公开(公告)号：KR102220434B1

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：KR1020187028162

申请日：2017-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세가츠히토 ,  하세가와도시오 ,  요시다쇼헤이 ,  시노하라다케시 ,  가와사키신지

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  G05B23/02 ,  G05B19/048

Abstract: 기판처리장치를제어하는제1 컨트롤러와, 상기제1 컨트롤러의지시에따라, 상기기판처리장치에설치된기기를제어하는제2 컨트롤러를갖고, 상기기기의이상을검지하는이상검지시스템으로서, 상기제2 컨트롤러는, 상기기기의상태신호를, 미리정해진주기에있어서의미리정해진시간, 미리정해진샘플링간격으로수집하고, 수집한상기기기의상태신호를축적하는기억부를가지며, 상기제1 컨트롤러는, 축적한상기기기의상태신호를, 상기미리정해진시간이상의시간간격으로상기제2 컨트롤러로부터취득하고, 취득한상기기기의상태신호에기초하여, 상기기기의이상의유무를판정하는이상판정부를갖는이상검지시스템이제공된다.

公开(公告)号：KR101800487B1

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020130159805

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K3/107 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/146 ,  H05K3/388 ,  H05K3/465 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1338 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

Abstract: [과제] 배리어막을오목부에비하여얇고또한균일하게형성할수 있고또한배리어성이높은것으로하여 Cu 배선의저저항화를실현할수 있는 Cu 배선의형성방법을제공하는것. [해결수단] 표면에소정패턴의트렌치(203)가형성된층간절연막(202)을가지는웨이퍼(W)에대하여, 트렌치(203)를매립하는 Cu 배선(208)을형성하는 Cu 배선의형성방법으로서, 적어도트렌치(203)의표면에, 열ALD 또는열CVD에의한 TaAlN막으로이루어지는배리어막(204)을형성하고, Cu막(206)을형성해서트렌치(203)내에 Cu막을매립하고, CMP에의해전면을연마하여트렌치(203)내에 Cu 배선(208)을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种Cu布线的形成方法，其能够通过比凹部更薄且更均匀地形成阻挡膜来实现Cu布线的低电阻化，并且具有高阻挡性。

公开(公告)号：KR100628923B1

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020047003122

申请日：2002-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: C23C16/34

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/76843

Abstract: The present invention relates to a method of forming a metal-nitride film onto a surface of an object to be processed in a processing container in which a vacuum can be created. The method of the invention includes: a step of continuously supplying an inert gas into a processing container set at a low film-forming temperature; and a step of intermittently supplying a metal-source gas into the processing container, during the step of continuously supplying the inert gas. During the step of intermittently supplying the metal-source gas, a nitrogen-including reduction gas is supplied into the processing container at the same time that the metal-source gas is supplied, during a supply term of the metal-source gas. The nitrogen-including reduction gas is also supplied into the processing container for a term shorter than a non-supply term of the metal-source gas, during the non-supply term of the metal-source gas. According to the invention, a metal-nitride film can be deposited whose chlorine density is low, whose resistivity is low, in which less cracks may be generated, and whose abnormal growth may not be generated.

公开(公告)号：KR1020050107438A

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：KR1020057015313

申请日：2004-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: A method for forming a metal nitride film on the surface of an article to be treated in a treating chamber capable of being evacuated, which comprises a step of continuously feeding an inert gas into the treating chamber having a high film forming temperature and a step of intermittently feeding a metal source gas into the treating chamber during the continuous feed of the inert gas, wherein in the step of intermittently feeding the metal source gas, a nitrogen- containing reducing gas is fed into the treating chamber together with the feed of the metal source gas in the period of the feed of the metal source gas, or, in the step of intermittently feeding the metal source gas, a nitrogen-containing reducing gas is fed into the treating chamber in the stop period for the feed of the metal source gas, for a time shorter than said stop period, and wherein the thickness of the metal nitride film formed during one time feed of the metal source gas is 60 nm or less. The above method allows the deposition of a metal nitride film exhibiting a reduced chlorine content and a reduced resistivity and being suppressed with respect to the occurrence of cracks, even when the film is formed at a relatively high temperature.

Abstract translation: 一种在能够被抽真空的处理室中在待处理物品的表面上形成金属氮化物膜的方法，包括将惰性气体连续地供给到具有高成膜温度的处理室中的步骤， 在惰性气体的连续进料期间间歇地将金属源气体供给到处理室中，其中在间歇地供给金属源气体的步骤中，将含氮还原气体与金属的进料一起进料到处理室中 或在间歇地供给金属源气体的步骤中，在停止时段内将含氮还原气体供给至处理室，供给金属源气体 气体，比所述停止时间短一段时间，并且其中在金属源气体的一次进料期间形成的金属氮化物膜的厚度为60nm以下。 即使在比较高的温度下形成膜时，上述方法允许沉积具有降低的氯含量和降低的电阻率的金属氮化物膜并且相对于裂纹的发生被抑制。

