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公开(公告)号：CN104889879B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510095290.7
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/12
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/005 , B24B49/105 , B24B49/12 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67063 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。
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公开(公告)号：CN106457507B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580020769.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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公开(公告)号：CN106863108A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611023375.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将晶片(W)的表面按压于研磨垫(2)，在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的多个膜厚信号，根据多个膜厚信号决定多个测定膜厚，基于多个测定膜厚决定在晶片(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚，基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶片(W)的研磨进行监视。
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公开(公告)号：CN104907921B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510303080.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 小林洋一
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01B11/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够正确地监视研磨的进展、还能够检测正确的研磨终点的方法。本方法在基板的研磨中对基板照射光，受光来自基板的反射光，对各波长测量反射光的强度，由强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱，计算出每规定时间的波谱的变化量，将波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量，基于波谱累积变化量监视基板的研磨的进展。
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公开(公告)号：CN104907921A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510303080.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 小林洋一
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01B11/06 , H01L21/304 , B24B37/005 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种能够正确地监视研磨的进展、还能够检测正确的研磨终点的方法。本方法在基板的研磨中对基板照射光，受光来自基板的反射光，对各波长测量反射光的强度，由强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱，计算出每规定时间的波谱的变化量，将波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量，基于波谱累积变化量监视基板的研磨的进展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1972780B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580020375.3
申请日：2005-06-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/005 , B24B49/10
Abstract: 一种抛光设备，其具有抛光台(18)和顶圈(20)，所述抛光台具有抛光表面(40)，所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1-C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54)，所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况，所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理，以产生监测信号，所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较，并且控制顶圈(20)的压紧力，从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。
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公开(公告)号：CN1849198A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480025849.9
申请日：2004-06-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 提供一种能很容易掌握抛光进度的抛光状态监测设备。该抛光状态监测设备通过在扫描物体(12)的待抛光表面时在相隔预定间隔的每个采样点上获得表示该表面的状态的特征值来监测该表面的抛光进度。该设备包括能发射用于照射所述表面的光的发光装置(21)；以及用于接收从所述表面反射的光以产生特征值的计算单元(26)。然后，该设备获取从每次扫描期间的相同采样时刻上的采样点获得的特征值。这使得可以根据到所述表面中心的距离来监测抛光的进度。
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公开(公告)号：CN1791490A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013400.0
申请日：2004-05-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
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公开(公告)号：CN104275642B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201410330519.6
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
Abstract: 种研磨装置,具有:对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80);以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39),从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中,减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚,由此确定补正值,对研磨基板中取得的膜厚加上补正值,由此取得监视膜厚,基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明,研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN104889879A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510095290.7
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/12
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/005 , B24B49/105 , B24B49/12 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67063 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。
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