公开(公告)号：KR1020050116211A

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020040041273

申请日：2004-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성호 ,  전태승 ,  강호성 ,  배종호

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67259

Abstract: 웨이퍼의 존재 유무를 감지하기 위한 웨이퍼 감지 장치는 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지 상에 구비되는 제1 센서 및 상기 스테이지로부터 소정 이격되어 구비되는 제2 센서를 이용하여 상기 스테이지 상에 상기 웨이퍼가 존재하는 지를 감지한다. 상기 제1 센서가 이물질 또는 오염 물질에 의해 감도가 저하되거나 이상이 발생하더라고 상기 제2 센서를 이용하여 상기 웨이퍼의 존재 유무를 확인할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050012616A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：KR1020030051750

申请日：2003-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박평선 ,  고영민 ,  강호성

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An inspection method for semiconductor device is provided to reduce stress applied to a photoresist by measuring automatically an alternate area adjacent to an original measurement area. CONSTITUTION: A measuring position of a semiconductor substrate that a same-shaped unit pattern is repeatedly formed thereon is decided(S105). A first measuring position is detected and measured(S110). If the first measuring position is not detected or measured(S115), a first adjacent area adjacent to the first measuring position is detected(S120). The first adjacent area is measured(S125). A second measuring position is detected and measured(S130). If the second measuring position is not detected or measured(135), a second adjacent area adjacent to the second measuring position is detected(S140). The second adjacent area is measured(S145).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的检查方法，以通过自动测量与原始测量区域相邻的交替区域来减少施加到光致抗蚀剂上的应力。 结构：决定在其上重复形成相同形状的单位图形的半导体衬底的测量位置（S105）。 检测并测量第一测量位置（S110）。 如果未检测或测量第一测量位置（S115），则检测与第一测量位置相邻的第一相邻区域（S120）。 测量第一相邻区域（S125）。 检测并测量第二测量位置（S130）。 如果未检测或测量第二测量位置（135），则检测与第二测量位置相邻的第二相邻区域（S140）。 测量第二相邻区域（S145）。

公开(公告)号：KR1020040050635A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1020020078496

申请日：2002-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강호성 ,  고영민 ,  배종호

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for sucking a substrate and a method for monitoring warpage using the same are provided to be capable of continuously monitoring warpage under a predetermined process and stably sucking the substrate. CONSTITUTION: An apparatus for sucking the substrate is provided with a substrate chuck(100) having a plurality of vacuum suction ports(150a,150b,150c) and a sensor part. At this time, the sensor part includes a plurality of sensors(160a,160b,160c) installed at each vacuum suction port for detecting the intensity of vacuum force of the vacuum suction port. The substrate adsorbing apparatus further includes a display part(170) connected with the sensors for displaying the degree of warpage according to the results supplied from the sensors.

Abstract translation: 目的：提供一种用于吸附基板的装置和使用该装置来监测翘曲的方法，以能够在预定的工艺下连续监测翘曲并稳定地吸取基板。 构成：用于吸附基板的装置设置有具有多个真空吸入口（150a，150b，150c）和传感器部分的基板卡盘（100）。 此时，传感器部分包括安装在每个真空吸入口处的多个传感器（160a，160b，160c），用于检测真空吸入口的真空力的强度。 基板吸附装置还包括与传感器连接的显示部（170），用于根据从传感器提供的结果显示翘曲程度。

公开(公告)号：KR1020010055912A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057247

申请日：1999-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강호성

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for measuring a critical dimension in a semiconductor measuring system is provided to permit an improvement in measurement precision. CONSTITUTION: In the method for measuring the critical dimension formed on a wafer in directions of x-axis and y-axis, an electron beam is scanned over the wafer to produce an electronic image, and then an image signal is picked out from the electronic image. Next, a slop line and a base line are determined from a calculation of the image signal. Thereafter, the critical dimension is calculated individually for each axis. Particularly, each specific gradient of the x-axis and the y-axis is separately used for respective calculations of an x-axis scan and a y-axis scan. Accordingly, an error in measuring directionality can be reduced.

Abstract translation: 目的：提供一种测量半导体测量系统中临界尺寸的方法，以提高测量精度。 构成：在用于测量在x轴和y轴的方向上形成在晶片上的临界尺寸的方法中，电子束在晶片上扫描以产生电子图像，然后从电子元件中挑出图像信号 图片。 接下来，从图像信号的计算确定斜线和基线。 此后，为每个轴分别计算临界尺寸。 特别地，x轴和y轴的每个特定梯度分别用于x轴扫描和y轴扫描的相应计算。 因此，可以降低测量方向性的误差。

公开(公告)号：KR1019980014572A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033601

申请日：1996-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영호 ,  강호성

IPC: H01L21/66

Abstract: 표준 파티클(Particle)을 웨이퍼(Wafer) 상부의 반쪽부분으로만 적층하여 민감도(Sensitivity)를 측정함으로써 공정을 셋업(Set Up)할 때 신뢰성이 높은 데이터(Data)를 제공하도록 개선시킨 반도체 파티클 측정설비의 기준시료에 관한 것이다.
본 발명은, 파티클에 대한 웨이퍼의 민감도를 나타내는 데이터의 신뢰성을 확보하기 위한 반도체 파티클 측정설비의 기준시료에 있어서, 상기 웨이퍼 상부의 전면으로 셋업하고자하는 제조공정의 박막이 적층되고 상기 웨이퍼의 지름을 기준으로 반으로만 표준 파티클이 상기 웨이퍼에 적층되어 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 파티클에 대한 웨이퍼의 민감도를 나타내는 데이터의 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.