公开(公告)号：KR1020170101138A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

Abstract: 본발명은플라즈마 CVD에의해웨이퍼상에 Ti막을성막함에있어, 막중에의 N 원자의취입을억제하는기술을제공하는것이다. 웨이퍼 W의 Si막(101)의표면에 Ti막(103)을성막한후, 처리용기(20) 중의 TiCl나 Cl를포함하는성분을제거함에있어 H가스의플라즈마를이용하고있다. 그때문에, Ti막(103) 중에서의 N의취입을억제할수 있다. 따라서, Ti막(103)과 Si막(101)의계면에있어서의 Ti의실리사이드화의반응이저해되지않는다. 또한, 웨이퍼 W를반출한후에있어서의 TiCl나 Cl를포함하는성분의제거를 H가스의플라즈마를이용하는것에의해, 처리용기(20) 중의 N를더 억제할수 있다. 또한, 처리용기(20)의내면에실시하는프리코트에서도 TiN막의표면을덮도록 Ti막을성막하는것에의해, 웨이퍼의 W 표면에 Ti막(103)을성막했을때의 Ti막(103) 중의 N의취입을억제할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过等离子体CVD在晶片上形成Ti膜时抑制N原子掺入膜中的技术。 在Ti膜103的晶片W Si膜101的表面上的膜形成之后，它是包含的TiCl或Cl中的处理容器20，以使用H气体的等离子体除去的成分。 因此，可以抑制Ti膜103中的N的摄入量。 因此，在Ti膜103和Si膜101之间的界面上Ti的硅化反应不受阻碍。 另外，通过在取出晶片W后除去包含TiCl和Cl的成分，能够利用H气的等离子体来抑制处理容器20内的N。 此外，自由Ti膜103 N个时在涂层具有通过形成Ti膜覆盖膜使得TiN膜表面，该膜形成在Ti薄膜103向处理容器的内表面上携带的晶片在W表面（20） 可以抑制吞咽。

公开(公告)号：KR101302819B1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：KR1020097022392

申请日：2008-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  젠코데츠

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: Ti막의 성막 방법은 탑재대에 Si 부분을 갖는 피 처리 기판을 배치하는 것과, 피 처리 기판을 가열하는 것과, 챔버 내를 소정의 압력으로 하는 것과, 챔버 내로 TiCl
4 가스 및 환원 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하는 것과, 고주파 전계 형성 수단에 의해 고주파 전계를 형성하는 것에 의해 처리 가스를 플라즈마화하는 것과, 피 처리 기판의 표면에서 상기 TiCl
4 가스 및 환원 가스에 의한 반응을 생기게 하는 것을 포함하고, 그 반응에 의해 피 처리 기판의 Si 부분에 Ti막을 성막할 때에 피 처리 기판의 Si 부분에서의 TiSi의 생성 반응이 억제되도록 챔버 내 압력 및 인가되는 고주파 전력의 파워를 제어한다.

公开(公告)号：KR100934511B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020070018558

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: A Ti film is formed on a surface of a wafer W placed inside a chamber 31, while injecting a process gas containing TiCl4 gas into the chamber 31 from a showerhead 40 made of an Ni-containing material at least at a surface. The method includes performing formation of a Ti film on a predetermined number of wafers W while setting the showerhead 40 at a temperature of 300° C. or more and less than 450° C., and setting TiCl4 gas at a flow rate of 1 to 12 mL/min (sccm) or setting TiCl4 gas at a partial pressure of 0.1 to 2.5 Pa, and then, performing cleaning inside the chamber 31, while setting the showerhead 40 at a temperature of 200 to 300° C., and supplying ClF3 gas into the chamber 31.

Abstract translation: 在设置于腔室31内的晶片W的表面上，至少在表面上从含Ni材料的喷头40向腔室31内喷射包含TiCl 4气体的处理气体，同时形成Ti膜。 该方法包括在预定数量的晶片W上形成Ti膜，同时将喷头40设置在300℃的温度下; C.或多于并少于450℃; 以1〜12mL / min（sccm）的流量设置TiCl 4气体，或者以0.1〜2.5Pa的分压设定TiCl 4气体，一边设置喷头40一边在腔室31内进行清洗 在200至300℃的温度下， 并且将ClF 3气体供应到腔室31中。

公开(公告)号：KR1020090067187A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：KR1020097008000

申请日：2007-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다카야마다카미츠

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: A Ti film forming method includes a step (step (1)) of cleaning inside a chamber by introducing a cleaning gas containing fluorine into the chamber in a state where a wafer (W) is not on a susceptor; a step (step 2) of heating the susceptor in the state where the wafer (W) is not on the susceptor, jetting a processing gas containing Ti from a shower head into the chamber and forming a pre-coat film at least on the surface of the shower head; and a step (step (3)) of placing the wafer (W) on the susceptor (2) in a state where the susceptor is heated, supplying a processing gas into the chamber (1) and forming a Ti film on the wafer (W). The pre-coat film forming step is performed at a temperature lower than that in the film forming step.

