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公开(公告)号：WO2021010555A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/KR2020/000302
申请日：2020-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 벌크이종접합 구조의 태양전지용 활성층에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명에 따른 활성층은 정공수송물질(HTM)과 전자수송물질(ETM)의 벌크이종접합 구조 내에 페로브스카이트 입자가 분포됨으로 인하여, 태양전지의 광전변환 효율을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2019066411A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/011258
申请日：2018-09-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 마이크로 발광소자의 p형 반도체층의 위에 형성되는 투명 전극층과, 투명 전극층의 위에 형성되고 마이크로 발광소자의 활성층으로부터 발광되어 투명 전극층을 통해 유입되는 빛을 반사하는 절연체이며 그 내부에는 상기 투명 전극층과 p형 전극층을 연결하는 전도성 필라멘트가 포함된 반사층 및 반사층의 위에 형성되고 반사층의 전도성 필라멘트를 통해 투명 전극층에 전기적으로 연결되는 p형 전극층을 구비함으로써, 종래의 일반적인 금속 전극에 비해 향상된 반사 효율을 가지면서 전도성도 우수한 반사 전극을 제공할 수 있고, 특히, 자외선(UV) 영역에서의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2016175458A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/KR2016/003093
申请日：2016-03-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광 소자 또는 수광 소자를 포함하는 기판 위에 나노 사이즈의 물질로 네트워크를 형성하고, 네트워크의 일부가 잠기도록 패턴층을 형성한 후, 패턴층에서 네트워크를 형성하는 나노 물질을 제거함으로써, 패턴층에 나노 사이즈의 패턴을 형성하고, 그 위에 금속을 증착한 후 패턴층을 제거함으로써, 기판위에 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 사진 식각 공정을 이용하는 메탈 메쉬 형성 방법에 비하여 간단한 공정으로 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 소망하는 메탈 메쉬의 선폭에 대응되는 폭을 갖는 나노 물질을 이용함으로써 용이하게 메탈 메쉬의 선폭을 조절할 수 있어, 간단하게 시인성 문제와 모아레(Moire) 현상을 해결 할 수 있다.
Abstract translation: 本发明能够：在包括发光元件或光接收元件的基板上由纳米尺寸材料形成网络; 要形成网状部分的图案层，然后形成用于形成从图案层去除的网络的纳米材料，从而形成在图案层上形成的纳米尺寸图案; 以及在金属沉积在图案上之后要除去的图案层，从而在基板上形成具有纳米线宽度的金属网。 因此，与通过使用常规的光刻工艺形成金属网的方法相比，本发明可以通过简单的工艺形成具有纳米线宽度的金属网，并且还可以通过以下方式容易地调整金属网的线宽 使用具有对应于金属网的期望线宽度的宽度的纳米材料，使得能够简单地解决可见性问题和莫尔条纹现象。
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公开(公告)号：WO2015034276A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/KR2014/008295
申请日：2014-09-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , B82Y10/00 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되고 일정한 직경을 갖는 나노 입자를 하부 전극위에 균일하게 배치하여 저항 변화층을 형성하고, 나노 입자 내부에 전도성 필라멘트를 형성함으로써, 저항 변화층에 균일하게 전도성 필라멘트를 형성하여, 보다 신뢰성 있는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 일정한 직경을 갖는 나노 입자를 하부 전극 위에 균일하게 배치하고 그 사이를 저항 변화 물질로 채운 저항 변화층을 형성함으로써, 전도성 필라멘트를 균일하게 배치된 나노 입자들 사이에 균일하게 형성하여, 보다 신뢰성 있는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器及其制造方法。 本发明可以提供一种由电阻可变材料制成的电阻可变非易失性存储器件，通过在下电极上均匀排列具有预定直径的纳米颗粒形成电阻变化层，并形成导电 使得导电丝均匀地形成在电阻变化层上，从而确保更高的可靠性。 此外，本发明可以提供一种电阻可变非易失性存储装置，其中具有预定直径的纳米颗粒均匀地排列在下电极上，并且在它们之间形成填充有电阻变化材料的电阻变化层， 使得在均匀排列的纳米颗粒之间均匀地形成导电丝，从而确保更高的可靠性。
