公开(公告)号：CN108140735B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201680056492.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇津恒 ,  日野将志 ,  市川满 ,  三岛良太 ,  目黑智巳 ,  山本宪治

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及

公开(公告)号：CN108140735A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056492.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇津恒 ,  日野将志 ,  市川满 ,  三岛良太 ,  目黑智巳 ,  山本宪治

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0725

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01G9/2009 ,  H01L31/028 ,  H01L51/44 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7以及

公开(公告)号：CN103119727B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180045445.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉见雅士 ,  市川满 ,  宇都俊彦 ,  山本宪治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

公开(公告)号：CN105830173A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201580003181.6

申请日：2015-01-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 口山崇 ,  早川弘毅 ,  上田拓明 ,  元原裕二 ,  山本宪治

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L33/42 ,  C23C14/024 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。

公开(公告)号：CN103329281B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280003725.5

申请日：2012-08-09

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 足立大辅 ,  山本宪治 ,  乔斯·路易斯埃尔南德斯 ,  尼克·巴尔克斯

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0445 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块。本发明的太阳能电池在光电转换部（50）的一个主面上具有集电极（7）。集电极（7）从光电转换部（50）侧依次包含第一导电层（71）和第二导电层（72），且在第一导电层（71）与上述第二导电层（72）之间包含绝缘层（9）。第一导电层（71）含有低熔点材料，第二导电层（72）的一部分介由例如绝缘层的开口，与第一导电层（71）导通。优选第二导电层是利用镀覆法形成的。另外，为了导通第一导电层和第二导电层，优选在第二导电层形成前实施利用了加热的退火，在绝缘层形成开口部。

公开(公告)号：CN102473750A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030021.8

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 足立大辅 ,  吉河训太 ,  山本宪治

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的是提供即使在硅晶体基板的厚度小的情况下也能抑制基板的翘曲，还具有高光电转换效率的异质结型太阳能电池。晶体硅基板1的厚度为50μm～200μm，至少在光入射侧主面具有凹凸结构。光入射侧透明导电层4的光入射侧表面具有凹凸结构。优选光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的高低差小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的高低差，并且光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的间隔小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的间隔。优选光入射侧透明导电层4具有厚度为300nm～2500nm的氧化锌层，并且氧化锌层含有在(10-10)面、(11-20)面或(10-11)面方向优先取向的六方晶体氧化锌。

公开(公告)号：CN1826699B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200480021059.3

申请日：2004-07-12

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 泽田彻 ,  小井洋平 ,  佐佐木敏明 ,  吉见雅士 ,  后藤雅博 ,  山本宪治

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。

公开(公告)号：CN100355091C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03808022.2

申请日：2003-04-02

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉见雅士 ,  末崎恭 ,  山本宪治

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底(1)上形成至少一个光电转换单元(3)；将具有该光电转换单元(3)的衬底(1)从膜沉积系统取出到空气中；衬底(1)被插入膜沉积系统中，并且在氢气以及包含与衬底(1)上的光电转换单元(3)的最高导电型层(33)相同类型的导电型确定杂质元素的气体的混合环境中，衬底(1)经过等离子暴露；通过附加供应半导体材料气体给膜沉积系统，形成导电型中间层(5)；然后形成下一个光电转换单元(4)。

公开(公告)号：CN114649441A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111551835.2

申请日：2021-12-17

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 藤本贵久 ,  浅谷刚 ,  足立大辅 ,  山本宪治

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。

公开(公告)号：CN107210331B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201680004706.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 河崎勇人 ,  吉河训太 ,  中野邦裕 ,  小西克典 ,  山本宪治

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具有n型半导体层(6)及p型半导体层(7)。n型半导体层以横跨设置有p型半导体层的p型半导体层形成区域上的一部分和未设置p型半导体层的p型半导体层非形成区域的方式设置。在p型半导体层形成区域上的设置有n型半导体层的区域中，在p型半导体层和n型半导体层之间设置有保护层(8)。保护层具备与p型半导体层相接设置的基底保护层(8b)和设置于基底保护层上的绝缘层(8a)。基底保护层包含本征硅基层及n型硅基层的任一种。