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公开(公告)号：CN110712118A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910628469.2
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种可改善在基板的边缘部等获得的测量值的精确度的研磨装置以及研磨方法。膜厚测量装置(231)与终点检测器(241)根据设置于研磨台(320A)的涡电流传感器(210)的输出而监视导电膜(102)的膜厚。涡电流传感器(210)的输出包含阻抗成分，在使阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与阻抗成分对应的坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分。膜厚测量装置(231)求出坐标系上的点与圆的中心的距离，且根据阻抗成分求出膜厚，使用所获得的距离来修正所获得的膜厚。
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公开(公告)号：CN110625516A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910541443.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明以确定设置于基板研磨装置的研磨台的涡电流传感器的轨道为一个目的。一种确定涡电流传感器的轨道的方法，是确定从基板研磨装置中的基板观察到的涡电流传感器的轨道的方法，该基板研磨装置具备研磨台和研磨头，该方法具备：取得传感器输出映射作为三维数据的阶段；对基板进行研磨的阶段；取得研磨中信号的轮廓作为二维数据的阶段；以及从作为三维数据的传感器输出映射中抽出具有与作为二维数据的研磨中信号的轮廓最类似的轮廓的轨道，并且将该抽出的轨道确定为从基板观察到的涡电流传感器的轨道的阶段。
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公开(公告)号：CN118106878A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311601303.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/16 , B24B1/00
Abstract: 本发明提供工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法以及研磨装置，能够准确地取得研磨速率相对于将晶片等工件向研磨垫按压的压力的变化的响应性。在本方法中，使用模拟来制作推定研磨速率响应性概况，该推定研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于研磨头(7)的第一压力室内的压力变化的响应性的分布，使用工件的研磨结果来制作实际研磨速率响应性概况，该实际研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于第二压力室内的压力变化的响应性的分布，通过将推定研磨速率响应性概况和实际研磨速率响应性概况组合，而制作混合研磨速率响应性概况。
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公开(公告)号：CN110625516B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201910541443.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明以确定设置于基板研磨装置的研磨台的涡电流传感器的轨道为一个目的。一种确定涡电流传感器的轨道的方法，是确定从基板研磨装置中的基板观察到的涡电流传感器的轨道的方法，该基板研磨装置具备研磨台和研磨头，该方法具备：取得传感器输出映射作为三维数据的阶段；对基板进行研磨的阶段；取得研磨中信号的轮廓作为二维数据的阶段；以及从作为三维数据的传感器输出映射中抽出具有与作为二维数据的研磨中信号的轮廓最类似的轮廓的轨道，并且将该抽出的轨道确定为从基板观察到的涡电流传感器的轨道的阶段。
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公开(公告)号：CN108789154B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810385500.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
Abstract: 提供一种不剥离研磨垫就能够进行校准的涡电流传感器的校准方法。当将研磨对象物向研磨面按压而进行研磨时，为了利用涡电流传感器来对研磨对象物的膜厚进行测定而求出研磨对象物的膜厚与涡电流传感器的测定值之间的对应关系的涡电流传感器。该方法在第一步骤中，在使膜厚已知的研磨对象物与研磨面接触了的状态下，对涡电流传感器的输出进行测定，从而求出与该膜厚对应的涡电流传感器的测定值。在第二步骤中，当将研磨对象物向研磨面按压而进行研磨时，对涡电流传感器的输出进行测定，从而求出与研磨时的膜厚对应的涡电流传感器的测定值。根据第一步骤的测定值和第二步骤的测定值而求出研磨对象物的膜厚与涡电流传感器的测定值之间的对应关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113878489A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110672653.4
申请日：2021-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34
Abstract: 一种研磨装置及记录介质，即使研磨的状况变化也能推定研磨中的对象时刻的参数。研磨装置具有：生成部，该生成部使用与研磨中的对象时刻的研磨部件和对象基板之间的摩擦力有关的数据、或者研磨部件或对象基板的温度的测定数据生成特征量；以及推定部，该推定部对使用学习用数据组完成学习的机器学习模型至少输入通过该生成部生成的特征量，输出对象基板的研磨中的对象时刻的研磨量或残余膜量的推定值，该学习用数据组在输入中包括基于与研磨中的各时刻的研磨部件和基板之间的摩擦力有关的数据的特征量、或基于研磨部件或基板的温度的测定数据的特征量，将至少使用研磨后测定出的膜厚推定的研磨中的各时刻的研磨量或残余膜量作为输出。
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公开(公告)号：CN107538339B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201710509057.8
申请日：2017-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种提高边缘处的膜厚的检测精度且减少研磨对象物的边缘附近的瑕疵率的膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法及研磨方法。接收部(232)接收从用于检测研磨对象物(102)的膜厚的涡电流传感器(210)输出的传感器数据，并生成膜厚数据。修正部(238)基于由接收部(232)生成的膜厚数据，进行比研磨对象物(102)的边缘靠内侧的位置处的膜厚数据的修正。修正部(238)使用在比研磨对象物(102)的边缘靠外侧的位置由接收部(232)生成的膜厚数据，对在比研磨对象物(102)的边缘靠内侧的位置由接收部(232)生成的膜厚数据进行修正。
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公开(公告)号：CN108789154A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810385500.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
CPC classification number: B24B49/105 , B24B37/013 , B24B49/02 , G01B7/105 , G01B7/107 , G01B21/042 , B24B37/34 , G01B7/10
Abstract: 提供一种不剥离研磨垫就能够进行校准的涡电流传感器的校准方法。当将研磨对象物向研磨面按压而进行研磨时，为了利用涡电流传感器来对研磨对象物的膜厚进行测定而求出研磨对象物的膜厚与涡电流传感器的测定值之间的对应关系的涡电流传感器。该方法在第一步骤中，在使膜厚已知的研磨对象物与研磨面接触了的状态下，对涡电流传感器的输出进行测定，从而求出与该膜厚对应的涡电流传感器的测定值。在第二步骤中，当将研磨对象物向研磨面按压而进行研磨时，对涡电流传感器的输出进行测定，从而求出与研磨时的膜厚对应的涡电流传感器的测定值。根据第一步骤的测定值和第二步骤的测定值而求出研磨对象物的膜厚与涡电流传感器的测定值之间的对应关系。
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公开(公告)号：CN104907920B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器,以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含:涡流传感器与研磨对象物不相对的第状态;及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第状态下从涡流传感器输出的第测定信号(Xout,Yout)(步骤S108),基于取得的第测定信号与对第测定信号预先设定的基准信号(Xsd,Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109);取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104),在进行研磨工序中,基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
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公开(公告)号：CN107617969A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710566936.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/013
CPC classification number: C23C14/542 , B24B37/00 , B24B37/013 , B24B37/107 , B24B49/04 , B24B49/105 , G01N27/025
Abstract: 本发明提供一种可比以往减少事先需要的膜厚测定次数的膜厚测定装置、研磨装置、膜厚测定方法及研磨方法。通过涡电流传感器(210)检测能够形成于研磨对象物(102)的涡电流作为阻抗。使阻抗的电阻成分与电抗成分分别对应于具有正交坐标轴的坐标系统的各轴。角算出部(234)算出连结对应于膜厚为零时的阻抗的第一点、及对应于膜厚为非零时的阻抗的第二点的第一直线，与通过第一点的圆的直径所形成的角的正切。膜厚算出部(238)从正切求出膜厚。
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