-
公开(公告)号：KR1020060064289A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020040103088
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 다공 생성 물질을 포함하는 충전재를 사용하여 층간 절연막의 손상을 최소화할 수 있는 미세 전자 소자의 듀얼 다마신 배선제조 방법이 제공된다. 듀얼 다마신 제조 방법은 비아를 다공 생성 물질(porogen)을 포함하는 충전재로 채운후, 비아를 매립한 충전재와 층간 절연막을 일부 식각하여 비아와 연결되고 배선이 형성될 트렌치를 형성한다. 이어서, 비아에 잔류하는 충전재의 다공 생성 물질을 제거하여 충전재내에 다공을 생성한 후, 다공이 생성된 충전재를 제거하고, 트렌치 및 비아를 배선 물질로 채워서 듀얼 다마신 배선을 완성한다.
듀얼 다마신, 층간절연막 손상, 다공 생성 물질-
-
公开(公告)号：KR100419901B1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：KR1020010031455
申请日：2001-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using dual damascene technology is provided to prevent an over-etch of a lower interconnection by using an etch stopping layer composed of an N-doped SiC layer. CONSTITUTION: An etch stopping layer(23) and an interlayer dielectric(26) are sequentially formed on a semiconductor substrate(100) having a lower conductive layer(20). A via hole(30) is formed to expose the etch stopping layer(23) by selectively etching the interlayer dielectric. A second photoresist pattern(32) is formed to expose portions of the interlayer dielectric(26) on the resultant structure. At this time, a photoresist residue(34) is remaining in the via hole. A groove(36) is formed by etching the exposed interlayer dielectric(26) using the second photoresist pattern(32) and the photoresist residue(34) as a mask. After removing the second photoresist pattern(32) and the photoresist residue(34), the surface of the lower conductive layer(20) is exposed by removing the exposed etch stopping layer(23). An N-doped SiC layer is used as the etch stopping layer(23).
Abstract translation: 目的：提供使用双镶嵌技术制造半导体器件的方法，以通过使用由N掺杂的SiC层构成的刻蚀停止层来防止对下互连的过度刻蚀。 构成：在具有下导电层（20）的半导体衬底（100）上依次形成刻蚀停止层（23）和层间绝缘层（26）。 通过选择性地蚀刻层间电介质来形成通孔（30）以暴露蚀刻停止层（23）。 形成第二光致抗蚀剂图案（32）以暴露所得结构上的部分层间电介质（26）。 此时，光刻胶残留物（34）留在通孔中。 通过使用第二光致抗蚀剂图案（32）和光致抗蚀剂残留物（34）作为掩模来蚀刻暴露的层间电介质（26）来形成凹槽（36）。 在去除第二光致抗蚀剂图案（32）和光致抗蚀剂残留物（34）之后，通过去除暴露的蚀刻停止层（23）来暴露下导电层（20）的表面。 使用N掺杂的SiC层作为蚀刻停止层（23）。
-
公开(公告)号：KR1020030063836A
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：KR1020020004178
申请日：2002-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재학
IPC: G06Q50/00
Abstract: PURPOSE: A bar code data service system and method is provided to automatically generate a bar code at a server as requested by an orderer, to enable a mobile device to recognize the bar code, transmit the recognized bar code to the server via an SMS(Short Message Service) and receive web site connection data corresponding to the bar code, and to enable a user to access the web site by using the bar code. CONSTITUTION: The system comprises a database(310), a communication module(320) and a control module(330). The database(310) stores a phone number and an e-mail address of a bar code user, bar code data corresponding to a bar code order request, web site data connectable by the generated bar code, and data necessary for a member authentication. The communication module(320) transmits or receives necessary data to or from a terminal connected to a network. The control module(330) analyzes the data transmitted from the communication module(320), generates a bar code according to the analysis result, transmits the bar code to a computer of the bar code orderer, searches for web site data in the database(310) if a bar code is transmitted via the communication module(320), and transmits the searched web site data, corresponding to the transmitted bar code data, to an e-mail address by using the database(310).
