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公开(公告)号：KR1020140144960A
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130067223
申请日：2013-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L27/10855 , H01L27/11582 , H01L29/66795 , H01L21/0273 , G03F1/36 , G03F7/027
Abstract: 본 발명은 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서는 요철 구조를 가지는 중성막 상에 블록 공중합체층을 형성하고 상분리를 유도한다. 중성막은 친수성 고분자와 소수성 고분자 모두에 대해 친화력을 가져, 요철 구조에서 수직 배양이 잘 이루어져 유도 자기 조립 현상이 잘 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 提供了形成图案的方法。 根据该方法，在具有凹陷结构的中性层上形成嵌段共聚物层以引起相分离。 中性层与亲水性聚合物和疏水性聚合物具有化学亲和力，容易形成垂直培养和诱导自组装现象。
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公开(公告)号：KR1020140089690A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130001390
申请日：2013-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683 , Y10S438/942 , H01L21/0273 , H01L21/28017 , H01L21/28123
Abstract: In a method of forming contact holes, a first guide pattern extending in a first direction and having a plurality of first openings in a second direction which is perpendicular to the first direction is formed on an etch target layer. A first block copolymer structure is formed in the first openings. The first block copolymer includes a plurality of first material layers arranged with a first pitch in the first direction and a second material layer filling a remaining part of the first opening. The first material materials are removed to form first holes. A plurality of second guide patterns extends in the first direction and is formed in the second direction on the first guide pattern and the second material layer. When viewed from the top, the second guide pattern includes second openings formed between the first openings. A second block copolymer structure is formed in the second openings. The second block copolymer includes a plurality of third material layers arranged with a second pitch in a first direction and a fourth material layer filling the remaining part of the first openings. The third material materials are removed to form second holes. An etch target layer part overlapping with the first or second holes are removed.
Abstract translation: 在形成接触孔的方法中，在蚀刻目标层上形成有沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上具有多个第一开口的第一引导图案。 在第一开口中形成第一嵌段共聚物结构。 第一嵌段共聚物包括在第一方向上以第一间距排列的多个第一材料层和填充第一开口的剩余部分的第二材料层。 第一材料被去除以形成第一孔。 多个第二引导图案沿着第一方向延伸并且在第一方向上形成在第一引导图案和第二材料层上。 当从顶部观察时，第二引导图案包括形成在第一开口之间的第二开口。 在第二开口中形成第二嵌段共聚物结构。 第二嵌段共聚物包括在第一方向上以第二间距布置的多个第三材料层和填充第一开口的剩余部分的第四材料层。 第三材料被去除以形成第二孔。 去除与第一或第二孔重叠的蚀刻目标层部分。
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公开(公告)号：KR1020020061723A
公开(公告)日：2002-07-25
申请号：KR1020010002656
申请日：2001-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: An apparatus for loading a wafer is provided to reduce contamination of the inside of a loading unit and to minimize recontamination of the wafer caused by the contamination of the loading unit, by exhausting gas byproducts on the wafer through the second door unit. CONSTITUTION: A plurality of slots are positioned at both side surfaces of the loading unit(10), in parallel with each other. A plurality of wafers(W) are loaded into the loading unit, supported by the plurality of wafers. The first door unit(12) is installed on the front surface of the loading unit. The first door unit opens or closes the front surface of the loading unit to unload the wafer stacked in the loading unit. The second door unit(14) connects the inside and the outside of the loading unit, installed in a predetermined portion on the back surface of the loading unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于装载晶片的装置，以减少加载单元内部的污染，并且通过通过第二门单元排出晶片上的气体副产物，最小化由加载单元的污染引起的晶片的再污染。 构成：多个狭槽彼此平行地定位在加载单元（10）的两个侧表面处。 多个晶片（W）被装载到由多个晶片支撑的装载单元中。 第一门单元（12）安装在装载单元的前表面。 第一门单元打开或关闭装载单元的前表面以卸载堆叠在装载单元中的晶片。 第二门单元（14）连接装载单元的内侧和外侧，安装在装载单元的后表面上的预定部分中。
