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公开(公告)号：KR100762000B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020060000058
申请日：2006-01-02
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상면에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상면의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상면에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상면의 소정 영역에 형성된 p형 오믹접촉층과, 상기 p형 오믹접촉층 상면과 상기 p형 오믹접촉층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상면에 형성된 반사층과, 상기 반사층 상면에 형성된 p형 본딩 패드와, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상면에 형성된 n형 전극 및 상기 n형 전극 상면에 형성된 n형 본딩 패드를 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
발광소자, 오믹접촉, 반사율, 발광효율Abstract translation: 一种氮化物半导体发光器件，包括：形成在衬底的上表面上的n型氮化物半导体层;形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上的有源层;以及p型氮化物半导体层 所述p型氮化物半导体的反射层层的p型形成在其上表面层的预定区域的欧姆接触，并且形成在p型欧姆接触层上表面和p型欧姆接触层的上表面上不形成p型氮化物半导体层，和所述 提供p型焊垫，且高亮度的氮化物系半导体发光器件包括n型焊垫，被形成在形成于所述反射层的上表面上形成不形成顶面的n型氮化物半导体层上的n型电极和n型电极上表面上的活性层 的。
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公开(公告)号：KR100708935B1
公开(公告)日：2007-04-17
申请号：KR1020050093282
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 접촉저항 완충층과, 상기 제1 접촉저항 완충층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 n형 전극과, 상기 n형 전극이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체 상에 형성된 제2 접촉저항 완충층 및 상기 제2 접촉저항 완충층 상에 형성된 전류확산층을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 발광면적, 동작전압, 접촉저항-
公开(公告)号：KR100691264B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050066011
申请日：2005-07-20
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 전극에 의한 빛의 흡수를 방지하고, 전류확산을 향상시킬 수 있는 수직구조 질화물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명은, n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 하면에 형성된 활성층; 상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상면에 형성된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상면 일부 영역에 형성되며 적어도 하나의 층으로 형성된 반사전극층을 구비하는 n측 전극을 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
수직구조, 질화물 반도체 발광소자, LED, 투명전극, 반사전극-
公开(公告)号：KR1020070022990A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077108
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 본딩금속과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, TCO로 이루어진 전류확산층 및 상기 전류확산층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 전류확산, 발광면적, TCO, 고휘도-
公开(公告)号：KR1020070010981A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050066011
申请日：2005-07-20
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0008 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: A nitride semiconductor LED with a vertical structure is provided to prevent current from being concentrated on a portion under an n-side electrode and embody a uniform current diffusion by forming a transparent electrode layer on the upper surface of an n-type nitride semiconductor LED. An active layer(12) is formed on the lower surface of an n-type nitride semiconductor layer(11). A p-type nitride semiconductor layer(13) is formed on the lower surface of the active layer. A transparent electrode layer(18) is formed on the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer. An n-side electrode is formed on a partial region of the upper surface of the transparent electrode layer, including a reflection electrode layer(19) made of at least one layer. The reflection electrode layer includes a first layer made of a material selected from a group of Al, Ag, Pd, Pt and their compound.
Abstract translation: 提供具有垂直结构的氮化物半导体LED，以防止电流集中在n侧电极下方的部分，并且通过在n型氮化物半导体LED的上表面上形成透明电极层来实现均匀的电流扩散。 在n型氮化物半导体层（11）的下表面上形成有源层（12）。 p型氮化物半导体层（13）形成在有源层的下表面上。 在n型氮化物半导体层的上表面上形成透明电极层（18）。 在透明电极层的上表面的部分区域上形成有由至少一层构成的反射电极层（19）的n侧电极。 反射电极层包括由选自Al，Ag，Pd，Pt及其化合物的材料制成的第一层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070072826A
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：KR1020060127330
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A GaN type light emitting diode device and a method for manufacturing the same are provided to simplify a manufacturing process and improve a yield by forming simultaneously a transparent electrode and a protective layer without performing an etch process. An n type GaN layer(111) is formed on a substrate(100). An active layer(113) is formed on a predetermined region of the n type GaN layer. A p type GaN layer(115) is formed on the active layer. A transparent electrode(120) is formed on the p type GaN layer. A p type electrode(140) is formed on the transparent electrode. An n type electrode(130) is formed on the n type GaN layer on which the active layer is not formed. A protective layer(150) is formed on a resultant structure between the transparent electrode and the n type GaN layer. The protective layer is formed with a plasma-oxidized transparent layer.
