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公开(公告)号：KR1020120080341A
公开(公告)日：2012-07-17
申请号：KR1020110001729
申请日：2011-01-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G09G3/3446 , G02F1/167 , G02F2001/1676 , G09G3/20
Abstract: PURPOSE: A device for driving an electric field driving cell array and a method thereof are provided to efficiently drive an electric field driving cell array including an electric field driving cell. CONSTITUTION: An electric field driving cell(10) comprises first to third electrodes(200,300.400) and a driver(100). The first to third electrodes are insulated each other on a substrate. The driver can move between the first electrode and the second electrode. The first electrode is separated from the second electrode as much as a set distance. The third electrode is arranged in a lower part of the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于驱动电场驱动单元阵列的装置及其方法，以有效地驱动包括电场驱动单元的电场驱动单元阵列。 构成：电场驱动单元（10）包括第一至第三电极（200,300,400）和驱动器（100）。 第一至第三电极在基板上彼此绝缘。 驱动器可以在第一电极和第二电极之间移动。 第一电极与第二电极分开多达设定的距离。 第三电极布置在第一电极的下部。
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公开(公告)号：KR1020110016347A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090074008
申请日：2009-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50 , H01L21/203
CPC classification number: H01L21/02689 , H01L23/145 , H01L51/0008 , H01L51/442 , H01L2251/558
Abstract: PURPOSE: An electron material layer forming method, an electron device manufacturing method using the same, and an apparatus thereof are provided to obtain the electron material layer of high quality by forming the unit electron material layer through the neutral particle beam of the solid element. CONSTITUTION: A sputtering device(202) is included within a plasma chamber(200). A neutral particle beam apparatus(500) having a neutral particle beam chamber(501) is arranged on the upper part of the plasma chamber. A metallic reflector(502) biased to the predetermined negative pressure is arranged within the neutral particle beam chamber.
Abstract translation: 目的：提供电子材料层形成方法，使用该电子材料层形成方法的电子器件制造方法及其装置，以及通过固体元件的中性粒子束形成单位电子材料层来获得高质量的电子材料层。 构成：溅射装置（202）包括在等离子体室（200）内。 具有中性粒子束室（501）的中性粒子束装置（500）布置在等离子体室的上部。 偏置到预定负压的金属反射器（502）布置在中性粒子束室内。
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公开(公告)号：KR1020160042828A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020160012131
申请日：2016-02-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/425 , H05H1/46
Abstract: 본발명은중성입자빔발생장치를이용하여비휘발성메모리박막트랜지스터를제조하는방법에관한것으로, 기판위에게이트전극과상기게이트전극위에제1 게이트절연막을형성하는단계; 챔버내에, 상기제1 게이트절연막이형성된기판을배치하는단계; 상기챔버내에, 가스공급구를통해플라즈마생성을위한불활성가스및 수소플라즈마발생을위한수소가스를공급하는단계; 상기챔버에서생성된수소플라즈마이온이리플렉터와충돌하여수소중성입자로변환되는단계; 상기수소중성입자가상기제1 게이트절연막에조사되어모바일프로톤이형성되는단계; 및상기모바일프로톤이형성된상기제1 게이트절연막위에제2 게이트절연막을증착하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 기존의장시간(수십분이상) 및고온(600℃이상)의수소열처리공정대신, 중성입자빔발생장치를이용하여비교적저온(20℃이상 300℃이하)에서단시간(10분) 내에모바일프로톤을형성하여비휘발성메모리박막트랜지스터를제조하기때문에, 유리기판이나플라스틱필름과같은기판을박막형트랜지스터제조에이용할수 없어제품적용에제약이존재하였던문제를해결해준다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用中性粒子束产生装置制造非易失性存储薄膜晶体管的方法。 该方法包括：在基板上形成栅极的步骤和栅电极上的第一栅极绝缘膜; 在室中放置已经形成有第一栅极绝缘膜的基板的步骤; 提供惰性气体以产生等离子体和氢气以通过气体供应出口向室内产生氢等离子体的步骤; 在室中产生的氢等离子体离子与反射器相撞并转变为中性氢颗粒的步骤; 中性氢颗粒辐射到第一栅极绝缘膜上并因此形成移动质子的步骤; 以及在其上形成有移动质子的第一栅极绝缘膜上沉积第二栅极绝缘膜的步骤。 本发明通过使用产生中性粒子束的短时间（10分钟）内的相对较低的温度（20℃以上且300℃以下）形成移动质子来制造非挥发性记忆薄膜晶体管 装置，而不是采用需要长时间（几十分钟或更长时间）和较高温度（600℃或更高）的现有氢热处理方法。 因此，本发明解决了不能用于制造薄膜晶体管的诸如玻璃基板和塑料膜的基板的问题，因此受到可应用基板的产品的限制。
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公开(公告)号：KR101455600B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020070135486
申请日：2007-12-21
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0006 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/105
Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이에 전기화학적 코팅법으로 형성된 유기물 완충층이 형성되어 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성을 향상시키고, 소스/드레인 전극에서 유기 반도체층으로의 캐리어 주입능력을 높여 트랜지스터의 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터, 유기물 완충층, 티오펜계 화합물, 아센-티오펜계 화합물, 전기화학적 코팅-
公开(公告)号：KR101145343B1
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020090074008
申请日：2009-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50 , H01L21/203
Abstract: 스퍼터링을 기반으로 하는 전자, 전기 소자용도의 박막의 형성방법에 관해 기술된다. 기판이나 기판상에 형성된 하부 적층 또는 구조물을 플라즈마에 의한 손상으로부터 보호할 수 있으면서도 양질의 전기/물질적 특성을 가지는 막질을 얻을 수 있다. 대상물질로서는 도전성, 반도체, 저항성 물질이 포함될 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질이 포함될 수 있다. 증착법은 스퍼터링에 의한 단위 전자 물질막 또는 단위 전극층 형성과 비반응성 원소로부터 얻어진 중성 입자빔에 의한 단위 전자 물질막 또는 전극층의 표면처리를 포함 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120016421A
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020100078762
申请日：2010-08-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C23C16/44 , B05D1/62 , C23C14/086 , C23C14/22 , C23C14/225 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C16/00 , C23C16/22 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3417 , H01J37/347 , H01J2237/332 , H01L51/5256
Abstract: PURPOSE: A gas barrier forming apparatus and method are provided to secure high productivity and low costs by evaporating a liquid material for a polymer organic film and selectively forming an organic film on a substrate. CONSTITUTION: A gas barrier forming apparatus(100) comprises a vacuum chamber(50), a holding unit(30), a neutral particle beam generator(10), and co-sputtering units(20). The vacuum chamber provides a space for a CVD(Chemical Vapor Deposition) process and a sputtering process. The holding unit is arranged in the lower part of the vacuum chamber. An object(31) is installed on the holding unit and a bas barrier is formed on the object. The neutral particle beam generator is arranged in the upper part of the vacuum chamber and generates neutral particle beams. The co-sputtering units are arranged on both sides of the neutral particle beam generator and have sputtering targets(21) that are installed oblique to the object.
