公开(公告)号：KR100576849B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020030065219

申请日：2003-09-19

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 곽준섭 ,  조제희

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 투명기판과, 상기 투명기판 상에 형성된 n형 화합물 반도체층과, 상기 n형 화합물 반도체층의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 활성층, p형 화합물 반도체층 및 p형 전극과, 상기 제1 영역과 이격된, 상기 n형 화합물 반도체층의 제2 영역 상에 형성된 n형 전극을 구비하는 LED에 있어서, 상기 p형 전극은 저항 및 반사도 특성이 다른 제1 및 제2 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 LED 및 그 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020060013116A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061948

申请日：2004-08-06

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  한국화학연구원

Inventor： 조제희 ,  강윤찬 ,  손철수 ,  김형근

IPC: C09K11/55 ,  C09K11/68

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7739 ,  C09K11/7797 ,  H01L33/502

Abstract: 본 발명은, 장파장 UV 여기광원에 의한 발광효율이 우수하며, 작고 고른 입자 크기를 가질 수 있는 적색형광체를 제공한다. 본 발명은 또한, 장파장 UV 여기광원에 의한 발광효율이 우수하며, 작고 고른 입자 크기를 가질 수 있는 적색형광체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 적색형광체는, (Li
(2-z)-x M
x )(AO
4 )
y :Eu
z ,Sm
q 로 표시되는 화합물; 및 융제(flux)를 포함하는데, 이때, M은 K, Mg, Na, Ca, Sr 또는 Ba 이고, A는 Mo 또는 W 이며, 0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.01≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0 이다.

公开(公告)号：KR1020050108177A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：KR1020040033378

申请日：2004-05-12

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H05B33/0818 ,  H05B33/0845

Abstract: 본 발명은 맥동전류(pulsation current)를 이용하여 LED 소자의 광출력을 증가시키는 방법 및 상기 방법을 이용한 LED 소자의 구동유닛을 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 본 발명은, n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자에 순방향의 전압과 역방향의 전압이 교호하는 맥동 전류(pulsation current)를 인가하는 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명의 다른 유형에 따르면, 본 발명은, n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자; 및 상기 반도체 발광 소자에 순방향의 전압과 역방향의 전압이 교호하는 맥동 전류(pulsation current)를 인가하는 전압인가부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050093058A

公开(公告)日：2005-09-23

申请号：KR1020040018281

申请日：2004-03-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32

Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층과는 별도로 파장변환에 의한 장파장의 광을 발생하는 패시브층을 구비한다. 활성층과 패스브층으로 부터의 광의 적절한 조절에 의해 백색광을 구현할 수 있다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.

公开(公告)号：KR1020050038207A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：KR1020030073442

申请日：2003-10-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이정욱 ,  성연준 ,  조제희 ,  백호선

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100397609B1

公开(公告)日：2003-09-13

申请号：KR1020010007846

申请日：2001-02-16

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  곽준섭

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/06203 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/065 ,  H01S5/2231

Abstract: A semiconductor laser diode for controlling the width of a carrier inflow path is provided. The semiconductor laser diode includes a p-type material layer for lasing between a p-type electrode and an n-type electrode, an active layer, and an n-type material layer. The p-type electrode restrictively contacts the p-type material layer. A carrier inflow width controller is included to control the width of a path of carriers flowing from the p-type electrode into the active layer.

Abstract translation: 提供了一种用于控制载流子流入路径宽度的半导体激光二极管。 半导体激光二极管包括用于在p型电极和n型电极之间激光产生的p型材料层，活性层和n型材料层。 p型电极限制性地接触p型材料层。 包括载流子流入宽度控制器以控制从p型电极流入有源层的载流子路径的宽度。

公开(公告)号：KR100387240B1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：KR1020010028089

申请日：2001-05-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 최광기 ,  조제희

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01L33/46 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/125

Abstract: A laser diode that uses air as a reflective layer, thereby enhancing reflectance with respect to an oscillating laser beam, and a method for fabricating such a laser diode are provided. The laser diode includes a substrate, a laser oscillating layer formed on the substrate, an upper electrode formed on the laser oscillating layer, and a reflective layer formed at one side of the laser oscillating layer, wherein the reflective layer comprises air layers. According to the laser diode and the method for fabricating the same, it is possible to form a reflective layer having a higher reflectivity with a reduced number of pairs of reflective layers, thereby making a laser diode whose threshold voltage is reduced and which can produce a high-output laser beam.

