화합물 반도체 제조 방법
    21.
    发明公开
    화합물 반도체 제조 방법 无效
    制造化合物半导体的方法

    公开(公告)号:KR1019980056154A

    公开(公告)日:1998-09-25

    申请号:KR1019960075418

    申请日:1996-12-28

    Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 소오스, 게이트 및 드레인 전극이 형성된 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 형성된 제1소오스 전극의 소정 부분에서부터 최인접된 제2소오스 전극이 상부 소정 부분에 이르는 지점까지는 덮는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴이 형성되지 않은 제1 및 제2소오스 전극의 일측 가장자리와 기판상에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 전체 상부에 선택적 증착 방법으로 금속층을 형성하는 단계; 및 에어 브릿지를 형성하기 위하여 불필요한 부분의 금속층, 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    바이스태틱 레이더의 이미징 장치 및 이미징 방법
    22.
    发明授权
    바이스태틱 레이더의 이미징 장치 및 이미징 방법 有权
    装置和方法在双向雷达成像

    公开(公告)号:KR101389516B1

    公开(公告)日:2014-05-27

    申请号:KR1020130072937

    申请日:2013-06-25

    Abstract: The present invention relates to an image device of bistatic radar and an imaging method thereof which comprises a coherent signal processing unit, a platform information input unit, an image signal processing unit, and an image outputting unit. The coherent signal processing unit receives a second signal returned after a first signal transmitted from transmission radar of bistatic radar is arrived to a target terrain in a platform of the reception radar. The coherent signal processing unit extracts range information regarding scattering points within the target terrain and coherent-processes data included in a same range bin among range profiles which are calculated using the range information. The coherent signal processing unit extracts a doppler frequency regarding the scattering points, and a reflection coefficient corresponding to the doppler frequency. The platform information input unit measures a speed vector of a reception radar platform separated from the transmission radar and extracts the moving speed and moving direction of the reception radar platform from the speed vector. An image signal processing unit extracts a coordinate of the scattering points using the doppler frequency, the reflection coefficient, the moving speed, and the moving direction. The image outputting unit outputs an image by mapping the data including the reflection coefficient and the coordinate of the scattering points to the coordinate.

    Abstract translation: 本发明涉及一种双向雷达的图像装置及其成像方法,包括相干信号处理单元,平台信息输入单元,图像信号处理单元和图像输出单元。 相干信号处理单元接收在从双向雷达的发射雷达发射的第一信号到达接收雷达的平台中的目标地形之后返回的第二信号。 相干信号处理单元提取关于目标地形内的散射点的范围信息,以及使用范围信息计算的距离轮廓中包括在相同范围bin中的相干处理数据。 相干信号处理单元提取关于散射点的多普勒频率以及对应于多普勒频率的反射系数。 平台信息输入单元测量与传输雷达分离的接收雷达平台的速度向量,并从速度向量提取接收雷达平台的移动速度和移动方向。 图像信号处理单元使用多普勒频率,反射系数,移动速度和移动方向提取散射点的坐标。 图像输出单元通过将包括反射系数和散射点的坐标的数据映射到坐标来输出图像。

    레이더 타이밍 신호 발생 방법
    23.
    发明授权
    레이더 타이밍 신호 발생 방법 有权
    RADAR信号生成定时方法

    公开(公告)号:KR101252052B1

    公开(公告)日:2013-04-12

    申请号:KR1020110135024

    申请日:2011-12-15

    Inventor: 정명득 정명수

    Abstract: PURPOSE: A radar timing signal generation method is provided to generate a desired systematic waveform by requesting a timing signal control command according to necessity without adding a separate memory into a system. CONSTITUTION: Mode and PRF SET information are received(S201) and stored(S202) through the reception of a waveform generation command. A mode according to the waveform generation command is selected(S203). A mode can be an operation mode, a maintenance mode, a test mode, and et cetera, and the number of modes is extendable. A transmission pulse is generated by applying a data application module according to the determination of a pulse stream on/off selection(S204, S205). The data application module generates a waveform with variables such as pulse width, pulse repetition period, the number of pulses, and et cetera, according to a control command in each selected pulse stream. A final output waveform is shown as a waveform combining a synchronization pulse, the transmission pulse, and a trigger pulse(S206). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S201) Receiving MODE/PRF SET information; (S202) Storing a PRF SET; (S203) Selecting a MODE; (S204) Determining on/off of a pulse stream; (S205) Generating a transmission pulse; (S206) Generating an output waveform;

