公开(公告)号：KR100709801B1

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020000067914

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/56

Abstract: 프리코트막 형성방법은 피처리체 W 를 재치하기 위한 재치대(16)를 내부에 가지는 성막장치내로 처리가스를 공급하고 재치대의 표면에 TiN 막으로 형성된 프리코트막(22)을 증착하는 증착공정과, 재치대의 온도를 증착공정에서의 온도보다 높은 온도로 유지함으로써 NH
3 (암모니아)함유가스내에 프리코트막을 노출 및 안정하시키는 안정화공정을 가진다. 이와 같이 함으로써, 프리코트막이 안정되고, 그에 의하여 아이들링기간 중에도, 재치대의 온도를 내릴 필요가 없으며, 수율이 향상된다. 또한, 성막공정은 고융점 금속화합물 가스 및 환원가스를 사용하여 진공흡인이 가능한 처리용기내에서 피처리체 W 의 표면에 소정의 막을 증착하기 위하여 성막공정 도중 또는 직후에 처리용기내로 산화가스를 공급한다. 이와 같이 함으로써, 시트저항치의 시간경과에 따른 변화가 대폭으로 방지된다.

公开(公告)号：KR100704060B1

公开(公告)日：2007-04-06

申请号：KR1020057015313

申请日：2004-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 본 발명은, 진공흡인이 가능한 처리용기 내에서 피처리체의 표면에 금속질화막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은, 불활성 가스를 높은 성막온도의 처리용기 내에 연속적으로 공급하는 공정과, 상기 불활성 가스의 연속적인 공급공정 중에 있어서 금속소스가스를 처리용기 내에 간헐적으로 공급하는 공정을 구비한다. 상기 금속소스가스의 간헐적인 공급공정 중에 있어서, 질소함유 환원가스가, 상기 금속소스가스의 공급기간 중에 상기 금속소스가스의 공급과 동시에 처리용기 내에 공급된다. 또한, 상기 금속소스가스의 간헐적인 공급공정 중에 있어서, 상기 질소함유 환원가스가, 상기 금속소스가스의 간헐기간 중에 상기 간헐기간보다도 짧은 기간에 처리용기 내에 공급된다. 상기 금속소스가스의 1회의 공급기간 중에 형성되는 상기 금속질화막의 막두께는 60㎚ 이하이다. 본 발명에 의해, 비교적 고온으로 성막 처리를 실시해도, 염소 농도가 낮고, 저항율도 작으며, 크랙의 발생도 억제된 금속질화막을 퇴적시키는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020060113763A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020067014143

申请日：2005-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L28/60

Abstract: Disclosed is a film-forming method wherein a TiN film having a certain thickness is formed on a semiconductor wafer by repeating a cycle once or more times which cycle is composed of a first step wherein a TiN film is formed through CVD by supplying a TiCl4 gas and an NH3 gas onto a semiconductor wafer which is heated to a film-forming temperature in a process chamber and a second step wherein the NH3 gas is supplied while stopping the supply of the TiCl4. In this method, the temperature of the semiconductor wafer during film formation is less than 450°C, the total pressure in the process chamber is more than 100 Pa, and the partial pressure of the NH3 gas in the process chamber during the first step is not more than 30 Pa.

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其中通过重复循环一次或多次循环由半导体晶片形成一定厚度的TiN膜，该循环由第一步骤组成，其中通过CVD提供TiCl 4气体形成TiN膜， 以及在处理室中被加热到成膜温度的半导体晶片上的NH 3气体，以及在停止供给TiCl 4的同时供给NH 3气体的第二工序。 在该方法中，成膜期间半导体晶片的温度低于450℃，处理室中的总压力大于100Pa，第一步骤中处理室中NH 3气体的分压为 不超过30 Pa。

公开(公告)号：KR1020010051723A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067914

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A forming method for a precoat film is provided to improve throughput without necessity to decrease the temperature of a mounting base even during an idling period by stabilizing the precoat film. CONSTITUTION: The forming method for a precoat film for mounting base structure has a depositing process for depositing the precoat film(22) composed of a TiN film on the surface of a mounting base(16) for placing an object to be treated by making a treatment gas flow into a film forming device internally having a mounting base structure having the mounting base and a stabilizing process for stabilizing the precoat film by exposing the mounting base under a gas contg. NH3(ammonia) while maintaining the temperature of the mounting base higher than the temperature of the depositing process.

Abstract translation: 目的：提供预涂膜的形成方法以提高生产量，而不需要通过稳定预涂膜来减少安装基座的温度即使在空转期间。 构成：用于安装基底结构的预涂膜的形成方法具有沉积工艺，用于将由TiN膜构成的预涂膜（22）沉积在安装基座（16）的表面上，用于通过使 处理气体流入成膜装置，内部具有具有安装基座的安装基座结构和用于通过在气体阻挡件下暴露安装基底来稳定预涂膜的稳定过程。 NH 3（氨），同时保持安装基座的温度高于沉积过程的温度。