公开(公告)号：CN110223933B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201910074196.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 辻起久 ,  福本靖博 ,  芝康裕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理系统。基板处理装置对基板进行热处理，所述装置包含以下的要素。对基板进行加热的热处理板、用来传送基板的升降销、使所述升降销升降的升降销驱动机构、形成热处理环境的壳体、抑制所述热处理板的热向下方传递的冷却基底板，所述升降销驱动机构配置在所述冷却基底板的下方。

公开(公告)号：CN110249409B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201780084716.6

申请日：2017-10-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中山知佐世 ,  田中裕二 ,  春本将彦 ,  浅井正也 ,  福本靖博 ,  松尾友宏 ,  石井丈晴

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的衬底处理方法是根据已设定的减少工艺使氧浓度减少，之后进行热处理。由此，降低热处理空间HS内的氧浓度后对衬底W进行热处理，所以能够使热处理空间的处理环境适于热处理工艺，从而能够适当地进行成膜。并且，只要根据配方的氧浓度等级减少氧浓度即可，所以无过度地减少氧浓度的情况，而无降低产能的情况。

公开(公告)号：CN116845006A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310851495.8

申请日：2019-01-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 辻起久 ,  福本靖博 ,  芝康裕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置。基板处理装置对基板进行热处理，所述装置包含以下的要素。对基板进行加热的热处理板、用来传送基板的升降销、使所述升降销升降的升降销驱动机构、形成热处理环境的壳体、抑制所述热处理板的热向下方传递的冷却基底板，所述升降销驱动机构配置在所述冷却基底板的下方。

公开(公告)号：CN110233119B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201910117660.0

申请日：2019-02-15

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 辻起久 ,  福本靖博

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置。顶面单元83相对于壳体装卸自如地构成。加热器单元115利用支承部件105与钩可动部107安装在顶面单元83，或从顶面单元83卸除。因此，由于能够将包含封装加热器及配线的加热器单元115从顶面单元83容易地卸除，所以能够利用药液等使顶面单元83清洁。结果，在维护时，能够将具备升华物最容易堆积的排气口49或内部排气管113的顶面部件91卸除浸渍在药液等中而将其洗净，从而能够使封装加热器周围容易地清洁化。

公开(公告)号：CN108535965B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201810160995.6

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 松尾友宏 ,  福本靖博 ,  大木孝文 ,  浅井正也 ,  春本将彦 ,  田中裕二 ,  中山知佐世

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种曝光装置、基板处理装置、基板的曝光方法及基板处理方法。光源部向作为处理对象的基板的被处理面照射真空紫外线。在光源部向基板照射真空紫外线的照射期间，由照度计接收一部分真空紫外线，并测量接收到的真空紫外线的照度。照度计的受光面位于以在真空紫外线的照射期间的基板的被处理面为基准的恒定高度。基于由照度计测量的照度，计算基板的曝光量。基于计算出的基板的曝光量，使光源部停止向基板照射真空紫外线。

公开(公告)号：CN110249409A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201780084716.6

申请日：2017-10-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中山知佐世 ,  田中裕二 ,  春本将彦 ,  浅井正也 ,  福本靖博 ,  松尾友宏 ,  石井丈晴

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的衬底处理方法是根据已设定的减少工艺使氧浓度减少，之后进行热处理。由此，降低热处理空间HS内的氧浓度后对衬底W进行热处理，所以能够使热处理空间的处理环境适于热处理工艺，从而能够适当地进行成膜。并且，只要根据配方的氧浓度等级减少氧浓度即可，所以无过度地减少氧浓度的情况，而无降低产能的情况。

公开(公告)号：CN108428615A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201711471688.1

申请日：2017-12-29

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中裕二 ,  中山知佐世 ,  春本将彦 ,  浅井正也 ,  福本靖博 ,  松尾友宏 ,  石井丈晴

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/56 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在热处理空间内对基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于支撑销上；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

公开(公告)号：CN107430985A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077665.5

申请日：2015-11-17

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 门间徹 ,  福本靖博 ,  西幸治 ,  后藤茂宏 ,  城宪一郎 ,  田中淳

IPC: H01L21/027

Abstract: 通过热处理部，对载置有基板的上部板进行冷却或者加热。通过温度调整部调整热处理部的温度。检测上部板的温度。基于检测出的温度，计算为了将上部板的温度维持在设定的值而应该提供给温度调整部的控制值，来作为控制运算值。在控制运算值降低至小于第二阈值的情况下，进行用于将控制运算值提供给温度调整部的第一控制。在控制运算值上升至第一阈值以上的情况下，进行用于将大于控制运算值的控制设定值提供给温度调整部的第二控制。

公开(公告)号：CN110100301B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201780077239.0

申请日：2017-10-04

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 福本靖博 ,  大木孝文 ,  松尾友宏 ,  浅井正也 ,  春本将彦 ,  田中裕二 ,  中山知佐世

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间，通过照度计接收一部分真空紫外线，并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间，通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度，使投光部停止向衬底照射真空紫外线。

公开(公告)号：CN108428625B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201810095258.2

申请日：2018-01-31

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 福本靖博 ,  田中裕二 ,  松尾友宏 ,  石井丈晴

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，处理涂覆有定向自组装材料的基板，该基板处理方法具备加热工序和冷却工序。加热工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境，并且使基板位于加热位置，从而加热基板以使定向自组装材料相分离。冷却工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境，使基板位于与加热位置相比离加热部远的处理容器内的冷却位置，向处理容器内供给非氧化性气体，并且排出处理容器内的气体，从而冷却基板。