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公开(公告)号：CN107121433A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710098265.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G06T7/0004 , B23K26/032 , B23K26/53 , B23K2103/56 , G01N21/9501 , G01N21/958 , G01N2201/12 , G06T2207/10004 , G06T2207/30148 , H04N5/2256 , G01N21/8806
Abstract: 提供检查装置和激光加工装置，该检查装置能够以简单的结构对存在于由透明材料形成的被检查部件的裂纹进行检测。检查装置(14)包含：照明单元(16)，其配置在透明材料制部件的周缘，从侧面对透明材料制部件进行照明；拍摄单元(18)，其与透明材料制部件相对地配置，对照明单元(16)所照明的透明材料制部件进行拍摄；以及显示单元(20)，其对拍摄单元(18)所拍摄的图像进行显示。
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公开(公告)号：CN103033130B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210367278.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L2221/00
Abstract: 一种激光加工装置的聚光光斑位置检测方法，包括：通过聚光器会聚的激光束的聚光光斑的设计值和板状物的厚度设定聚光器在Z轴方向的基准位置的基准位置设定步骤；设定对聚光器进行定位的检测位置的从起点到终点的多个Z轴方向位置的检测位置设定步骤；依次将聚光器定位于从起点到终点的检测位置，每当变更聚光器的检测位置时启动分度进给构件，以规定间隔分度进给，在聚光器的各检测位置在板状物分别形成规定长度的激光加工槽的激光加工槽形成步骤；通过摄像构件对在板状物形成的激光加工槽进行摄像的激光加工槽摄像步骤；以及使激光加工槽摄像步骤摄像的激光加工槽对应于该检测位置的从起点到终点的各检测位置显示于一条直线的激光加工槽显示步骤。
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公开(公告)号：CN104339090A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381467.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/064 , H01L33/00 , H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/2686 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法。沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件，在对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，实施发光层除去工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近并分割预定线从单晶基板的背面侧进行照射，沿着分割预定线除去发光层，然后实施盾构隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近并沿着分割预定线从光器件晶片的单晶基板的背面侧进行照射，从单晶基板的正面到背面使细孔和遮蔽该细孔的非晶质生长并形成盾构隧道。
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公开(公告)号：CN104148816A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410192756.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/064
CPC classification number: H01S3/10 , H01L21/00 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , B23K26/046 , B23K26/38 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。
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公开(公告)号：CN101890579B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010185045.2
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/67092 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种器件加工方法，其能够提高器件的抗弯强度。该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823594A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110642440.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明提供器件的制造方法，能够抑制从基板剥离时对光器件层造成损伤。器件的制造方法包含：带粘贴步骤(101)，在光器件晶片的光器件层的正面上粘贴具有伸缩性的带；分割起点形成步骤(102)，将聚光点定位于光器件层的内部而照射对于光器件层具有透过性的波长的激光束，从而形成分割起点；缓冲层破坏步骤(103)，从光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而将缓冲层破坏；剥离步骤(104)，将外延基板从光器件层剥离；以及分割步骤(105)，通过对带施加外力而沿着分割起点将光器件层分割。
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公开(公告)号：CN113618524A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110489815.0
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置，该磨削装置能够对磨削磨轮的基台进行清洗。磨削装置具有超声波清洗单元。超声波清洗单元包含：一对侧壁，它们围绕基台和磨削磨具的内侧和外侧；底面，其连接一对侧壁；喷射口，其形成于侧壁或底面的至少任意一方，朝向基台或磨削磨具的至少任意一方喷射清洗液；清洗液提供部，其向喷射口提供清洗液；超声波振子，其对从清洗液提供部提供的清洗液赋予超声波；以及电力提供部，其对超声波振子施加电力。
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公开(公告)号：CN111590222A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010098917.5
申请日：2020-02-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/346
Abstract: 提供制造片和框体中的至少任意一方的方法，抑制在与该任意一方对应的区域内产生碎裂。该方法是对板状的被加工物进行加工而制造规定的形状的片和从被加工物分割了片而得的框体中的至少任意一方的方法，其中，该方法具有如下的步骤：盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的正面侧沿着被加工物的分割预定线照射激光束，从而沿着分割预定线形成分别具有细孔和围绕细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体对被加工物施加超声波，从而将沿着分割预定线形成的多个盾构隧道破坏而从被加工物分割片。
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公开(公告)号：CN110648906A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910525334.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 武田昇
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。该晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而照射脉冲激光束，沿着分割预定线形成由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对晶片赋予外力，沿着分割预定线对形成有保护通道的晶片进行分割，脉冲激光束具有沿着与分割预定线平行的方向的两个以上的聚光点，聚光点间的距离小于3μm。
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公开(公告)号：CN110039204A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910018345.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 提供被加工物的激光加工方法，即使是较厚的被加工物也能够保证良好的分割性并且能够高效地进行分割。该方法包含如下步骤：第1盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质构成的多个盾构隧道；聚光区域位置变更步骤，在该被加工物的厚度方向上变更向该被加工物照射的脉冲激光束的聚光区域的位置；以及第2盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该脉冲激光束的入射方向以与该第1盾构隧道并排的方式形成第2盾构隧道。
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