Abstract translation: 目的：提供条形码数据服务系统和方法，以按照订户的要求在服务器处自动生成条形码，以使移动设备能够识别条形码，并通过SMS将识别的条形码发送到服务器（ 短消息服务），并接收与条形码相对应的网站连接数据，并允许用户使用条形码访问网站。 构成：系统包括数据库（310），通信模块（320）和控制模块（330）。 数据库（310）存储条形码用户的电话号码和电子邮件地址，对应于条形码订单请求的条形码数据，可由所生成的条形码连接的网站数据以及会员认证所需的数据。 通信模块（320）向连接到网络的终端或从连接到网络的终端发送必要的数据。 控制模块（330）分析从通信模块（320）发送的数据，根据分析结果生成条形码，将条形码发送到条形码排序器的计算机，在数据库中搜索网站数据（ 310），如果经由通信模块（320）发送条形码，并且通过使用数据库（310）将与所发送的条形码数据相对应的搜索到的网站数据发送到电子邮件地址。
-
公开(公告)号：KR100389041B1
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020000070973
申请日：2000-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an interconnection using a hydrogen silsesquioxane(HSQ) layer as an interlayer dielectric is provided to simplify a process for forming the interconnection, by performing a plasma treatment regarding the HSQ layer so that the HSQ layer is not damaged in a photolithography process to directly pattern the HSQ layer. CONSTITUTION: A low dielectric layer is formed on a semiconductor substrate(10). A plasma treatment process is performed regarding the entire surface of the low dielectric layer. The plasma-treated low dielectric layer is patterned to form an opening exposing a predetermined region of the semiconductor substrate. A conductive layer filling the opening is formed on the entire surface of the semiconductor substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造使用氢倍半硅氧烷（HSQ）层作为层间电介质的互连的方法，以通过对HSQ层进行等离子体处理来简化形成互连的工艺，使得HSQ层不会在 光刻工艺直接图案化HSQ层。 构成：低介电层形成在半导体衬底（10）上。 关于低介电层的整个表面执行等离子体处理工艺。 经等离子体处理的低介电层被图案化以形成暴露半导体衬底的预定区域的开口。 填充开口的导电层形成在半导体衬底的整个表面上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010009815A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990028407
申请日：1999-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재학
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for making a contact wiring layer of a semiconductor device is provided to form a reliable wiring layer by using a copper as a wiring material. CONSTITUTION: An insulation layer is formed on a lower conductive layer, and a contact hole exposing the lower conductive layer is formed on the insulation layer. A barrier layer(24) is formed on a resultant structure including the contact hole. The barrier layer is annealed in a gas environment including a sulfur atom. A wiring layer is formed by depositing a copper(26) to fill the contact hole. The barrier layer is made of Ta, TaNx, W or WNx. The gas including a sulfur is H2S or H2S2. Thereby, a contact wiring layer of a semiconductor device forms a reliable wiring layer by using a copper as a wiring material.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的接触布线层的方法，以通过使用铜作为布线材料形成可靠的布线层。 构成：在下导电层上形成绝缘层，在绝缘层上形成露出下导电层的接触孔。 在包括接触孔的结构结构上形成阻挡层（24）。 阻挡层在包括硫原子的气体环境中退火。 通过沉积铜（26）以填充接触孔而形成布线层。 阻挡层由Ta，TaNx，W或WNx制成。 包括硫的气体是H 2 S或H 2 S 2。 由此，半导体器件的接触布线层通过使用铜作为布线材料形成可靠的布线层。
-
公开(公告)号：KR1020000065437A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011731
申请日：1999-04-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재학
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a plurality of contact structures having different depths is provided to guarantee stable contact resistance in contacting a gate electrode and a conductive material, and to prevent a second layer material of a multi-layered gate electrode from being severely recessed in forming a contact hole. CONSTITUTION: Contact holes exposing a plurality of conductive regions except a contact hole exposing a gate electrode(34) are simultaneously formed. A plurality of plugs respectively filling the contact holes are formed. A contact hole exposing the gate electrode is formed. A conductive layer pattern for filling up the contact hole exposing the gate electrode is formed while conductive layer patterns respectively connected to the plugs are formed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有不同深度的多个接触结构的方法，以确保在接触栅电极和导电材料时的稳定的接触电阻，并且防止多层栅电极的第二层材料严重凹陷 形成接触孔。 构成：暴露出暴露栅电极（34）的接触孔以外的多个导电区域的接触孔同时形成。 形成分别填充接触孔的多个插塞。 形成露出栅电极的接触孔。 形成用于填充露出栅电极的接触孔的导电层图案，同时形成分别连接到插塞的导电层图案。
-
公开(公告)号：KR100252005B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970058178
申请日：1997-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2924/01004 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A wire bonder is to accomplish excellent formation of a wire ball and to prevent a defective wire bonding by including a heating element which removes humidity of a wire. CONSTITUTION: A wire bonder(30) connecting a chip pad(12) of a semiconductor chip(11) to a lead(13) of a lead frame by a wire(10) comprises a heating element(40) which forms a wire ball(10a) excellently by removing humidity of the wire. The wire wound around and supplied from a spool(34) enters between the clamps and passes through a capillary(31) disposed below the clamps. The clamp picks up and fixes the bonded wire to cut it. A through hole(31a) is provided on the capillary to which a vibrator(35) for applying a supersonic vibration is fastened. A torch(33) arranged under the capillary applies a flame to a tip of the wire to form a wire ball(10a). A heater block(36) also applies heat to the chip and the lead. The heating element includes a metal cylinder having a coated film on its outside. The heating element further comprises a gas spraying nozzle which sprays a gas to the wire to remove the humidity therefrom.
