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21.发明授权
公开(公告)号：KR101078812B1
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100018980
申请日：2010-03-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: B29C33/38 , B29D11/00 , H01L21/302
Abstract: 본명세서에서는비구면형태의실리콘몰드, 마이크로렌즈어레이및 상기실리콘몰드와마이크로렌즈어레이를제조하는방법을제공한다. 본명세서의일 실시예에따른비구면형태의실리콘몰드를제조하는방법은기판의일면에산화막을증착하고, 상기증착한산화막에포토레지스트를도포하는단계, 상기도포된포토레지스트에소정의간격을가지도록패터닝하여포토레지스트마스크를형성하는단계, 상기패터닝된포토레지스트마스크에대하여소정의전해질용액으로에칭하는단계, 및상기에칭이완료된기판의산화막을제거하는단계를포함하며, 상기전해질용액은 HF와 DMSO가포함되어있는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020110099948A
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：KR1020100018980
申请日：2010-03-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: B29C33/38 , B29D11/00 , H01L21/302
CPC classification number: B29C33/3842 , B29D11/00019 , B29D11/0048 , B29K2883/00 , H01L21/3063
Abstract: 본 명세서에서는 비구면 형태의 실리콘 몰드, 마이크로 렌즈 어레이 및 상기 실리콘 몰드와 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법을 제공한다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 비구면 형태의 실리콘 몰드를 제조하는 방법은 기판의 일면에 산화막을 증착하고, 상기 증착한 산화막에 포토 레지스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 포토 레지스트에 소정의 간격을 가지도록 패터닝하여 포토 레지스트 마스크를 형성하는 단계, 상기 패터닝된 포토 레지스트 마스크에 대하여 소정의 전해질 용액으로 에칭하는 단계, 및 상기 에칭이 완료된 기판의 산화막을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 전해질 용액은 HF와 DMSO가 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101043598B1
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020080104662
申请日：2008-10-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 일 실시 예에 의한 FET 형 바이오 센서는 회로 기판 상에 배치되고 소스, 드레인 및 게이트를 포함하는 전계효과트랜지스터(FET)를 포함한다. 또한, FET 형 바이오 센서는 바이오 물질을 감지할 수 있는 금속막을 포함하는 전극판 및 상기 회로 기판 상에 배치되고 상기 전극판을 부착 및 탈착시킬 수 있는 전극판 소켓을 포함한다. 상기 전극판 소켓 내에 부착되는 전극판과 상기 FET의 게이트는 서로 전기적으로 연결된다.
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公开(公告)号：KR101027493B1
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020090131472
申请日：2009-12-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A solar cell using a wire array and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of the solar cell at a wide temperature range by preventing the recombination of carriers at low and high temperatures by minimizing a moving distance of minority carriers. CONSTITUTION: A substrate(300) and a wire(312) are formed on a wire array. A transparent electrode layer(320) is formed on the surface of the wire array. A filling layer(330) made of insulation materials fills a space between wires with the transparent electrode layer. A top transparent electrode layer(340) is formed on the upper surface of the filling layer. A top electrode(350) is formed on the upper surface of the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用导线阵列的太阳能电池及其制造方法，通过使少数载流子的移动距离最小化，能够防止在低温高温下载流子的复合，从而提高太阳能电池在宽温度范围内的效率。 构成：在线阵列上形成衬底（300）和线（312）。 在导线阵列的表面上形成透明电极层（320）。 由绝缘材料制成的填充层（330）填充导线与透明电极层之间的空间。 顶部透明电极层（340）形成在填充层的上表面上。 顶部电极（350）形成在透明电极层的上表面上。
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25.发明公开전착법을 이용한 금속산화물이 담지된 탄소나노섬유 전극 제조방법 및 이를 이용한 에너지 저장장치 및 필터 有权使用电沉积方法的金属氧化物担载碳纳米纤维电极的制造方法和能量储存装置以及使用其的过滤器
公开(公告)号：KR1020160033843A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020140124313
申请日：2014-09-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M4/64 , B01D39/14
CPC classification number: H01M4/1391 , B01D39/00 , B01D39/14 , D01F9/22 , D01F9/28 , D04H1/728 , H01M4/1393 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M4/64 , H01M8/02
Abstract: 본발명은탄소나노섬유를제조하는단계; 상기탄소나노섬유의표면을활성화하는단계; 상기활성화된탄소나노섬유를전착수용액내에침적시키는단계; 상기활성화된탄소나노섬유상에전착법으로금속산화물의층을전착하는단계; 및상기금속산화물의층이전착된탄소나노섬유를열처리하는단계를포함하는금속산화물이담지된탄소나노섬유전극의제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법은탄소나노섬유전극을비교적간단한공정으로단시간에합성하는방법을제공하며, 이에따라제조된탄소나노섬유전극은높은충방전용량, 강도및 전도성을가진다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用金属氧化物层负载的碳纳米纤维电极的制造方法，包括以下步骤：制造碳纳米纤维; 活化碳纳米纤维的表面; 将活性炭纳米管浸入电沉积溶液中; 通过电沉积方法将金属氧化物层沉积在活性炭纳米管上; 并用热处理金属氧化物层电沉积的碳纳米管。 本发明提供了一种通过相对简单的方法在短时间内合成碳纳米纤维电极的方法。 通过本发明的方法制造的碳纳米纤维具有高的充放电能力，强度和导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101589458B1
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020130120240
申请日：2013-10-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M10/058 , H01M4/62
Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.