    Abstract translation: 目的:提供一种雷达定时信号产生方法,通过根据需要请求定时信号控制命令来产生所需的系统波形,而不向系统添加单独的存储器。 构成:通过接收波形生成指令,接收(S201)并存储(S202)的模式和PRF SET信息。 选择根据波形生成命令的模式(S203)。 模式可以是操作模式,维护模式,测试模式等,并且模式的数量可以扩展。 通过根据脉冲流开/关选择的确定应用数据应用模块来生成发送脉冲(S204,S205)。 数据应用模块根据每个选择的脉冲流中的控制命令产生具有诸如脉冲宽度,脉冲重复周期,脉冲数等等变量的波形。 最终输出波形显示为组合同步脉冲,发送脉冲和触发脉冲的波形(S206)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S201)接收MODE / PRF SET信息; (S202)存储PRF SET; (S203)选择MODE; (S204)确定脉冲流的开/关; (S205)生成发送脉冲; (S206)生成输出波形;

    펄스형 고전력 RF 리미터
    24.
    实用新型
    펄스형 고전력 RF 리미터 有权
    脉冲型大功率射频限幅器

    公开(公告)号:KR2020120004986U

    公开(公告)日:2012-07-10

    申请号:KR2020100013589

    申请日:2010-12-30

    CPC classification number: H04B1/10 H04B1/16

    Abstract: 본 고안은 펄스형 고전력 RF 리미터에 관한 것으로서, 입력되는 펄스형 RF 신호를 커플링하는 커플링 회로부와, 상기 커플링된 펄스형 RF 신호를 검출하는 검출 회로부와, 상기 검출된 펄스형 RF 신호의 전력을 소자의 격리도(isolation) 특성만큼 감쇄시키는 스위치부와, 상기 스위치부에서 감소된 펄스형 RF 신호의 전력 중 소정 크기 이상의 첨두 전력을 리미팅하는 리미터부를 포함하는 펄스형 고전력 RF 리미터를 구성한다. 상기와 같은 펄스형 고전력 RF 리미터에 따르면, 스위치의 격리도(isolation) 특성을 이용함으로써 신호의 크기에 무관하게 신호를 감쇄시켜 평균 전력을 낮추고, 리미터 다이오드의 첨두 전력 리미팅 특성을 이용함으로써 첨두 전력의 신호를 리미팅하는 효과가 있다. 특히, 스위치의 격리도 특성과 리미터 다이오드의 첨두 전력 리미팅 특성을 반복적으로 활용함으로써, 높은 평균 전력을 갖는 장펄스 신호도 효율적으로 리미팅할 수 있다. 대략, 10 % 이상의 듀티 레이트를 갖는 높은 평균 전력의 장펄스(200 ㎲ 정도) 신호에 대해서도 리미팅 가능하다.

    다중분리 레이더 시스템에서 이동 표적의 위치 추적 방법
    25.
    发明授权
    다중분리 레이더 시스템에서 이동 표적의 위치 추적 방법 有权
    如何跟踪多分裂雷达系统中移动目标的位置

    公开(公告)号:KR101049905B1

    公开(公告)日:2011-07-15

    申请号:KR1020090008600

    申请日:2009-02-03

    Abstract: 본 발명은 다중분리 레이더 시스템에서 이동 표적의 위치 추적 방법을 제시한다. 상기 방법은 타겟 범위가 미리 설정한 범위이내 이면, 표적에 의해 반사되어 각 안테나를 통해 수신된 신호(τ
    i )를 통해 표적 거리(R
    i )를 계산하는 단계와; 상기 각 안테나에 의한 표적 거리(R
    i )를 각기 저장하는 단계와; 상기 각 안테나에 의한 표적 거리가 미리 설정한 갯수 이상인지 판별하는 단계와; 상기 미리 설정한 갯수 미만인 경우, 상기 표적의 운동 특성을 이용하여 표적의 거리(R
    i (t))를 추정하는 단계와; 상기 각 안테나를 통해 수신된 신호의 신호대잡음비(SNR)를 산출하는 단계와; 상기 각 안테타를 통해 수신된 신호 중 신호대잡음비의 임계값을 넘는 신호에 의한 표적 거리(R
    i )와 상기 추정된 표적 거리(R
    i (t))를 이용하여, 표적 거리를 정밀 계산하는 단계를 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于跟踪多分裂雷达系统中的移动目标的位置的方法。 如果目标范围在预定范围内,则该方法可以应用于由目标反射并经由每个天线接收的信号的情况

    광대역 180°-비트 위상변위기
    26.
    发明授权
    광대역 180°-비트 위상변위기 失效
    宽带180°相位切换器

    公开(公告)号:KR100536189B1

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:KR1020020045076

    申请日:2002-07-30

    CPC classification number: H01P1/185

    Abstract: 본 발명은 광대역 180°-비트 위상 변위기에 관한 것으로서, 특히, 접지된 스위칭 소자를 이용하여 단순화된 회로 구성을 지니는 것을 특징으로 하는 광대역 180°-비트 위상 변위기에 관한 것이다.
    본 발명인 광대역 180°-비트 위상 변위기는 입력 포트와, 출력 포트와, 쓰루 포트 및 커플드 포트를 구비하는 랑게 커플러와; 상기 랑게 커플러의 쓰루 포트와, 커플드 포트에 각각 연결되어, 그 입력되는 무선 신호를 각각 반사시키는 반사 부하들로 구성된다.