Abstract translation: 提供一种GaN型发光二极管器件及其制造方法，以简化制造工艺并且通过同时形成透明电极和保护层而不进行蚀刻工艺来提高成品率。 在衬底（100）上形成n型GaN层（111）。 在n型GaN层的预定区域上形成有源层（113）。 在有源层上形成p型GaN层（115）。 在p型GaN层上形成透明电极（120）。 在透明电极上形成p型电极（140）。 在不形成有源层的n型GaN层上形成n型电极（130）。 在透明电极和n型GaN层之间的合成结构上形成保护层（150）。 保护层由等离子体氧化的透明层形成。
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公开(公告)号：KR100703091B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050083726
申请日：2005-09-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 발광 효율이 높고 동작 전압이 낮으며 정전기 내성이 높은 고휘도 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명은, 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전도성 산화물 다층막을 포함하고, 상기 투명 전도성 산화물 다층막은 전기 전도도가 서로 다른 2층 이상의 투명 전도성 산화막을 포함하되, 상기 투명 전도성 산화물 다층막은 제1 산화막/제2 산화막/제3 산화막의 적층 구조를 포함하고, 상기 제2 산화막의 전기 전도도는 제1 및 제3 산화막의 전기 전도도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다.
질화물, 발광 소자, 동작 전압, 확산Abstract translation: 一种高亮度氮化物半导体发光器件，具有高发光效率，低工作电压和高静电电阻。 本发明中，n型氮化物半导体层顺序地形成在衬底上，有源层和p型氮化物，其包括半导体层和形成在p型氮化物半导体层上的透明导电氧化物的多层膜，所述透明导电氧化物的多层膜具有导电性， 彼此，其包括：透明导电氧化物膜或其它两层，透明导电氧化物的多层膜具有第二氧化膜的导电性，其包括第一氧化物/第二氧化物膜的层叠结构/第三氧化物是在第一和第三 并且氧化膜的电导率低于氮化膜的电导率。
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公开(公告)号：KR100675220B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020050041406
申请日：2005-05-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 투명전극과, 상기 투명전극 상에 접속되도록 형성되어 있는 p형 본딩전극 및 알루미늄 또는 은을 함유하는 화합물로 이루어지며, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계 반도체 발광소자, n형 전극, 반사, 광추출효율Abstract translation: 在氮化物系半导体光作为根据所述设备，特别地，在衬底和在衬底上形成的n型氮化物半导体层被形成在本发明中，形成在有源层，所述n型氮化物半导体层，所述有源层 由是p型氮化物半导体层的，形成在p型氮化物半导体层上的透明电极，形成包含p接合电极，和铝或银的化合物，以便被连接到透明电极， 以及在n型氮化物半导体层上形成的n型电极。
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公开(公告)号：KR100650189B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050090319
申请日：2005-09-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A high brightness nitride based semiconductor light emitting device is provided to improve a current spreading effect and to prevent the loss of light reflected from a reflective electrode by forming the reflective electrode and a transparent electrode in parallel on a nitride semiconductor layer. An N type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate(110). An active layer(130) is formed on the N type nitride semiconductor layer. A P type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A reflective electrode(180) is formed on the P type nitride semiconductor layer. A transparent electrode(150) is formed on the P type nitride semiconductor layer parallel with the reflective electrode. A P type bonding pad(165) is formed on the reflective electrode. An N type electrode(170) is formed on the N type nitride semiconductor layer. An N type bonding pad(175) is formed on the N type electrode.
Abstract translation: 提供了一种高亮度氮化物基半导体发光器件，以通过在氮化物半导体层上并联形成反射电极和透明电极来改善电流扩散效果并防止从反射电极反射的光的损失。 在衬底（110）上形成N型氮化物半导体层（120）。 有源层（130）形成在N型氮化物半导体层上。 P型氮化物半导体层（140）形成在有源层上。 反射电极（180）形成在P型氮化物半导体层上。 透明电极（150）形成在与反射电极平行的P型氮化物半导体层上。 P型键合焊盘（165）形成在反射电极上。 在N型氮化物半导体层上形成N型电极（170）。 N型焊盘（175）形成在N型电极上。
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公开(公告)号：KR1020060118946A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041406
申请日：2005-05-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: A nitride-based semiconductor light emitting device is provided to improve reliability and light extraction efficiency by forming an n-type electrode made of a compound containing aluminum or silver. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate(110). An active layer(130) is formed on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor(140) is formed on the active layer. A transparent electrode(150) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p-type bonding electrode(160) is formed to be connected to the transparent electrode. An n-type electrode(200) is made of a compound containing aluminum or silver. The n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了一种氮化物基半导体发光器件，用于通过形成由含有铝或银的化合物制成的n型电极来提高可靠性和光提取效率。 在衬底（110）上形成n型氮化物半导体层（120）。 在n型氮化物半导体层上形成有源层（130）。 在有源层上形成p型氮化物半导体（140）。 在p型氮化物半导体层上形成透明电极（150）。 形成与透明电极连接的p型接合电极（160）。 n型电极（200）由含有铝或银的化合物制成。 n型电极形成在n型氮化物半导体层上。
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