公开(公告)号：KR1020010017411A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990032906

申请日：1999-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이조원 ,  김문경 ,  김병만 ,  윤석열 ,  노형래

IPC: H01L27/115

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/792

Abstract: PURPOSE: A single electron charging metal-nitride-oxide-semiconductor(MNOS) memory is provided to use a variation of a threshold voltage caused by single electron charging which is generated when a channel width of the MNOS memory is smaller than or the same as Debye screen length of an electron determined according to an impurity density of a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is of the first conductivity type. A channel of an inversion layer is formed on the semiconductor substrate. A source(22) and a drain(23) doped with the second conductivity type are formed in the substrate on both sides of the channel. An oxide layer(24) is formed on the channel. A nitride layer(25) is formed on the oxide layer. A gate(26) is formed on the nitride layer. Electrons are charged in trap sites formed between the oxide layer and the nitride layer. The width of the channel is smaller than Debye screen length LD that is as follows. LD = (epsilon multiplied by kB multiplied by T / q¬2 multiplied by NA)¬1/2 (LD; Debye screen length, epsilon; dielectric coefficient of the substrate, kB; Boltzmann's coefficient, T; absolute temperature, q; quantity of charge, and NA; impurity density of the substrate)

Abstract translation: 目的：提供单电荷充电金属氮化物 - 氧化物半导体（MNOS）存储器，以使用由单电荷充电产生的阈值电压的变化，当MNOS存储器的沟道宽度小于或等于 根据半导体衬底的杂质浓度确定的电子的德拜屏幕长度。 构成：半导体衬底是第一导电类型。 在半导体衬底上形成反转层的沟道。 掺杂有第二导电类型的源极（22）和漏极（23）形成在沟道两侧的衬底中。 在通道上形成氧化物层（24）。 在氧化物层上形成氮化物层（25）。 在氮化物层上形成栅极（26）。 电子被填充在形成在氧化物层和氮化物层之间的陷阱位置。 通道的宽度小于德拜屏幕长度LD，如下所示。 LD =（ε乘以kB乘以T / q乘以NA）¬1/ 2（LD;德拜屏幕长度，ε;衬底的介电系数，kB;玻尔兹曼系数，T;绝对温度，q;数量 的电荷，NA;衬底的杂质浓度）

公开(公告)号：KR1020090007122A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：KR1020070070777

申请日：2007-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김문경

IPC: G06F21/00 ,  G06F12/16

CPC classification number: G06F12/1416 ,  Y02D10/13

Abstract: A resistor and a computer system equipped with the same for including a security function of selectively controlling the writing and read operation are provided to protect data within the resistor and to prevent the stored data from being read out. A write signal, an address signal and a recording permission signal are input to an inscribe security-part(110). A storage(120) stores the transmitted input data in response to the first control signal. The storage resets the reset signal. The reset signal is once applied to the activation level in initial. The output signal and read out permission signal of the storage are input to the read out security-part(130).

Abstract translation: 提供了一种电阻器和配备有该电阻器的计算机系统，用于包括选择性地控制写入和读取操作的安全功能，以保护电阻器内的数据并防止存储的数据被读出。 写入信号，地址信号和记录许可信号被输入到铭牌安全部件（110）。 存储器（120）响应于第一控制信号存储发送的输入数据。 存储器复位复位信号。 初始化时，复位信号一旦被应用到激活电平。 存储器的输出信号和读出许可信号被输入到读出的安全部件（130）。

公开(公告)号：KR100825816B1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020070007946

申请日：2007-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김문경

IPC: G06F9/30 ,  G06F1/32 ,  G06F1/00

CPC classification number: G06F9/445 ,  G06F9/44542 ,  Y02D10/43

Abstract: A digital signal processor using handshake interface and a method of operating the digital signal processor are provided to vary application programs executable in the digital signal processor for improving extensibility, and change a power mode according to the operating state of the digital signal processor for reducing power consumption. A request signal for executing an application program is received from an external device(S11). An address corresponding to the request signal is read(S13). An application program code corresponding to the address is read from a program memory in which at least one application program code is recorded(S14). The requested application program is executed according to the read application program code(S15). A completion signal which represents that the execution of the application program is completed is output(S16).