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公开(公告)号：WO2014104517A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/KR2013/006802
申请日：2013-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 반도체 발광 소자에 적용될 수 있는 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역에서 투과도가 뛰어나 물질(예컨대, Ga 2 O 3 )과 전기전도도가 뛰어난 물질(예컨대, ITO)을 함께 스퍼터링하여 단일층의 투명 전극을 형성함으로써, 각각의 물질 단독으로 투명 전극을 형성하거나, 각각의 물질은 순차적으로 증착하여 2개의 층으로 투명 전극을 형성하는 경우보다, 자외선 영역에서의 광투과도 및 전기전도도가 모두 뛰어난 투명전극을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成可应用于半导体发光元件的透明电极的方法和通过使用它形成的透明电极。 根据本发明，通过紫外线区域的导电性优异的材料（例如ITO）溅射具有优异透射率的材料（例如Ga 2 O 3），形成单个透明电极层。 因此，与使用各种材料形成透明电极的情况相比，透明电极可以在紫外线区域同时形成为具有优异的光透射率和优异的导电性，并且透明电极为 通过顺序沉积相应的材料形成两层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011149163A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/KR2010/008326
申请日：2010-11-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김동호
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: 본 발명은 질화물 기반 LED 소자의 광추출 효율을 향상시키고, 아울러 지향각 제어를 가능하게 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 질화물 반도체층 상에 경사면을 갖는 복수의 돌출부가 어레이 형태로 형성되고, 상기 복수의 돌출부가 각각 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 적층된 투명도전막으로 구성되며, 상기 복수의 투명도전막의 굴절률은 상기 질화물 반도체층의 굴절률과 공기층의 굴절률 사이에서 단계적으로 감소하는 값을 갖도록 형성한다. 따라서, 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 투명전극이 경사형 구조가 되어 광추출 효율을 극대화함과 아울러 칩의 표면에서 발생하는 스캐터링 효과를 방지하면서 광의 지향성을 최대한 광출력면으로 향하도록 하여 반도체 발광소자의 광출력 효율 및 전기/광학적 특성이 대폭 향상되는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 여타의 연구결과들에 비해 공정이 매우 간단하여 공정단가를 절감할 수 있고, 아울러 표면조화 공정이 필요하지 않기 때문에 공정이 단순해지고 반도체 발광소자가 손상되는 것을 방지할 수 있어 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及提高氮化物类LED元件的光提取效率的半导体发光元件，并且还能够控制方向角，并且涉及其制造方法。 在本发明的半导体发光元件中，在氮化物半导体层上形成具有倾斜面的多个突出部，其中，所述多个突出部中的每一个包括多个彼此相互层叠的透明导电膜 不同的折射率，并且多个透明导电膜的折射率在氮化物半导体层的折射率与空气层的折射率之间的步骤减小。 因此，具有相互不同的折射率的多个透明电极具有倾斜结构以使得光提取效率最大化并且还防止在芯片表面发生的散射效应的同时具有有益效果 光的朝向朝向最大光输出表面，使得半导体发光元件的光输出效率和电/光特性得到显着改善。 此外，根据本发明的半导体发光元件制造方法具有有利的效果，因为与迄今为止的其它研究结果相比，处理非常简单，因此加工成本可以降低，并且也不需要表面 可以简化粗化工艺，因此加工，可以防止对半导体发光元件的损坏，能够提高半导体发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：WO2022196875A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/KR2021/011589
申请日：2021-08-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 멤리스터를 이용하여 발광소자를 제어하는 디스플레이 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 발광 소자를 포함하도록 구성되는 발광부; 멤리스터를 포함하며, 상기 발광부를 구동시키도록 구성되는 구동부; 및 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하며, 스캔 전압에 따라 데이터 전압을 상기 구동부로 인가할지 여부를 결정하도록 구성되는 스위칭부를 포함하는, 디스플레이 구동 장치가 제공될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018101573A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/008011