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27.发明公开
公开(公告)号：KR1020150041818A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：KR1020130120240
申请日：2013-10-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M10/058 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/058
Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有导电性优异的金属颗粒的硅纳米线，其制造方法，使用该硅纳米线的硅系负极活性物质的制造方法以及锂二次电池的制造方法 使用方法。 根据本发明的包含通过使用其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线制造的硅基负极活性材料的锂二次电池保持其高容量并且具有改善的循环寿命，并且可以高速充电和排出。 根据本发明的用于制造其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线的方法包括以下步骤：（a）在硅衬底上形成彼此间隔开的第一金属颗粒; （b）选择性地蚀刻硅衬底以形成硅纳米线; （c）去除第一金属颗粒; （d）在所述硅纳米线上形成彼此间隔开的第二金属颗粒; 和（e）从硅衬底分离硅纳米线与其上形成的第二金属颗粒。
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公开(公告)号：KR1020140047762A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020120113536
申请日：2012-10-12
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a CIGS light absorbing layer. According to one embodiment of the present invention, the method of manufacturing a CIGS light absorbing layer includes a step of forming a CIGS thin film; a selenization step; and a thermal treatment step. According to one embodiment of the present invention, the CIGS thin film is formed on a substrate by using a selenium precursor solution. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Forming a CIGS thin film on a substrate in a solution method; (S20) Selenizing the CIGS thin film in the solution method; (S30) Thermal treatment in a nitrogen atmosphere chamber
Abstract translation: 本发明涉及一种制造CIGS光吸收层的方法。 根据本发明的一个实施例，制造CIGS光吸收层的方法包括形成CIGS薄膜的步骤; 硒化步骤 和热处理步骤。 根据本发明的一个实施方案，通过使用硒前体溶液在基底上形成CIGS薄膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）溶液法在基板上形成CIGS薄膜; （S20）溶液法对CIGS薄膜进行硒化处理; （S30）氮气氛下的热处理
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公开(公告)号：KR101328148B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020110120242
申请日：2011-11-17
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/1395 , H01M10/05
Abstract: 기판; 및 상기 기판 위에 배치된 실리콘 미세구체들의 어레이를 포함하되, 상기 실리콘 미세구체들은 속이 비어 있는 구조를 갖는 다공성 실리콘 구조체가 제공된다.
Abstract translation: 目的：提供硅结构以具有中空结构和高孔隙率，从而释放在充放电期间产生的应力并具有高循环性能和容量。 构造：多孔硅结构（100）包括衬底（110）; 以及布置在基底上的硅微球的阵列（120）。 硅微球具有中空结构。 多孔硅结构的制造方法包括通过使聚合物微球自对准而形成球形聚合物膜的步骤; 通过用硅涂覆球形聚合物膜形成多孔硅膜的步骤; 以及通过除去聚合物微球形成中空硅球（！25）的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130009997A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020127027886
申请日：2012-04-20
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a refractive index in comparison with an antireflection layer of a thin film structure by applying zinc oxide of a nanorod structure with an air gap to an antireflection layer of a silicon solar cell. CONSTITUTION: A light absorption layer(210) includes silicon doped with a P type or N type. An emitter layer(220) includes silicon with opposite conductive type to the light absorption layer. A first electrode(230) is formed on the lower side of the light absorption layer. A second electrode is formed on a part of the emitter layer. An antireflection layer(250) includes a fine structure(221) of a microsize and an ultra fine structure(251) of a nanosize.
Abstract translation: 目的：提供硅太阳能电池及其制造方法，通过将具有气隙的纳米棒结构的氧化锌应用于硅太阳能电池的防反射层，与薄膜结构的抗反射层相比减小折射率 。 构成：光吸收层（210）包括掺杂有P型或N型的硅。 发射极层（220）包括与光吸收层相反的导电类型的硅。 第一电极（230）形成在光吸收层的下侧。 第二电极形成在发射极层的一部分上。 抗反射层（250）包括微尺寸的精细结构（221）和纳米尺寸的超细结构（251）。
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