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公开(公告)号：KR1020170052944A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150155098
申请日：2015-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L23/53266
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는층간절연막, 상기층간절연막내에형성되는제1 폭의제1 트렌치, 상기층간절연막내에형성되고, 상부와하부를포함하는제2 트렌치로, 상기제2 트렌치의제2 폭은상기제1 폭보다넓은제2 트렌치, 상기제1 트렌치를채우고, 제1 금속을포함하는제1 배선및 상기제2 트렌치를채우고, 하부배선과상부배선을포함하는제2 배선을포함하되, 상기하부배선은상기제2 트렌치의하부를채우고상기제1 금속을포함하고, 상기상부배선은상기제2 트렌치의상부를채우고, 상기제1 금속과다른제2 금속을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括层间绝缘膜，在第一沟槽中形成，这是在层间绝缘膜上形成具有第一宽度的层之间的绝缘膜，其包括顶部和底部的第二沟槽，所述第二沟槽的第二宽度是该第一 以及第二布线，其填充第一沟槽并填充包括第一金属和第二沟槽的第一布线并且包括下布线和上布线， 上部布线填充沟槽2的下部，上部布线填充第二沟槽的上部并且包括不同于第一金属的第二金属。
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