申请日：2017-07-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 발광 소자 디스플레이 장치는, 제 1 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 1 접촉 전극 및 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 2 접촉 전극에 의해서 인접하는 발광 소자들과 서로 연결되는 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 소자 어레이로 구성된다. 이 때, 제 1 접촉 전극과 발광 소자 사이에 또는 제 2 접촉 전극과 발광 소자 사이에, 저항 변화 물질로 구성되는 스위칭 소자 또는 스위칭 영역을 형성하고, 제 1 접촉 전극과 제 2 접촉 전극 사이에 안가되는 전압을 조절하여, 각 스위칭 소자 또는 스위치 영역의 저항 상태(스위치 온/스위치 오프)를 변경 및 저장할 수 있다. 따라서, 본 발명은 제 1 접촉 전극 및 제 2 접촉 전극 간에 인가되는 전압을 조절하여 스위칭 소자 또는 스위칭 영역의 저항 상태를 변경하는 것만으로 발광 소자 어레이를 구동이 가능하므로, 저전력 및 저비용으로 디스플레이의 구동이 가능하고, 종래 기술의 발광 소자 어레이를 플립 칩 방식으로 CMOS 기판위에 접합하면서 발생하는 bump 메탈의 열적 안정성 문제 및 misalign 문제를 해소하였다.
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29.发明申请
公开(公告)号：WO2016178478A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/KR2016/002996
申请日：2016-03-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극 형성 방법은, 투명전극으로 가장 널리 사용되는 ITO 투명 전극 위에 Indium보다 주기율표상의 주기가 낮은 금속을 이용하여 금속층을 형성하고 열처리를 통해서 금속층을 구성하는 금속들을 ITO 투명 전극 내부로 침투시켜 유효 밴드갭을 확장시킴으로써, 투명 전극의 투과도를 자외선 영역으로 확장시킴과 동시에, ITO 투명 전극 내부에 침투한 금속이 전체 투명 전극의 전도도를 향상시키는 효과가 있다. 이러한 본 발명의 투명 전극 형성 방법은 종래의 투명 전극 형성 공정에, 복잡한 패터닝이나 에칭 공정을 추가함 없이, 단순한 금속층을 형성하는 공정과 열처리 공정을 추가하는 것 만으로도 투명 전극의 투과도 및 전도도를 향상시킬 수 있어, 현재 상용화된 투명 전극 형성 공정에 바로 적용이 가능한 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种形成透明电极的方法。 根据本发明的优选实施方式的形成透明电极的方法在通过在周期表中低于铟的时期内使用金属的ITO透明电极上形成最广泛使用的透明电极的金属层， 以及通过热处理形成金属层的渗透金属到ITO透明电极中以扩大有效带隙，从而具有将透明电极的透射率扩大到紫外线范围的效果，同时提高导电性 透明电极由透过ITO透明电极的金属构成。 这种形成本发明的透明电极的方法可以通过仅添加形成金属层的简单工艺和热处理工艺来改善透明电极的透射率和导电性，而不需要增加形成透明电极的常规工艺 复杂的图案化或蚀刻工艺，从而具有直接应用于商业化的透明电极形成工艺的优点。
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公开(公告)号：WO2015002473A1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：PCT/KR2014/005930
申请日：2014-07-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 본 발명은 이미지 센서용 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일측면과 상기 일측면으로부터 이격되는 타측면을 가지며, 상기 일측면에 패드가 구비된 웨이퍼; 상기 패드 상에 형성되는 캐비티 격벽층; 및 상기 캐비티 격벽층과 결합되는 커버 글라스 기판을 포함하되, 상기 캐비티 격벽층은 상기 웨이퍼의 상기 일측면에 드라이 필름을 이용하여 포토리소그래피 공정으로 형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于图像传感器的晶片级封装及其制造方法，其中封装包括：晶片，其具有一个侧表面，另一侧与一个侧表面间隔开;以及焊盘， 一面 形成在所述垫上的空腔分隔层; 以及耦合到所述空腔隔离层的盖玻璃基板，其中通过使用干涉膜通过光刻工艺在所述晶片的一个侧表面上形成所述空腔隔离层。
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