Abstract translation: 目的：提供一种气体阻挡层形成装置和方法，通过蒸发聚合物有机膜的液体材料并在基板上选择性地形成有机膜来确保高生产率和低成本。 构成：气体阻挡层形成装置（100）包括真空室（50），保持单元（30），中性粒子束发生器（10）和共溅射单元（20）。 真空室为CVD（化学气相沉积）工艺和溅射工艺提供了一个空间。 保持单元布置在真空室的下部。 物体（31）安装在保持单元上，并且在该物体上形成基底屏障。 中性粒子束发生器布置在真空室的上部，并产生中性粒子束。 共溅射单元布置在中性粒子束发生器的两侧，并且具有倾斜安装在物体上的溅射靶（21）。
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公开(公告)号：KR101024631B1
公开(公告)日：2011-03-25
申请号：KR1020090024094
申请日：2009-03-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 신비앤텍 주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 미세 결정질 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 기판을 플라스마 방전 공간에 배치하는 단계, 상기 플라스마 방전 공간에 상기 게이트 절연막 또는 상기 미세 결정질 반도체를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌시켜 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
미세 결정질 반도체, 플라스마, 기상화학증착, 스퍼터링, 중성 입자, 박막-
公开(公告)号：KR1020110015266A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090072903
申请日：2009-08-07
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01B3/36
CPC classification number: H01L51/052 , H01B3/36
Abstract: PURPOSE: An organic insulation film composition and an organic thin film transistor using the same are provided to reduce hysteresis by forming a gate insulation layer through a low temperature curing process when an organic thin film transistor is driven. CONSTITUTION: An organic insulation film composition includes novolak resin, cross-linking agents, a photoinitiator, and solvents. The organic insulation film composition is coated on a base material and is softly baked. The organic insulation film composition is optically cured by light irradiation and then is thermally processed. A pattern is formed by developing the organic insulation film composition with developers after the light irradiation. An organic thin film transistor includes a gate insulation layer(3), an organic semiconductor layer(6), and an electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供有机绝缘膜组合物和使用其的有机薄膜晶体管，以在驱动有机薄膜晶体管时通过低温固化工艺形成栅极绝缘层来减小滞后。 构成：有机绝缘膜组合物包括酚醛清漆树脂，交联剂，光引发剂和溶剂。 将有机绝缘膜组合物涂覆在基材上并轻轻烘烤。 有机绝缘膜组合物通过光照射光学固化，然后进行热处理。 通过在光照射后用显影剂显影有机绝缘膜组合物形成图案。 有机薄膜晶体管包括栅极绝缘层（3），有机半导体层（6）和电极层。
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公开(公告)号：KR100993014B1
公开(公告)日：2010-11-08
申请号：KR1020090015909
申请日：2009-02-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극 및 기판 위에 게이트 절연막을 형성한다. 그리고 게이트 절연막 위에 수송자 주입막과, 상기 수송자 주입막 위에 각각 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 동시에 형성한다. 그리고 수송자 주입막을 포함하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 상기 게이트 전극과 중첩되는 유기 반도체 층을 형성한다.
유기박막트랜지스터, 수송자주입막, 금속산화막-
公开(公告)号：KR1020100091548A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090010783
申请日：2009-02-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167
Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to perform dynamic driving and memory driving. CONSTITUTION: The first panel(100) comprises a liquid crystal cell. A cholesteric liquid crystal is inserted into the liquid crystal cell. The cholesteric liquid crystal selectively reflects red, green, and blue lights by red, green, and blue areas. The second panel(200) is overlapped on the liquid crystal cell on the first panel. A micro cell in which a charged conduction ball is included is in the second panel. At least one electrode for driving the conduction ball is formed in the second panel.
Abstract translation: 目的：提供显示装置及其制造方法，以进行动态驱动和存储器驱动。 构成：第一面板（100）包括液晶单元。 将胆甾醇型液晶插入到液晶单元中。 胆甾型液晶选择性地将红色，绿色和蓝色区域的红色，绿色和蓝色光反射回来。 第二面板（200）重叠在第一面板上的液晶单元上。 其中包含带电传导球的微电池在第二面板中。 用于驱动导电球的至少一个电极形成在第二面板中。
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