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公开(公告)号：KR1020080014253A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060075702
申请日：2006-08-10
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A GaN type light emitting diode device is provided to flow the uniform current through an entire chip by improving a current spreading effect of a transparent conductive film, thereby maximizing the light emitting efficiency. A GaN type light emitting diode device comprises a substrate(110), an n-type GaN layer(120) formed on the substrate, an active layer(130) formed on a part of the n-type GaN layer, a p-type GaN layer(140) formed on the active layer, a transparent conductive film(150) formed on the p-type GaN layer having a plurality of engraved irregularities(150a) apart from each other, a p-type electrode(170) formed on the transparent conductive film, and an n-type electrode(160) formed on the n-type GaN layer without the active layer.
Abstract translation: 通过提高透明导电膜的电流扩散效果，提供GaN型发光二极管装置，以使均匀电流流过整个芯片，从而使发光效率最大化。 GaN型发光二极管器件包括衬底（110），在衬底上形成的n型GaN层（120），形成在n型GaN层的一部分上的有源层（130），p型 形成在所述有源层上的GaN层（140），形成在所述p型GaN层上的透明导电膜（150），所述p型GaN层具有彼此分开的多个雕刻凹凸（150a），形成在所述p型电极 透明导电膜和形成在没有活性层的n型GaN层上的n型电极（160）。
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公开(公告)号：KR1020070022990A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077108
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 본딩금속과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, TCO로 이루어진 전류확산층 및 상기 전류확산층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 전류확산, 발광면적, TCO, 고휘도-
公开(公告)号：KR100631975B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050026514
申请日：2005-03-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/14
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve current diffusion and distribution by employing electrode shapes suitable for a rectangular plane of the nitride semiconductor light emitting device. An n-type nitride semiconductor layer(32) is formed on an upper surface of a substrate. An n-side electrode is comprised of an n-side bonding pad(37a) and an n-side electrode branch(37b). The n-side bonding pad is formed by being adjacent to an edge of an upper surface of the n-type nitride semiconductor layer. The n-side electrode branch is extended from the n-side bonding pad. A mesa structure is comprised of an active layer and a p-type nitride semiconductor layer(34) being sequentially stacked on the n-type nitride semiconductor layer where the n-type electrode is not formed. An ohmic contact layer(35) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p-side electrode(36) is formed on the ohmic contact layer and comprised of a p-side bonding pad(36a) and a p-type electrode branch(36b). The p-side bonding pad is formed by being adjacent to a center of a short side where the edge adjacent to the n-side bonding pad is not comprised. The p-side electrode branch is extended from the p-side bonding pad.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过采用适合于氮化物半导体发光器件的矩形平面的电极形状来改善电流扩散和分布。 在衬底的上表面上形成n型氮化物半导体层（32）。 n侧电极由n侧焊盘（37a）和n侧电极分支（37b）构成。 n侧接合焊盘通过与n型氮化物半导体层的上表面的边缘相邻而形成。 n侧电极分支从n侧焊盘延伸。 台面结构包括有源层和在没有形成n型电极的n型氮化物半导体层上依次堆叠的p型氮化物半导体层（34）。 欧姆接触层（35）形成在p型氮化物半导体层上。 在欧姆接触层上形成p侧电极（36），该p侧电极由p侧焊盘（36a）和p型电极分支（36b）构成。 p侧接合焊盘是通过与不包括与n侧接合焊盘相邻的边缘的短边的中心相邻而形成的。 p侧电极分支从p侧焊盘延伸。
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公开(公告)号：KR100586949B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020040003960
申请日：2004-01-19
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L2224/14 , Y10S257/918
Abstract: 본 발명은 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 투광성 기판과, 상기 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 다수의 오픈영역을 갖는 메쉬구조로 이루어진 고반사성 오믹콘택층과, 상기 고반사성 오믹콘택층 상면의 적어도 일부영역에 형성된 금속 배리어층과, 상기 금속 배리어층과 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p측 본딩전극 및 n측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)-
公开(公告)号：KR100576870B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040063214
申请日：2004-08-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 본 발명은 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 반도체 성장을 위한 광투과성 기판과, 상기 광투과성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며, Al함량이 다른 제1 및 제2 질화물층이 복수회 교대로 적층되어 이루어진 메쉬형 DBR 반사층과, 상기 메쉬형 DBR 반사층과 상기 메쉬형 DBR 반사층의 오픈영역에 노출된 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자 를 제공한다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)Abstract translation: 本发明是一种倒装芯片涉及一种氮化物半导体发光器件，用于将形成在透光基板上的氮化物半导体生长，n型氮化物半导体层的透光性基材，形成于活性层，所述n型氮化物半导体层，其中 形成在有源层上的p型氮化物半导体层;形成在p型氮化物半导体层上并包括具有不同Al含量的多个交替堆叠的第一和第二氮化物层的网型DBR反射层; DBR反射层以及形成在暴露于网状DBR反射层的开放区域中的p型氮化物半导体层上的欧姆接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100506743B1
公开(公告)日：2005-08-08
申请号：KR1020040074657
申请日：2004-09-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 플립칩 구조의 발광장치에 발광소자의 탑재용으로 사용되는 트랜지스터 형성 서브 마운트에 관한 것이다. 본 발명은, 플립칩 구조의 발광장치에서 질화물 반도체 발광소자를 탑재하기 위한 서브마운트에 있어서, 제1 도전형 반도체 물질로 이루어진 기판; 상기 기판 상의 일영역에 형성되며 제2 도전형 반도체 물질로 이루어진 제1 영역; 상기 기판 상에 상기 제1 영역과 소정간격 이격되어 형성되며, 제2 도전형 반도체 물질로 이루어진 제2 영역; 상기 제1 영역 및 제2 영역 상에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극; 및 상기 기판 배면에 형성되는 도전층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 질화물 반도체 발광소자의 n측 전극 및 p측 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 구비한 서브 마운트를 제공한다. 본 발명에 따르면, 플립칩 구조의 발광장치에서 질화물 반도체 발광소자로 흘러 들어가는 정전기 등에 의한 고압 전류를 차단하여 소자의 파괴를 방지하고 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100817275B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060100296
申请日：2006-10-16
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: An LED(light emitting diode) package is provided to minimize the loss of light caused by absorption or scattering of a package by mounting an LED chip in an LED chip mounting space part defined in a leadframe made of a conductive reflection member. A leadframe(50) is made of a pair of lead terminals, having a space part(50a) for defining an LED chip mounting space on the upper surface of the pair of lead terminal. A part of the leadframe is received in a package(20) having a radiation window opened to radiate light. An LED chip(60) is mounted in the upper space part of the leadframe in the package. The LED chip is electrically connected to the leadframe by a wire(70). A molding material(80) protects the LED chip and the wire, filled in the package. The spacer part of the leadframe is made of a groove having a minimum depth for burying the LED chip. The leadframe can be made of a conductive reflection member.