Abstract translation: 目的：引线接合机是通过包括去除线的湿度的加热元件来实现线球的优良形成和防止有缺陷的引线接合。 构成：通过线（10）将半导体芯片（11）的芯片焊盘（12）连接到引线框架的引线（13）的引线接合器（30）包括形成线球的加热元件（40） （10a）通过除去电线的湿度非常好。 卷绕在卷轴（34）上的线材进入夹子之间并穿过设置在夹具下方的毛细管（31）。 夹具拾取并固定接合线以将其切割。 在毛细管上设置有通孔（31a），用于施加超音速振动的振动器（35）被紧固到所述毛细管上。 布置在毛细管下方的火炬（33）将火焰施加到电线的尖端以形成线球（10a）。 加热器块（36）还对芯片和引线施加热量。 加热元件包括在其外部具有涂膜的金属圆筒。 加热元件还包括气体喷射喷嘴，其将气体喷射到电线以从其中去除湿气。
-
公开(公告)号：KR1019990031672A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970052477
申请日：1997-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재학
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 텅스텐막 및 텅스텐 화합물 형성 방법에 관한 것으로, CVD 텅스텐 가스 소오스로서 기존의 WF6 대신 텅스텐 하이드라이드(WH2)를 사용함으로써, F이 없는 텅스텐막 및 텅스텐 화합물을 형성할 수 있고, F에 의한 하부 배리어 금속막(Ti) 또는 실리사이드막(TiSix, CoSix, etc) 또는 실리콘(Si) 등의 어택을 방지할 수 있으며, 따라서 콘택 저항 증가를 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100174981B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019960004335
申请日：1996-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/28
Abstract: 본 발명은 반도체 조립공정 중에 리드 프레임에 반도체 칩을 접착시키기 위해 그리드 프레임과 반도체 칩의 접착면 사이에 사용되는 에폭시(epoxy) 수지를 혼합하기 위한 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 칩 패키지 생산시 에폭시 수지에서 발생되는 보이드의 발생을 줄이므로써 리드 프레임과 반도체 칩이 접착하는데 있어서 양호한 점착성을 갖출 수 있도록 혼합시켜주기 위한 에폭시(epoxy) 수지 혼합장치에 관한 것이다.
본 발명은, 본 발명은, 에폭시 수지 튜브 내에 담겨있는 에폭시 수지를 혼합하기 위한 혼합장치에 있어서, 에폭시 수지 튜브, 상기 에폭시 수지 튜브가 고정되는 에폭시 수지 튜브홀더; 상기 에폭시 수지 튜브홀더를 상하좌우로 흔들기 위한 구동부; 및 상기 구동부를 주기적으로 동작시키기 위한 콘트롤부로 구성됨을 특징으로 하는 에폭시(EPOXY)수지 혼합장치를 제공한다.
따라서, 상기 전술한 바에 의하면, 에폭시 수지에 보이드가 적게 발생하는 혼합이 가능한 이점이 있고, 다이 어태치 공정시 반도체 칩과 리드 프레임의 융착률이 향상되는 이점이 있으며, 와이어 본딩 공정에서의 와이어의 연결이 정밀하게 되므로 제품의 신뢰성 및 생산성이 향상되는 이점(利點)이 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.022 seconds)
