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公开(公告)号：CN105448374A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN103035310B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210579813.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、在衬底上外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理，有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN103033276A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN103021492A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580215.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。
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公开(公告)号：CN107884876B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201711411832.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115066061A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210868530.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 长安大学
IPC: H05B45/50 , H05B45/30 , H05B45/10 , H05B47/165 , H05B47/105 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 一种基于深度学习的LED健康监测系统及方法，包括中央控制模块、LED驱动模块、LED照明模块、状态监测模块、天气传感模块、人机交互模块和深度学习模块、显示预警模块；LED驱动模块、天气传感模块、人机交互模块、显示预警模块和深度学习模块均连接到中央控制模块；LED驱动模块连接LED照明模块，LED照明模块和中央控制模块之间设置有状态监测模块；本发明对LED照明系统的多个特性参数进行监测，可以同时反映LED光源和电源的健康状态。本发明采用深度学习方法，建立LED在不同室温、电流下的电学特性，可以精确反映不同工作状态下LED的电学特性，为健康状态监测提供参考。
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公开(公告)号：CN110556193B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810130366.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm‑147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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公开(公告)号：CN110556192A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810129786.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pm-147碳化硅缓变PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，P型SiC外延层，P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm-147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm-147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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公开(公告)号：CN107884876A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711411832.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。
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公开(公告)号：CN105448376B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786195.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
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