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公开(公告)号：CN108428616A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810071450.8
申请日：2018-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0002
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，所述基板处理方法包括排气步骤、非活性气体供给步骤以及热处理步骤，在实施所述排气步骤、所述非活性气体供给步骤之后，实施热处理步骤，在所述排气步骤中，排出由包围热处理板的周围的罩部形成的热处理空间的气体，在所述非活性气体供给步骤中，从上方对所述热处理空间供给非活性气体，并且对所述热处理板的外周面与所述罩部的内周面之间的间隙供给非活性气体，在所述热处理步骤中，对所述热处理空间内的基板进行热处理。
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公开(公告)号：CN108428615B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201711471688.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在热处理空间内对基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于支撑销上；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。
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公开(公告)号：CN108428616B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201810071450.8
申请日：2018-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，所述基板处理方法包括排气步骤、非活性气体供给步骤以及热处理步骤，在实施所述排气步骤、所述非活性气体供给步骤之后，实施热处理步骤，在所述排气步骤中，排出由包围热处理板的周围的罩部形成的热处理空间的气体，在所述非活性气体供给步骤中，从上方对所述热处理空间供给非活性气体，并且对所述热处理板的外周面与所述罩部的内周面之间的间隙供给非活性气体，在所述热处理步骤中，对所述热处理空间内的基板进行热处理。
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公开(公告)号：CN108428624B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201711475467.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，将形成有处理膜的基板载置于热处理腔室内的热处理空间中来进行热处理，所述方法包括：排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；以及热处理步骤，对所述热处理空间中的基板进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108535966B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810163638.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻，通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间，由照度计接收一部分真空紫外线，并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量，在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻，停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为，高于1％且低于大气中的氧浓度，使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。
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公开(公告)号：CN110100301A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201780077239.0
申请日：2017-10-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间，通过照度计接收一部分真空紫外线，并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间，通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度，使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
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公开(公告)号：CN108535966A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810163638.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻，通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间，由照度计接收一部分真空紫外线，并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量，在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻，停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为，高于1％且低于大气中的氧浓度，使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。
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公开(公告)号：CN108428625A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810095258.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0002 , G03F7/70991 , H01L21/0338 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，处理涂覆有定向自组装材料的基板，该基板处理方法具备加热工序和冷却工序。加热工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境，并且使基板位于加热位置，从而加热基板以使定向自组装材料相分离。冷却工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境，使基板位于与加热位置相比离加热部远的处理容器内的冷却位置，向处理容器内供给非氧化性气体，并且排出处理容器内的气体，从而冷却基板。
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公开(公告)号：CN108428624A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711475467.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/67098 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，将形成有处理膜的基板载置于热处理腔室内的热处理空间中来进行热处理，所述方法包括：排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；以及热处理步骤，对所述热处理空间中的基板进行热处理。
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