686034A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202280008245.1

申请日：2022-01-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  山根靖正

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括发光元件以及以覆盖发光元件的方式配置的绝缘层，发光元件包括第一导电层、第一导电层上的EL层以及EL层上的第二导电层，绝缘层包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，第三层的碳浓度比第一层和第二层中的至少一方高。

公开(公告)号：CN116368602A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180067590.8

申请日：2021-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  神保安弘

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种存储容量大的存储装置。提供一种可靠性高的存储装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的第一导电层、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的结构体、第一绝缘层及第二绝缘层。结构体包括功能层、半导体层、第三绝缘层及第二导电层。在第一导电层与结构体的交叉部，以第二导电层为中心的方式呈同心圆依次配置第三绝缘层、半导体层及功能层。此外，第一绝缘层及第二绝缘层在第二方向上层叠。功能层及第一导电层配置在第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导电层、第三绝缘层及半导体层具有位于设置在第一绝缘层的第一开口的内侧的部分以及位于设置在第二绝缘层的第二开口的内侧的部分。

公开(公告)号：CN116097401A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180057321.3

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  井坂史人 ,  饭洼阳一 ,  惠木勇司 ,  神保安弘

IPC: H01L21/268

Abstract: 提供一种绝缘膜的改性方法。本发明包括如下步骤：准备包含氢的绝缘膜的第一工序；以及通过对绝缘膜进行微波处理，使氢脱离为水分子来降低绝缘膜中的氢含量的第二工序。微波处理在200℃以上且300℃以下的温度范围内使用氧气体及氩气体进行，在氧气流量及氩气流量的总和中氧气流量所占的比率优选大于0％且为50％以下。

公开(公告)号：CN108369787A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071918.2

申请日：2016-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  丰高耕平 ,  肉户英明 ,  三宅博之 ,  横山浩平 ,  神保安弘 ,  道前芳隆 ,  永田贵章 ,  平佐真一

IPC: G09F9/302 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

Abstract: 本发明的一个方式提供一种分辨率极高的显示装置。另外，提供一种显示品质高的显示装置。另外，提供一种视角特性高的显示装置。另外，提供一种可弯曲的显示装置。将相同颜色的子像素在特定方向上排成之字形。换言之，当着眼于一个子像素时，呈现与其相同颜色的两个子像素配置在它的斜右上及斜右下或者斜左上及斜左下。另外，各像素由排成L字形状的三个子像素构成。并且，组合两个像素，将包括3×2的子像素的像素单元配置为矩阵状。

公开(公告)号：CN107111970A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580059162.5

申请日：2015-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平形吉晴 ,  浜田崇 ,  横山浩平 ,  神保安弘 ,  石谷哲二 ,  久保田大介

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/322 ,  H01L27/323 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/303

Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。

公开(公告)号：CN101404294B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810168087.8

申请日：2008-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN102007586B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。