Abstract translation: 提供一种使用空气作为反射层的激光二极管，从而增强了相对于振荡激光束的反射率，并且提供了用于制造这种激光二极管的方法。 激光二极管包括衬底，形成在衬底上的激光振荡层，形成在激光振荡层上的上电极以及形成在激光振荡层一侧的反射层，其中反射层包括空气层。 根据该激光二极管及其制造方法，可以通过减少数量的反射层对来形成具有较高反射率的反射层，由此制造其阈值电压降低并且能够产生 高输出激光束。

公开(公告)号：KR1020020049871A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：KR1020000079184

申请日：2000-12-20

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 곽준섭 ,  조제희

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode comprising a ridge waveguide and a fabrication method thereof are provided, which prevents a resonance width from being widened as decreasing a threshold current and also prevents a light loss because a lower part of a ridge is caught by a light waveguide. CONSTITUTION: A projected ridge part is comprised on one epi layer among the first and the second epi layer in a vertical direction to an active layer(46b), which is formed between the first and the second epi layer having a lower refractive index than the active layer. The semiconductor layer contacts with an electrode through the ridge part. A side of the ridge part comprises at least two regions having different angles each other. A width of a part close to the active layer of the ridge part becomes wider as going close to the active layer. A ratio of a part(C2) where the width of the ridge part begins to become wider to other part(C1) is 2/1. The first epi layer comprises the first compound semiconductor layer(42) formed on a substrate(40), and the first clad layer(44) formed on the first compound semiconductor layer and the first waveguide layer(46a) being formed on the first clad layer and having a larger refractive index than the first clad layer.

Abstract translation: 目的：提供一种包括脊波导及其制造方法的半导体激光二极管，其防止谐振宽度随着阈值电流的减小而变宽，并且还防止光损耗，因为脊的下部被光波导捕获 。 构成：在与第一和第二外延层之间的第一和第二外延层中的垂直方向上的有源层（46b）上包括投影脊部分，该有源层（46b）形成在第一和第二外延层之间，折射率低于 活动层 半导体层通过脊部与电极接触。 脊部的一侧包括彼此具有不同角度的至少两个区域。 靠近有源层的接近于脊部分有源层的部分的宽度变宽。 脊部宽度开始变宽的部分（C2）与其他部分（C1）的比例为2/1。 第一外延层包括形成在基板（40）上的第一化合物半导体层（42），形成在第一化合物半导体层上的第一覆盖层（44）和形成在第一覆层 并且具有比第一包层更大的折射率。

公开(公告)号：KR100990644B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080103856

申请日：2008-10-22

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트

Inventor： 손철수 ,  사미어차제드 ,  김종규 ,  조제희 ,  슈베르트이.프레드 ,  슈베르트마틴에프.

IPC: H01L33/60

Abstract: 본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는, 편광 이방성(anisotropy)을 갖는 광원 및 상기 광원으로부터 적어도 두개의 방향으로 방출된 광을 반사시키는 반사부를 포함하며, 상기 반사부는 상기 반사부에 의해 반사된 후의 주 편광방향들(dominant polarization directions) 사이의 각도가 상기 반사부에 의해 반사되기 전의 주 편광방향들 사이의 각도보다 작게 될 수 있는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면 직접적으로 수직하게 발광된 편광광을 발생시키도록 설계된 형상을 갖는 발광소자를 얻을 수 있다.
광원, 반사부, 편광, 이방성

公开(公告)号：KR1020100044645A

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：KR1020080103856

申请日：2008-10-22

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트

Inventor： 손철수 ,  사미어차제드 ,  김종규 ,  조제희 ,  슈베르트이.프레드 ,  슈베르트마틴에프.

IPC: H01L33/60

Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to obtain highly polarized light source by hermetically combining a side view type light emitting diode and a reflection unit with improved polarization property. CONSTITUTION: Light source with polarization anisotropy emits lights to the two or more directions. A reflection unit reflects the lights from the light source. The angle between the polarized lights which are emitted from the light source is larger than the angle of the reflected lights. The light source is light emitting diode chip.

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，通过气密组合侧视型发光二极管和具有改进的偏振特性的反射单元来获得高度偏振的光源。 构成：具有偏振各向异性的光源向两个或更多个方向发光。 反射单元反射来自光源的光。 从光源发射的偏振光之间的角度大于反射光的角度。 光源是发光二极管芯片。