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公开(公告)号：KR1020000052112A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990002968
申请日：1999-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning a wafer is provided to perform a cleaning operation more easily than a chemical processing method, by eliminating fine particles, by preventing an unnecessary etching of a layer, and by eliminating the need to perform a drying process. CONSTITUTION: An apparatus(1) for cleaning a wafer comprises a wafer supporting element(21) supporting the wafer and an exhaust element. The exhaust element absorbs particles on a cleaning surface of the wafer and exhausts the particles to the exterior, connected to an external absorbing apparatus.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁晶片的装置，通过防止层的不必要的蚀刻，并且不需要进行干燥处理，通过消除细小颗粒，比化学处理方法更容易进行清洗操作。 构成：用于清洁晶片的装置（1）包括支撑晶片的晶片支撑元件（21）和排气元件。 排气元件吸收晶片的清洁表面上的颗粒并将颗粒排出到外部，连接到外部吸收装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100234401B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970001303
申请日：1997-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 용액과, 비이온성 계면 활성제를 포함하는 세정액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의하면, 특히 금속막의 CMP 공정을 진행한 후 사용하는 경우에 그 공정의 최적화를 이룰 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980075138A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970011252
申请日：1997-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 상부표면에서의 산화막의 식각문제를 해결할 수 있으며 중금속 불순물 오염의 제거도 가능한 중금속 이온불순물 제거 세정방법을 개시한다.
반도체 장치 세정 방법에 있어서, 씨트릭 산을 이용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 중금속 이온불순물 제거 세정 방법을 제공한다. 상기 씨트릭 산은 과산화수소와 암모니아와 물을 혼합한 용액에 첨가하여 사용한다. 상기 중금속 이온불순물은 알루미늄, 철, 구리, 주석, 니켈 및 나트륨등을 포함하는 금속형 이온을 말한다. 상기 씨트릭 산은 10~30wt%의 용액을, 상기 과산화수소는 30wt%의 용액을, 상기 암모니아는 30wt%의 용액을 사용하고 상기 물은 탈이온수를 이용한다. 상기 혼합한 용액의 사용온도는 23~80℃의 범위에서 사용하고 진행시간은 1~20분 정도의 이내에서 사용한다. 상기 씨트릭 산은 100PPM에서 20000PPM 이내의 것을 첨가한다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 표면에 잔존하고 있는 중금속 이온들을 씨트릭 산이 킬레이트 화합물로 만들어 액중에 안정적으로 가지게 됨으로써 웨이퍼에 재부착하는 것을 방지하게 하고 기존 공정인 희석된 HF 세정공정의 진행이 필요없게 함으로써 웨이퍼 상부표면에서의 산화막의 식각문제를 해결할 수 있으며 또한 중금속 불순물 오염의 제거도 가능하게 한다.-
公开(公告)号：KR1019980066002A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001303
申请日：1997-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 세정액은 TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 용액과, 비이온성 계면 활성제를 포함한다. 본 발명에 의하면, 특히 금속막의 CMP 공정을 진행한 후에 사용하는 경우에 그 공정의 최적화를 이룰 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980065698A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000811
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: IPA 증기 드라이어에 관하여 개시한다. 본 발명은 헹굼(rinse) 공정을 거친 웨이퍼가 장입되는 제1 챔버와, 상기 제1 챔버와 연결되고 IPA 증기를 이용하여 상기 웨이퍼를 건조시키는 공정이 진행되는 제2 챔버와, 상기 제2 챔버의 소정 부위에 형성된 배기관을 구비한 IPA 증기 드라이어에 있어서, 상기 배기관을 통하여 배기되는 기체의 양을 자동으로 조절하는 자동 배기 증감 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 자동 배기 증감 장치를 구비하여 배기량이 자동으로 조절되도록 함으로써 공정의 효율성을 증가시킬 뿐만 아니라 제조 수율을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980011994A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029346
申请日：1996-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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