Abstract translation: 提供使用握手接口的数字信号处理器和操作数字信号处理器的方法来改变在数字信号处理器中可执行的应用程序，以改善可扩展性，并根据数字信号处理器的工作状态改变功率模式以降低功率 消费。 从外部设备接收用于执行应用程序的请求信号（S11）。 读取与请求信号对应的地址（S13）。 从其中记录了至少一个应用程序代码的程序存储器中读取对应于地址的应用程序代码（S14）。 根据读取的应用程序代码执行所请求的应用程序（S15）。 输出表示应用程序的执行完成的完成信号（S16）。

公开(公告)号：KR100817082B1

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：KR1020070008085

申请日：2007-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김문경 ,  양유신

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G01N21/956 ,  H01L22/10

Abstract: A method for evaluating surface uniformity is provided to measure the surface uniformity of a sample while using a signal of a background level by including a signal process part for mapping the level of the background level and the coordinates of the surface of the sample. Light is irradiated to an inspection region of the surface of a sample with a plurality of repeated patterns. The light reflected and scattered from the inspection region is converted into an electrical signal. A signal of a background level of the electrical signal is extracted, having repeatability along the repeated patterns(S100). The extracted signal of the background level and the coordinates of the surface of the sample are mapped(S200). The extracted signal of the background level can be averaged in each repetition section(S300). A plurality of dies can be formed on the surface of the sample, having a semiconductor device pattern composed of a cell region and a peripheral region.

Abstract translation: 提供了一种用于评估表面均匀性的方法，通过包括用于映射背景水平的水平和​​样本表面的坐标的信号处理部分，在使用背景水平的信号的同时测量样本的表面均匀性。 光以多个重复图案照射到样品表面的检查区域。 从检查区域反射和散射的光被转换为电信号。 提取电信号的背景电平的信号，具有沿重复图案的重复性（S100）。 映射背景级别的提取信号和样本表面的坐标（S200）。 可以在每个重复部分中对提取的背景级别的信号进行平均（S300）。 可以在具有由单元区域和周边区域构成的半导体器件图案的样品的表面上形成多个管芯。

公开(公告)号：KR100684104B1

公开(公告)日：2007-02-16

申请号：KR1020050070631

申请日：2005-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김문경 ,  전충삼 ,  양유신

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501

Abstract: 결함을 효과적으로 검출할 수 있는 결함 검사 장치는, 기판을 지지하기 위한 제1 지지부, 제1 지지부에 인접하게 배치되며, 표준 시료를 지지하는 제2 지지부, 기판 및 표준 시료에 광들을 각각 조사하기 위한 광원부, 기판 및 표준 시료들로부터 반사된 광들을 각각 수집하기 위한 수광부, 반사광들에서 기판 및 표준 시료에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 검출부, 표준 시료로부터 검출된 결함들에 대한 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 검출 결과의 신뢰도를 산출하는 비교부, 그리고 신뢰도에 따라 기판에 대한 결함 검사 공정의 진행 여부를 결정하는 판단부를 포함한다. 표준 시료는 서로 다른 결함들을 각각 갖는 복수개의 단위 표준 시료들을 포함할 수 있고, 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 일체로 형성될 수 있다. 표준 시료를 결함 검사 장치에 내장시켜 결함 검사 장치의 정상 작동 여부를 신속, 용이, 그리고 정확하게 확인할 수 있다.

Abstract translation: 缺陷检查装置，其能够有效地检测缺陷，第一支撑部分，用于支撑衬底，在所述邻接配置于所述第一支撑，对于每个检测的光至所述第二支撑衬底，以及用于支撑所述参照样品的标准样品 根据基于来自所述光源，所述基板和所述光接收单元，用于分别收集的光从标准样品反射，检测器用于检测反射光存在于基材的缺陷和参考样品，标准样品检测到的缺陷的缺陷集合信息 比较该信息包括确定单元，用于确定是否缺陷检查步骤，用于根据所述比较单元的基板，并且计算检测结果的可靠性的可靠性的进度。 标准样品可以包括多个单元标准样品，每个具有不同的缺陷，并且第一支撑件和第二支撑件可以一体地形成。 标准样品可嵌入缺陷检测装置中，以快速，方便，准确地检查缺陷检测装置是否正常运行。

公开(公告)号：KR100652401B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050012914

申请日：2005-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주형 ,  한정희 ,  김정우 ,  민요셉 ,  김문경 ,  정연석

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 기판 상에 형성된 터널 절연막과, 터널 절연막 상에 형성된 스토리지 노드와, 스토리지 노드 상에 형성된 블로킹 절연막, 및 블로킹 절연막 상에 형성된 제어 게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 스토리지 노드는 트랩 밀도가 서로 다른 적어도 2 이상의 트랩막들을 포함하고, 블로킹 절연막은 실리콘 산화막보다 높은 유전율을 갖는다.

