公开(公告)号：KR1020040021611A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：KR1020037016380

申请日：2002-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이지마에츠오 ,  야마다노리카즈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/32137

Abstract: 도 1a에 도시한 상태로부터, 에칭 가스로서 적어도 HBr을 포함하는 가스, 예컨대 HBr+Cl
2 의 혼합 가스를 이용하여, 제 1 압력으로 메인 에칭 공정을 실행한다. 이 후, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 실리콘 산화막 층(102)이 노출되기 전에, 상기 메인 에칭 공정을 종료하고, 적어도 HBr을 포함하는 가스, 예컨대 HBr 단가스를 이용하여, 제 1 압력보다 높은 제 2 압력으로 오버 에칭 공정을 실행하고, 도 1c에 도시하는 바와 같이 실리콘 산화막 층(102)을 완전히 노출시킨다. 이에 의해, 종래에 비해서, 실리콘 산화막에 대한 실리콘함유 도전막 층의 선택비를 향상시킬 수 있어, 베이스 층인 실리콘 산화막 층을 에칭하지 않고, 또한 실리콘함유 도전막 층의 에칭 형상을 손상시키지 않고서, 확실히 소망하는 실리콘함유 도전막 층만을 에칭하여 제거할 수 있다.