研磨装置及研磨部件的修整方法

    公开(公告)号:CN111496668B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN201911345425.5

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明为研磨装置及研磨部件的修整方法,修整器能够在沿着摆动方向而设定于研磨部件上的多个扫描区域中调整摆动速度,具备以下步骤:在沿着修整器的摆动方向预先设定于研磨部件上的多个监控区域中测定研磨部件的表面高度;创建由监控区域、扫描区域和修整模型定义的修整模型矩阵;使用修整模型和各扫描区域中的摆动速度或停留时间来计算高度轮廓预测值;根据与研磨部件的高度轮廓的目标值的差值来设定评价指标;以及根据评价指标来设定修整器的各扫描区域中的摆动速度,使用于确定高度轮廓的目标值或评价指标的参数中的至少一方自动地变化。

    研磨装置及研磨部件的修整方法

    公开(公告)号:CN111496668A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201911345425.5

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明为研磨装置及研磨部件的修整方法,修整器能够在沿着摆动方向而设定于研磨部件上的多个扫描区域中调整摆动速度,具备以下步骤:在沿着修整器的摆动方向预先设定于研磨部件上的多个监控区域中测定研磨部件的表面高度;创建由监控区域、扫描区域和修整模型定义的修整模型矩阵;使用修整模型和各扫描区域中的摆动速度或停留时间来计算高度轮廓预测值;根据与研磨部件的高度轮廓的目标值的差值来设定评价指标;以及根据评价指标来设定修整器的各扫描区域中的摆动速度,使用于确定高度轮廓的目标值或评价指标的参数中的至少一方自动地变化。

    抛光设备和抛光方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1972780B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200580020375.3

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: B24B37/005 B24B49/10

    Abstract: 一种抛光设备,其具有抛光台(18)和顶圈(20),所述抛光台具有抛光表面(40),所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1-C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54),所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况,所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理,以产生监测信号,所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较,并且控制顶圈(20)的压紧力,从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。

    抛光设备和抛光方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1972780A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200580020375.3

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: B24B37/005 B24B49/10

    Abstract: 一种抛光设备,其具有抛光台(18)和顶圈(20),所述抛光台具有抛光表面(40),所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1-C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54),所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况,所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理,以产生监测信号,所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较,并且控制顶圈(20)的压紧力,从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。

    基板处理装置、研磨部件的修整控制方法及存储介质

    公开(公告)号:CN114074288A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110914910.0

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 使基板滑动接触在研磨部件上来研磨该基板的基板处理装置具备:修整器,该修整器通过在研磨部件上摆动来修整该研磨部件,并且该修整器在沿着径向在研磨部件上设定的多个扫描区域中能够调整摆动速度;高度检测部,该高度检测部通过沿着研磨部件的径向测定研磨部件的表面高度来生成垫轮廓;修整器负荷设定部,该修整器负荷设定部设定修整器对研磨部件施加的修整器负荷;垫高度校正部,该垫高度校正部遍及径向地计算出与修整器负荷相对于基准负荷的变动量对应的研磨部件的表面高度的校正量,并用校正量校正表面高度的测定值,由此校正垫轮廓;以及移动速度计算部,该移动速度计算部基于校正后的垫轮廓来进行修整器在各扫描区域中的摆动速度的调整。

    研磨装置及研磨方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101511539B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN200780033624.1

    申请日:2007-09-06

    CPC classification number: B24B37/04 B24B37/013

    Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备:研磨台(10),具有研磨面;顶环(14),对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力,从而将基板按压在研磨台上;传感器(50),检测多个计测点上的上述膜的状态;监控装置(53),根据传感器的输出信号,对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号;存储部,存放多个基准信号,该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系;控制部,操作对第一多个区域的按压力,以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。

    研磨装置及研磨方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101511539A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200780033624.1

    申请日:2007-09-06

    CPC classification number: B24B37/04 B24B37/013

    Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备:研磨台(10),具有研磨面;顶环(14),对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力,从而将基板按压在研磨台上;传感器(50),检测多个计测点上的上述膜的状态;监控装置(53),根据传感器的输出信号,对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号;存储部,存放多个基准信号,该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系;控制部,操作对第一多个区域的按压力,以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。

    基板研磨装置
    9.
    发明公开
    基板研磨装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN118254100A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311807253.5

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提供一种基板研磨装置。在光学式表面监视系统中,除去或者缓和由基板与研磨台之间的相对速度的差异导致的测定精度的影响。基板研磨装置具有:研磨台;用于使所述研磨台旋转的电机;构成为保持基板的基板保持头;光源;以及配置于研磨台的内部的光学头。光学头具备投光口和受光口,该投光口被配置为将来自所述光源的光朝向保持于基板保持头的基板投射,该受光口被配置为接受从保持于所述基板保持头的基板反射的光。基板研磨装置还具有:用于检测由所述受光口接受到的光的光检测器;用于控制光被取入所述光检测器的曝光时间的快门;以及用于基于基板的研磨条件来控制所述快门的动作以变更所述曝光时间的控制装置。

    研磨方法、工件的研磨监视方法及研磨监视装置

    公开(公告)号:CN114536210A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111375685.4

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 提供一种能够不受噪声的影响地确定正确的研磨对象层的厚度的研磨方法、工件的研磨监视方法及研磨监视装置。本方法是用于研磨工件(W)的研磨对象层的研磨方法,使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转,将工件(W)按压于研磨垫(2)而对研磨对象层进行研磨,向工件(W)照射光,接收来自工件(W)的反射光,根据每个波长测定反射光的强度,生成表示强度与反射光的波长的关系的分光波形,对分光波形进行傅里叶变换处理,从而生成频率光谱,使频率光谱的波峰搜索范围根据研磨时间进行移动,确定在波峰搜索范围内的频率光谱的波峰,从而确定与所确定的波峰对应的所述研磨对象层的厚度。

Patent Agency Ranking