公开(公告)号：CN1972780A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020375.3

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/10

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B49/10

Abstract: 一种抛光设备，其具有抛光台(18)和顶圈(20)，所述抛光台具有抛光表面(40)，所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1－C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54)，所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况，所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理，以产生监测信号，所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较，并且控制顶圈(20)的压紧力，从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。

公开(公告)号：CN1972780B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580020375.3

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/10

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B49/10

Abstract: 一种抛光设备，其具有抛光台(18)和顶圈(20)，所述抛光台具有抛光表面(40)，所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1-C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54)，所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况，所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理，以产生监测信号，所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较，并且控制顶圈(20)的压紧力，从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。

公开(公告)号：CN101511539B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200780033624.1

申请日：2007-09-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备：研磨台(10)，具有研磨面；顶环(14)，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在研磨台上；传感器(50)，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置(53)，根据传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系；控制部，操作对第一多个区域的按压力，以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。

公开(公告)号：CN101511539A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033624.1

申请日：2007-09-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备：研磨台(10)，具有研磨面；顶环(14)，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在研磨台上；传感器(50)，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置(53)，根据传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系；控制部，操作对第一多个区域的按压力，以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。