公开(公告)号：KR101503969B1

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：KR1020117006359

申请日：2009-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  로이싱크게릿제이

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

Abstract: 본원에는, 반도체 디바이스용의 알루미늄 도핑된 금속(탄탈 또는 티타늄) 탄질화물 게이트 전극을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은, 그 위에 유전체층이 마련된 기판을 제공하는 단계와, 플라즈마의 부재하에 상기 유전체층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 게이트 전극은, 금속 탄질화물막을 증착하는 단계와, 이 금속 탄질화물막 상에 알루미늄 전구체의 원자층을 흡착시키는 단계에 의해 형성된다. 상기 증착 단계와 흡착 단계는, 상기 알루미늄 도핑된 금속 탄질화물 게이트 전극이 소기의 두께를 가질 때까지, 소기의 횟수로 반복될 수 있다.

公开(公告)号：KR100963336B1

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020077027198

申请日：2006-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/10852

Abstract: 성막 온도로 가열된 피처리 기판에 금속 화합물 가스 및 질소 함유 환원 가스를 공급하여 CVD에 의해 피처리 기판 상에 금속 질화막을 직접 퇴적시키는 기간을 포함하는 제 1 단계와, 마찬가지로 금속 화합물 가스 및 질소 함유 환원 가스를 공급하여 CVD에 의해 제 1 단계에서 퇴적된 초기의 금속 질화막 상에 더욱이 금속 질화막을 퇴적시켜 소정의 막 두께로 하는 제 2 단계를 포함하고, 제 1 단계 및 제 2 단계와 함께, 금속 화합물 가스 및 질소 함유 환원 가스를 공급하는 제 1 스텝과, 금속 화합물 가스를 정지하여 질소 함유 환원 가스를 공급하는 제 2 스텝으로 이루어지는 사이클을 1사이클 이상 반복한다.

公开(公告)号：KR100762525B1

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020067014143

申请日：2005-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L28/60

Abstract: 처리 용기 내에서 성막 온도로 가열된 반도체 웨이퍼에 TiCl
4 가스 및 NH
3 가스를 공급해서 CVD에 의해 TiN으로 이루어지는 막을 형성하는 제 1 단계와, TiCl
4 가스를 정지해서 NH
3 가스를 공급하는 제 2 단계로 이루어지는 사이클을 1 사이클 이상 반복하여, 반도체 웨이퍼 상에 소정 두께의 TiN막을 성막하며, 성막시에 있어서의 반도체 웨이퍼의 온도를 450℃ 미만으로 하고 처리 용기 내의 전체 압력을 100Pa 이상으로 하고, 제 1 단계에 있어서의 처리 용기 내의 NH
3 가스의 분압을 30Pa 이하로 한다.

公开(公告)号：KR1020040044525A

公开(公告)日：2004-05-28

申请号：KR1020047003122

申请日：2002-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오

IPC: C23C16/34

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/76843

Abstract: 본 발명은, 진공흡인 가능한 처리용기 내에 있어서 피처리체의 표면에 금속질화막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은, 불활성 가스를 저성막온도의 처리용기 내로 연속적으로 공급하는 공정과, 상기 불활성 가스의 연속적인 공급공정 중에 있어서 금속소스가스를 처리용기 내로 간헐적으로 공급하는 공정을 구비한다. 상기 금속소스가스의 간헐적인 공급공정 중에 있어서, 질소함유 환원가스가 상기 금속소스가스의 공급기간 중에 상기 금속소스가스의 공급과 동시에 처리용기 내로 공급된다. 또, 상기 금속소스가스의 간헐적인 공급공정 중에 있어서, 상기 질소함유 환원가스가 상기 금속소스가스의 공급기간 중에 당해 간헐기간보다도 짧은 기간으로 처리용기 내로 공급된다. 본 발명에 의해, 염소농도가 낮고, 저항률도 작으며, 크랙의 발생도 억제되고, 막의 이상성장도 없는 금속질화막을 퇴적시키는 것이 가능하게 된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在能够产生真空的处理容器中在待处理物体的表面上形成金属氮化物膜的方法。 本发明的方法包括：向成膜温度低的处理容器连续供给惰性气体的工序; 以及在连续供给惰性气体的工序中，间歇地向处理容器内供给金属源气体的工序。 在间歇供给金属源气体的工序中，在金属源气体的供给期间，在供给金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体。 在金属源气体的非供给期间，还将含氮还原气体以比金属源气体的非供给期间短的期间供给到处理容器内。 根据本发明，可以沉积氯密度低，电阻率低的金属氮化物膜，其中可能产生较少的裂缝，并且可能不会产生异常生长。

公开(公告)号：KR101938441B1

公开(公告)日：2019-01-14

申请号：KR1020147017303

申请日：2012-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/322

公开(公告)号：KR1020140119776A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.