반도체 공정에서 포토레지스트 패턴 형성 방법,포토레지스트 패턴 형성용 템플레이트 및 이의 제조 방법.
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    发明授权
    반도체 공정에서 포토레지스트 패턴 형성 방법,포토레지스트 패턴 형성용 템플레이트 및 이의 제조 방법. 失效
    用于形成掩模图案的方法,用于形成掩模图案的模板和用于形成模板的方法

    公开(公告)号:KR100566700B1

    公开(公告)日:2006-04-03

    申请号:KR1020040002835

    申请日:2004-01-15

    CPC classification number: B82Y10/00 B82Y40/00 G03F7/0002 G03F7/0015

    Abstract: 반도체 장치에서 임프린트 방식으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 포토레지스트를 코팅한다. 상기 포토레지스트의 상부면에, 광 투과판과 상기 광 투과판으로 조사되는 광을 선택적으로 차단시키기 위한 광 차단막 패턴 및 상기 광 투과판 및 광 차단막 패턴의 프로파일에 의해 형성되고 포토레지스트를 임프린트하기 위한 요철부를 구비하는 템플레이트를 압착시켜, 상기 포토레지스트를 임프린트한다. 상기 템플레이트를 통해 광을 조사하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광한다. 이어서, 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 방법에 의하면, 마스트 패턴 형성을 위한 식각 공정을 생략할 수 있어 공정이 단순화되는 효과가 있다.

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