公开(公告)号：KR100618877B1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：KR1020040095051

申请日：2004-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채수두 ,  김문경 ,  이조원 ,  김정우

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 멀티비트 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 멀티비트 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판에 형성된 채널 영역, 채널 영역과 쇼트키 콘택을 이루고 있는 소오스 및 드레인, 채널 영역의 일부분 상에 형성된 중앙 게이트 전극, 중앙 게이트 전극 외측의 채널 영역에 형성된 제 1 및 제 2 측벽 게이트 전극들, 및 채널 영역과 측벽 게이트 전극들 사이에 형성된 제 1 및 제 2 스토리지 노드들을 포함한다.

公开(公告)号：KR100542747B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030053537

申请日：2003-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정수 ,  양유신 ,  김문경 ,  전상문 ,  최선용 ,  전충삼

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/55

Abstract: 피검체 상의 미세한 결함을 신속 및 정확하게 검사할 수 있는 결함 검사 방법 및 검사 장치가 개시되어 있다. 레시피 셋업(recipe setup) 단계에서 피검체 상에 형성된 미세 구조물을 영역별로 구분하고, 상기 영역별로 광을 조사하여 영역별 최적의 증폭 비를 미리 정의한다. 이후, 피검체 상의 적어도 두 영역에 순차적으로 광을 조사한다. 피검체로 반사된 광을 수집한 다음, 상기 반사광을 기 설정된 영역별 특성 값에 따라 증폭한다. 다음으로, 상기 증폭된 반사광을 분석하여 광이 조사된 영역의 결함 유무를 판별한다. 피검체 상의 영역별 특성 값을 미리 정의함으로써, 피검체 이미지의 침윤 현상을 방지할 수 있으며 피검체를 신속 및 정확하게 검사할 수 있다. 또한, 1차 검사 효율을 향상시킴으로써 불필요한 2차 검사에 소요되는 시간적, 재정적 손실을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100442815B1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：KR1019980015989

申请日：1998-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이조원 ,  김정우 ,  김병만 ,  김문경

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A single electron transistor and a fabricating method thereof are provided to improve reproducibility and homogeneity of a size of an island by using porous silicon as the island of the single electron transistor. CONSTITUTION: A porous silicon layer(40) including apertures having diameters less than 5nm is formed on a substrate(10). A source(20) and a drain(30) are formed on both sides of the porous silicon layer by using a metal. An insulating layer(50) is formed on the porous silicon layer by using an oxide. A gate(60) is formed on the insulating layer. The substrate is formed with an SOI substrate. A thickness of the porous layer is less than 10nm.

公开(公告)号：KR1020000055239A

公开(公告)日：2000-09-05

申请号：KR1019990003754

申请日：1999-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이조원 ,  김정우 ,  김병만 ,  김문경

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A non volatile single electron transistor memory is provided to secure a repeatability and a uniformity of an island by using a quantum dot for precisely controlling the size of the island to a unit of nanometer. CONSTITUTION: A non volatile single electron transistor memory comprises a silicon substrate(100), quantum dots(110) of a predetermined size, a source(120) and a drain(130), and a side gate. A SiO2 oxidation layer(100b) is formed on the silicon substrate. The quantum dots of a predetermined size are separated a predetermined interval from each other on the SiO2 oxidation layer. The source and drain are formed by evaporating a metal on the SiO2 oxidation layer including the quantum dots, having a predetermined number of the quantum dots used as an island, between the source and the drain. The side gate is formed on the SiO2 oxidation layer at a side surface of the source and drain, having a predetermined interval from the source and drain.

Abstract translation: 目的：提供非挥发性单电子晶体管存储器，以通过使用用于将岛的尺寸精确地控制到纳米单位的量子点来确保岛的重复性和均匀性。 构成：非易失性单电子晶体管存储器包括硅衬底（100），预定尺寸的量子点（110），源极（120）和漏极（130）以及侧栅极。 在硅衬底上形成SiO 2氧化层（100b）。 预定尺寸的量子点在SiO 2氧化层上彼此隔开预定的间隔。 源极和漏极通过在源极和漏极之间蒸发包括量子点的SiO 2氧化层上的金属形成，该量子点具有预定数量的用作岛的量子点。 在源极和漏极的侧表面上的SiO 2氧化层上形成侧栅，源极和漏极具有预定的间隔。