Abstract translation: Ti膜形成方法包括：在晶片（W）不在感受体上的状态下，通过将含有氟的清洗气体引入室内的方法，在室内进行清洗的工序（工序（1））; 在晶片（W）不在基座上的状态下加热基座的步骤（步骤2），将含有Ti的处理气体从喷头喷射到室中，并至少在表面上形成预涂膜 的淋浴头; 以及在基座被加热的状态下将晶片（W）放置在基座（2）上的步骤（步骤（3）），将处理气体供应到腔室（1）中并在晶片上形成Ti膜 W）。 在低于成膜步骤的温度下进行预涂膜形成步骤。

公开(公告)号：KR100892789B1

公开(公告)日：2009-04-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR100887446B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020077014796

申请日：2006-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: 피처리 기판을 수용하는 챔버와, 챔버 내에 배치되는 샤워 헤드와, 챔버 내에 NH
3 가스 및 H
2 가스를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비하고, 챔버의 피복층 및 샤워 헤드가 니켈(Ni)을 포함하는 가스 처리 장치를 사용하여 NH
3 가스 및 H
2 가스를 포함하는 가스에 의해 피처리체(W)에 대하여 가스 처리를 행하는 데 있어서, H
2 /NH
3 유량비 및 온도를 제어하여 챔버의 피복층 및 샤워 헤드에 포함되는 니켈의 반응을 억제한다.

公开(公告)号：KR100709801B1

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020000067914

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/56

Abstract: 프리코트막 형성방법은 피처리체 W 를 재치하기 위한 재치대(16)를 내부에 가지는 성막장치내로 처리가스를 공급하고 재치대의 표면에 TiN 막으로 형성된 프리코트막(22)을 증착하는 증착공정과, 재치대의 온도를 증착공정에서의 온도보다 높은 온도로 유지함으로써 NH
3 (암모니아)함유가스내에 프리코트막을 노출 및 안정하시키는 안정화공정을 가진다. 이와 같이 함으로써, 프리코트막이 안정되고, 그에 의하여 아이들링기간 중에도, 재치대의 온도를 내릴 필요가 없으며, 수율이 향상된다. 또한, 성막공정은 고융점 금속화합물 가스 및 환원가스를 사용하여 진공흡인이 가능한 처리용기내에서 피처리체 W 의 표면에 소정의 막을 증착하기 위하여 성막공정 도중 또는 직후에 처리용기내로 산화가스를 공급한다. 이와 같이 함으로써, 시트저항치의 시간경과에 따른 변화가 대폭으로 방지된다.

公开(公告)号：KR1020010051723A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067914

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  하세가와도시오

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A forming method for a precoat film is provided to improve throughput without necessity to decrease the temperature of a mounting base even during an idling period by stabilizing the precoat film. CONSTITUTION: The forming method for a precoat film for mounting base structure has a depositing process for depositing the precoat film(22) composed of a TiN film on the surface of a mounting base(16) for placing an object to be treated by making a treatment gas flow into a film forming device internally having a mounting base structure having the mounting base and a stabilizing process for stabilizing the precoat film by exposing the mounting base under a gas contg. NH3(ammonia) while maintaining the temperature of the mounting base higher than the temperature of the depositing process.

Abstract translation: 目的：提供预涂膜的形成方法以提高生产量，而不需要通过稳定预涂膜来减少安装基座的温度即使在空转期间。 构成：用于安装基底结构的预涂膜的形成方法具有沉积工艺，用于将由TiN膜构成的预涂膜（22）沉积在安装基座（16）的表面上，用于通过使 处理气体流入成膜装置，内部具有具有安装基座的安装基座结构和用于通过在气体阻挡件下暴露安装基底来稳定预涂膜的稳定过程。 NH 3（氨），同时保持安装基座的温度高于沉积过程的温度。

公开(公告)号：KR101061633B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020080080928

申请日：2008-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  구마가이아키라 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/20

Abstract: 질화 타이타늄막을 성막하는 공정만으로 실리사이드화 반응이 일어나기 쉽게 함으로써 스루풋을 비약적으로 향상시킨다.
웨이퍼 상에 타이타늄 화합물 가스와 환원 가스와 질소 가스를 공급하면서 플라즈마를 생성함으로써 웨이퍼 상에 질화 타이타늄막을 성막하는 공정을 갖고, 이 공정에서 질소 가스는 그 공급 개시부터 소정의 설정 유량에 이르기까지(시간 Ts), 그 공급 유량을 서서히 증가시키도록 공급함으로써, 실리콘 함유 표면에 타이타늄 실리사이드막을 형성하면서 웨이퍼 상에 질화 타이타늄막을 성막한다.

Abstract translation: 仅在形成氮化钛膜的步骤中容易引起硅化反应，从而显着提高生产量。

公开(公告)号：KR1020090069298A

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：KR1020097007662

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  아마노후미타카 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843

Abstract: To enable a barrier layer including a titanium film of good quality to be efficiently formed even at a low temperature and enable a TiSix film to be self-conformably formed at the interface between the titanium film and the base. In the step of forming the TiSix film (507), the following steps are repeated two or more times without introducing argon gas into the treating chamber: a first step in which a titanium compound gas is introduced into the treating chamber to adsorb the titanium compound gas onto the silicon surface of a silicon substrate (502); a second step in which the introduction of the titanium compound gas into the treating chamber is stopped and the titanium compound gas remaining in the treating chamber is removed; and a third step in which a plasma is generated in the treating chamber while introducing hydrogen gas into the treating chamber to thereby reduce the titanium compound gas adsorbed on the silicon surface and react it with the silicon in the silicon surface to form the TiSix film (507).

Abstract translation: 为了能够即使在低温也能够有效地形成包含质量好的钛膜的阻挡层，能够使TiSix膜在钛膜与基材之间的界面处自形地形成。 在形成TiSix膜（507）的步骤中，重复两次以上的步骤而不向处理室中引入氩气：第一步骤，其中将钛化合物气体引入处理室以吸附钛化合物 气体到硅衬底（502）的硅表面上; 第二步骤是停止将钛化合物气体引入处理室，并且除去残留在处理室中的钛化合物气体; 以及第三步骤，其中在处理室中产生等离子体，同时将氢气引入处理室中，从而减少吸附在硅表面上的钛化合物气体，并与硅表面中的硅反应形成TiSix膜（ 507）。