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公开(公告)号：CN109923643B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201780069615.1
申请日：2017-10-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/40
Abstract: 本发明中，在衬底的一面上形成含金属涂布膜，在含金属涂布膜上由感光性有机材料形成有机涂布膜，且有机涂布膜被曝光成指定图案。通过狭缝喷嘴向有机涂布膜供给显影液，由此在有机涂布膜形成指定图案。另外，通过置换喷嘴向有机涂布膜的图案及含金属涂布膜供给置换液，由此将含金属涂布膜的部分去除，在含金属涂布膜形成指定图案。通过冲洗喷嘴向具有有机涂布膜的图案及含金属涂布膜的图案的衬底供给冲洗液。
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公开(公告)号：CN110249409B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780084716.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的衬底处理方法是根据已设定的减少工艺使氧浓度减少，之后进行热处理。由此，降低热处理空间HS内的氧浓度后对衬底W进行热处理，所以能够使热处理空间的处理环境适于热处理工艺，从而能够适当地进行成膜。并且，只要根据配方的氧浓度等级减少氧浓度即可，所以无过度地减少氧浓度的情况，而无降低产能的情况。
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公开(公告)号：CN113327871A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110556130.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/027 , B05B13/02 , B05B15/68 , B05D3/10 , B05D7/24
Abstract: 基板处理装置具备膜形成单元、周缘部去除单元和搬送机构，膜形成单元包括：第一旋转保持部，将基板保持为水平姿势并使其旋转；涂敷液喷嘴，向由第一旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出含金属涂敷液，周缘部去除单元包括：第二旋转保持部，将基板保持为水平姿势并使其旋转；第一去除液喷嘴，向由第二旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部喷出第一去除液，膜形成单元和周缘部去除单元的至少一个还包括：第二去除液喷嘴，其向旋转的基板的被处理面的周缘部喷出用于使涂敷液溶解的第二去除液，第一去除液喷嘴在通过从第二去除液喷嘴喷出的第二去除液溶解基板的被处理面的周缘部的涂敷液后，喷出第一去除液，溶解基板的被处理面的周缘部的金属。
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公开(公告)号：CN107833847A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710832694.9
申请日：2017-09-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02118 , H01L21/02348 , H01L21/31133 , H01L21/67225 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供蚀刻装置、基板处理装置、蚀刻方法以及基板处理方法。在第一期间，基板旋转并向基板上供给作为低挥发液的纯水。停止喷出低挥发液后，低挥发液残留在DSA膜上广泛的区域。低挥发液不与DSA膜反应而保持在DSA膜上。在接下来的第二期间，基板旋转并向基板供给有机溶剂。供给给基板的有机溶剂与DSA膜上残留的低挥发液混合。该情况下，DSA膜上有机溶剂的挥发被抑制。
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公开(公告)号：CN107249760A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680012166.2
申请日：2016-02-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: B05D1/40 , B05D3/04 , H01L21/027
Abstract: 利用保持旋转部2使基板W旋转而在基板W上形成涂敷液膜RS，并且利用随着基板W的旋转产生的离心力，将剩余的涂敷液RS的至少一部分推向基板W的周缘部E，使剩余的涂敷液RS沿基板W的周缘部E隆起。之后，利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS，将在周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。通过利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS，能够破坏涂敷液RS因表面张力不向基板W外排出而积存隆起的均衡状态。因此，利用旋转，既能够形成厚的涂敷液膜RS，又能够使涂敷液膜RS的厚度变得均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108535965B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201810160995.6
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种曝光装置、基板处理装置、基板的曝光方法及基板处理方法。光源部向作为处理对象的基板的被处理面照射真空紫外线。在光源部向基板照射真空紫外线的照射期间，由照度计接收一部分真空紫外线，并测量接收到的真空紫外线的照度。照度计的受光面位于以在真空紫外线的照射期间的基板的被处理面为基准的恒定高度。基于由照度计测量的照度，计算基板的曝光量。基于计算出的基板的曝光量，使光源部停止向基板照射真空紫外线。
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公开(公告)号：CN112526827A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010960098.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 曝光装置具有圆筒形状的周壁部件。周壁部件形成能够收容衬底的处理空间并且具有上部开口及下部开口。而且，在周壁部件的上部，以盖住上部开口的方式设置着光出射部。在周壁部件的下方设置着下盖部件，所述下盖部件设置成能够沿上下方向移动且能够封闭及打开下部开口。以在处理空间内收容有衬底且下部开口被下盖部件封闭的状态，用惰性气体置换处理空间内的环境气体。该状态下，真空紫外线从光出射部出射到衬底，衬底被曝光。
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公开(公告)号：CN110249409A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201780084716.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的衬底处理方法是根据已设定的减少工艺使氧浓度减少，之后进行热处理。由此，降低热处理空间HS内的氧浓度后对衬底W进行热处理，所以能够使热处理空间的处理环境适于热处理工艺，从而能够适当地进行成膜。并且，只要根据配方的氧浓度等级减少氧浓度即可，所以无过度地减少氧浓度的情况，而无降低产能的情况。
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公开(公告)号：CN109923643A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069615.1
申请日：2017-10-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/40
Abstract: 本发明中，在衬底的一面上形成含金属涂布膜，在含金属涂布膜上由感光性有机材料形成有机涂布膜，且有机涂布膜被曝光成指定图案。通过狭缝喷嘴向有机涂布膜供给显影液，由此在有机涂布膜形成指定图案。另外，通过置换喷嘴向有机涂布膜的图案及含金属涂布膜供给置换液，由此将含金属涂布膜的部分去除，在含金属涂布膜形成指定图案。通过冲洗喷嘴向具有有机涂布膜的图案及含金属涂布膜的图案的衬底供给冲洗液。
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公开(公告)号：CN108428615A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711471688.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02337 , H01L21/4871 , H01L21/67098 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在热处理空间内对基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于支撑销上；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。
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