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公开(公告)号:CN108535965A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810160995.6
申请日:2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种曝光装置、基板处理装置、基板的曝光方法及基板处理方法。光源部向作为处理对象的基板的被处理面照射真空紫外线。在光源部向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。照度计的受光面位于以在真空紫外线的照射期间的基板的被处理面为基准的恒定高度。基于由照度计测量的照度,计算基板的曝光量。基于计算出的基板的曝光量,使光源部停止向基板照射真空紫外线。
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公开(公告)号:CN108535965B
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN201810160995.6
申请日:2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种曝光装置、基板处理装置、基板的曝光方法及基板处理方法。光源部向作为处理对象的基板的被处理面照射真空紫外线。在光源部向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。照度计的受光面位于以在真空紫外线的照射期间的基板的被处理面为基准的恒定高度。基于由照度计测量的照度,计算基板的曝光量。基于计算出的基板的曝光量,使光源部停止向基板照射真空紫外线。
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公开(公告)号:CN110100301B
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN201780077239.0
申请日:2017-10-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度,使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
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公开(公告)号:CN108535966B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN201810163638.5
申请日:2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻,通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量,在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻,停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为,高于1%且低于大气中的氧浓度,使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。
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公开(公告)号:CN110100301A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201780077239.0
申请日:2017-10-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度,使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
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公开(公告)号:CN108535966A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810163638.5
申请日:2018-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻,通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量,在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻,停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为,高于1%且低于大气中的氧浓度,使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。
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