Abstract translation: 提供LED（发光二极管）封装，以通过将LED芯片安装在由导电反射构件制成的引线框中的LED芯片安装空间部分中来最小化由封装的吸收或散射引起的光的损失。 引线框架（50）由一对引线端子制成，具有用于在一对引线端子的上表面上限定LED芯片安装空间的空间部分（50a）。 引线框架的一部分被接收在具有打开以辐射光的辐射窗口的封装（20）中。 LED芯片（60）安装在封装中的引线框架的上部空间部分中。 LED芯片通过导线（70）电连接到引线框架。 成型材料（80）保护填充在包装中的LED芯片和电线。 引线框架的间隔部分由具有用于掩埋LED芯片的最小深度的凹槽制成。 引线框架可以由导电反射构件制成。
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公开(公告)号：KR100769720B1
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：KR1020060100294
申请日：2006-10-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/15156 , H01L2924/181
Abstract: A high-brightness light emitting device with a function of preventing electrostatic discharge damage is provided to prevent damage of the device due to electrostatic discharge shock by using an ESD shock protection element. A lead frame(50) has a pair of lead terminals(51,52). A package(10) receives a portion of the lead frame, and has a reflection window. An ESD shock protection element is mounted in a space on an upper surface of the lead frame, and an LED chip(30) is mounted on the upper surface of the lead frame to cover the space in such a way that the LED chip is directly isolated from the ESD protection element. A molding material(20) is filled in the package to protect the LED chip.
Abstract translation: 提供了具有防止静电放电损坏的功能的高亮度发光装置，以通过使用ESD防震元件来防止由于静电放电冲击造成的装置损坏。 引线框架（50）具有一对引线端子（51,52）。 包装（10）接收引线框架的一部分，并且具有反射窗口。 ESD冲击保护元件安装在引线框架的上表面上的空间中，并且LED芯片（30）安装在引线框架的上表面上以覆盖空间，使得LED芯片直接 与ESD保护元件隔离。 封装中填充成型材料（20）以保护LED芯片。
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公开(公告)号：KR1020070093653A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing an LED is provided to improve a light extraction efficiency and a light emissive efficiency by increasing the amount of an extracted lateral light using a convexo-concave portion. A light emissive structure composed of an N type semiconductor layer(103), an active layer(105) and a P type semiconductor layer(107) is formed on a substrate(101) with a plurality of device regions. An isolation trench(110) is formed at the light emissive structure by etching the N type semiconductor layer at a boundary between the device regions. A plurality of chips are separated from the substrate by cutting the substrate at the isolation trench. A convexo-concave portion(109) is formed at a lateral portion of the trench to supply the roughness to the N type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造LED的方法，以通过使用凸凹部分增加提取的侧向光量来提高光提取效率和发光效率。 在具有多个器件区域的衬底（101）上形成由N型半导体层（103），有源层（105）和P型半导体层（107）构成的发光结构。 通过在器件区域之间的边界处蚀刻N型半导体层，以发光结构形成隔离沟槽（110）。 通过在隔离沟槽处切割衬底，将多个芯片与衬底分离。 在沟槽的横向部分处形成凹凸部（109），以将粗糙度提供给N型半导体层。
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公开(公告)号：KR100730082B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，其上的预定的n型氮化物半导体层区形成的有源层，在有源层上的n型氮化物半导体层 和形成在p型氮化物半导体层，形成在层，p型电极的p型氮化物半导体和电流扩散层和形成在有源层具有上形成电流扩散层的两个p型分支电极 包括：在所述氮化物没有n型的n型电极与所述半导体层上的单个n型分支电极形成不是，并且具有n型分支电极在两个p型分支电极之间的结构形成， 其中从与n型电极相邻的透明电极的最外边缘到与其相邻的p型电极的距离相同。 它提供了设备。
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