    초고주파 집적회로소자의 전계효과트랜지스터 제조방법

    公开(公告)号:KR100436566B1

    公开(公告)日:2004-11-12

    申请号:KR1019970044936

    申请日:1997-08-30

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an FET of an MMIC is provided to form easily a T-type gate and reduce the manufacturing cost by utilizing an oxide layer for controlling a gap as a spacer. CONSTITUTION: A first insulating layer(20) is formed on a semiconductor substrate(10). A photoresist pattern(30) and a passivation layer(40) are formed on the first insulating layer. A second insulating layer is formed on the passivation layer. The second insulating layer and the passivation layer are etched partially. The remaining parts of the first and the second insulating layers are etched. A groove B is formed on the semiconductor substrate by using a recess etching method. A T-type gate is formed by implanting a gate metal in the groove. The T-type gate is exposed to an upper surface by removing the remaining parts except for the first insulating layer.

    초고주파 집적회로
    28.
    发明授权
    초고주파 집적회로 失效
    微波集成电路

    公开(公告)号:KR100407056B1

    公开(公告)日:2004-03-26

    申请号:KR1019960077828

    申请日:1996-12-30

    Abstract: PURPOSE: An ultrahigh frequency IC is provided to reduce a chip size by mounting a local oscillator and a frequency mixer within a single chip of on-chip state. CONSTITUTION: An ultrahigh frequency IC includes a local oscillator(10), a frequency coupling device(20), and a frequency converter. The local oscillator(10) generates a local frequency. The frequency coupling unit(20) couples a received frequency of the outside to the local frequency of the local oscillator(10) and outputs a coupled frequency. The frequency converter subtracts the received frequency from the local frequency and only outputs an intermediate frequency as a result.

    광대역 180°-비트 위상변위기
    29.
    发明公开
    광대역 180°-비트 위상변위기 失效
    宽带180°相位切换器

    公开(公告)号:KR1020040011294A

    公开(公告)日:2004-02-05

    申请号:KR1020020045076

    申请日:2002-07-30

    CPC classification number: H01P1/185

    Abstract: PURPOSE: A wideband 180°-bit phase shifter is provided to shift a phase of 180° within a broad band by improving a structure of the phase shifter. CONSTITUTION: A wideband 180°-bit phase shifter includes a lange coupler and a reflective load(30). The lange coupler is formed with an input port(21), an output port(22), a through port(24), and a coupled port(23). The reflective load(30) is connected to the through port(24) and the coupled port(23) of the lange coupler in order to reflect radio signals. The reflective load(30) is formed with a switching element(31), which is connected to a grounding portion(32). The switching element(31) is formed with a PIN diode. The grounding portion(32) is formed with a through-hole.

    Abstract translation: 目的:提供宽带180°位移移位器,通过改善移相器的结构,在宽带内移相180°的相位。 构成:宽带180°位移移位器包括兰形耦合器和反射负载(30)。 连接器形成有输入端口(21),输出端口(22),通孔(24)和耦合端口(23)。 反射负载(30)连接到通孔(24)和连接器的耦合端口(23),以便反射无线电信号。 反射负载(30)形成有与接地部(32)连接的开关元件(31)。 开关元件(31)由PIN二极管形成。 接地部(32)形成有贯通孔。

    핀 다이오드의 구조 및 그 제조방법
    30.
    发明公开
    핀 다이오드의 구조 및 그 제조방법 失效
    PIN二极管的结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020000042636A

    公开(公告)日:2000-07-15

    申请号:KR1019980058873

    申请日:1998-12-26

    Abstract: PURPOSE: A structure of a pin diode and a method of manufacturing the same are to minimize the forward resistance by enhancing a surface area of an Ohmic metal layer to be formed on an upper portion of a n-typed layer of high density. CONSTITUTION: A pin diode comprises a semiconductor substrate(11) having a protrusion, a n-typed layer(12) formed on the protrusion of the substrate, a buffer layer(13), a p-typed layer(14), a n-typed layer(14) formed on a slanted surface of the protrusion and the substrate, Ohmic metal layers each formed the p-typed layer and the n-typed layer, air-bridge metal layers each contacted with a region of the Ohmic metal layer. The semiconductor substrate is made of a compound of Ga and As. The n-typed layer and p-typed layer are formed by an epitaxial growing layer.

    Abstract translation: 目的:针二极管的结构及其制造方法是通过增加在高密度的n型层的上部形成的欧姆金属层的表面积来最小化正向电阻。 构造:pin二极管包括具有突起的半导体衬底(11),形成在衬底的突起上的n型层(12),缓冲层(13),p型层(14),n 形成在突起和基板的倾斜表面上的单层(14),每个形成p型层和n型层的欧姆金属层,各自与欧姆金属层的区域接触的空气桥金属层 。 半导体衬底由Ga和As的化合物制成。 n型层和p型层由外延生长层形成。

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