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公开(公告)号：CN105408514B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201480042023.7
申请日：2014-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/347 , H01J37/3491 , H01J37/3497
Abstract: 本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形槽，这些圆形槽彼此间隔开；及至少一个弓状通道，该弓状通道切割穿过这些圆形槽，且从该溅射板的径向内部区域延伸至该径向外部区域。环形背板界定暴露该溅射板的背部表面的开口环。
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公开(公告)号：CN105518179B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN105463394B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510922598.4
申请日：2012-01-06
Applicant: 零件喷涂公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/354 , H01J37/3405 , H01J37/342 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01J37/3482
Abstract: 本发明涉及溅射装置。在一个实施方案中，磁控组件包括多个磁体和被配置来将所述多个磁体固定在至少四个独立的线性阵列中的磁轭。将所述多个磁体布置在所述磁轭中，以便形成包括外部和内部的模式。所述外部基本上包围所述内部的周界。用于形成所述外部的所述磁体具有第一极性，且用于形成所述内部的所述磁体具有第二极性。所述模式的所述外部包括基本上彼此平行的一对细长断面。所述模式的所述外部包括一对回车道断面，其中每个回车道断面基本上跨越所述一对细长断面的相应端，且其中每个回车道断面包括具有所述第一极性的多个磁体。在另一个实施方案中，磁控组件包括磁轭和多个磁体，所述多个磁体可配置地放置在所述磁轭上，以便形成具有至少一个梯级回车道断面的跑道模式。
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公开(公告)号：CN107201503A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710148173.1
申请日：2017-03-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
CPC classification number: C23C14/3457 , C23C14/0042 , C23C14/086 , C23C14/54 , H01J37/32449 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476 , C23C14/548 , C23C14/3492
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部(27)，向排气成基础压力的腔室(2)的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。
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公开(公告)号：CN106414792A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580009723.0
申请日：2015-02-13
Applicant: 伊瓦泰克先进科技股份公司
CPC classification number: C23C14/542 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/3492 , H01J37/20 , H01J37/347
Abstract: 在基材的基本平面延伸的表面上溅射沉积膜，所述表面在其中具有凹陷，即沟槽、洞、孔、通道、沟中的至少一种。为了一方面沿着所述基材的所述表面建立膜的均匀厚度分布和，另一方面，在凹陷内的厚膜沉积，溅射沉积首先在靶标的溅射表面与所述基材的所述表面之间的大距离进行，然后在所述表面之间的减小的距离进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105339521A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480034388.5
申请日：2014-06-30
Applicant: 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫
Inventor： 徳尼斯·库拉珀夫 , 西格弗里德·克拉斯尼策尔
CPC classification number: C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3485 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/32449 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01J37/347 , H01J37/3476 , H01J2237/006 , H01J2237/24585 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明涉及用于执行反应溅射工艺的方法，其中，与靶老化无关地保持靶溅射特性以及沉积速率恒定，或者至少在工业生产环境可接受的范围内。
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公开(公告)号：CN102906303A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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公开(公告)号：CN101445914A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179239.4
申请日：2008-12-01
Applicant: W.C.贺利氏有限公司
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/342 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/347
Abstract: 本发明涉及管靶的磁分路，尤其是涉及这样一种溅射靶，其具有载体和设置在载体上的靶材，其中，载体具有背对靶材的后表面、而靶材具有背对载体的前表面，并且在前表面和后表面之间存在铁磁性材料。该靶表现出均匀的损耗行为，而且，即使对于制造起来相对复杂的管状结构而言，也可以在无需消极地改变管结构本身的条件下改善损耗行为。
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公开(公告)号：CN101045987A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089558.1
申请日：2007-03-29
Applicant: 应用材料合资有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01J2237/3325
Abstract: 本发明涉及一种用于对衬底进行涂敷的溅射室，其中消除或至少大大减小了所谓的“图片框效应”。因此衬底边缘处的涂层厚度不再明显偏离衬底中央处的涂层厚度。这是通过用附加的惰性气体或活性气体来对引入溅射室中的一种或几种处理气体的反面效果进行平衡来实现的。从而在待涂敷的衬底边缘处以及背对阴极的衬底侧产生附加气流，所述附加气流被导向为与处理气体流相反。
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