公开(公告)号：KR100059153B1

公开(公告)日：1993-02-04

申请号：KR1019900019156

申请日：1990-11-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 한재호

IPC: C23C22/05

公开(公告)号：KR1019920009843B1

公开(公告)日：1992-10-31

申请号：KR1019900019156

申请日：1990-11-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 한재호

IPC: C23C22/05

Abstract: The surface treatment method of aluminum-copper-silicon alloy comprises the following steps; (a) cleaning and preheating the alloy, (b) dry electroplating with the use of an aluminum wire having a high purity, 99.99 % and surface etching with the solution containing nitric acid, sulphuric acid and the pure water, (c) coating with chromate salt and heating by hot air at 110-130 deg.C for 20-30 min. The thickness of the electroplated layer in the (b) step is 10-20 μm.

Abstract translation: 铝 - 铜 - 硅合金的表面处理方法包括以下步骤： （a）清洗和预热合金，（b）使用纯度高达99.99％的铝线进行干电镀，并用含有硝酸，硫酸和纯水的溶液进行表面蚀刻，（c）涂覆 铬酸盐，热风110-130℃加热20-30分钟。 （b）步骤中的电镀层的厚度为10-20μm。

公开(公告)号：KR100054075B1

公开(公告)日：1992-08-25

申请号：KR1019900009883

申请日：1990-06-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 한재호

IPC: C23C18/48 ,  C23F1/12

公开(公告)号：KR1020070022990A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020050077108

申请日：2005-08-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 강필근 ,  김현경 ,  전동민 ,  김지열 ,  한재호

IPC: H01L33/36

Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 본딩금속과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, TCO로 이루어진 전류확산층 및 상기 전류확산층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 전류확산, 발광면적, TCO, 고휘도

公开(公告)号：KR1019920000970A

公开(公告)日：1992-01-29

申请号：KR1019900009883

申请日：1990-06-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 한재호

IPC: C23C18/48 ,  C23F1/12

Abstract: 내용없음