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公开(公告)号：KR102233575B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140017578A
申请日：2014-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: 미세 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상에 리세스를 포함하는 가이드 패턴을 형성한다. 가이드 패턴 상에 중성막을 형성한다. 중성막 상에 블록 공중합체를 사용하여 자기정렬 패턴들을 형성한다. 자기정렬 패턴들 중 일부를 제거한다. 중성막 상에 알코올계 용매에 용해된 포토레지스트 물질을 사용하여 잔류하는 자기정렬 패턴을 부분적으로 커버하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트 패턴 및 자기정렬 패턴을 식각 마스크로 사용하여 중성막 및 가이드 패턴을 부분적으로 식각한다. 포토레지스트 패턴 형성을 위해 알코올계 용매를 사용하므로, 자기정렬 패턴의 손상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160072619A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020140180500
申请日：2014-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08L53/00 , G03F7/002 , G03F7/0035 , G03F7/165 , G03F7/2022 , G03F7/2059 , G03F7/40 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L27/10855
Abstract: 미세패턴형성방법에서는피쳐층위에규칙적으로배열된복수의필라(pillar)형가이드를형성하고, 복수의필라형가이드각각의주위에제1 폴리머블록및 제2 폴리머블록을포함하는퓨어블록공중합체와, 제1 호모폴리머와, 제2 호모폴리머를포함하는블록공중합체층을형성한다. 블록공중합체층을상분리하여, 제1 폴리머블록및 제1 호모폴리머를포함하고복수의필라형가이드와함께규칙적인배열을이루는복수의제1 도메인과, 제2 폴리머블록및 제2 호모폴리머를포함하고복수의필라형가이드및 복수의제1 도메인을각각포위하는제2 도메인을형성한다. 복수의제1 도메인을제거한후, 복수의필라형가이드및 제2 도메인을식각마스크로이용하여피쳐층을식각하여복수의홀을형성한다.
Abstract translation: 本发明的技术目的在于提供一种集成电路器件的制造方法，该集成电路器件容易地实现集成电路器件，该集成电路器件在有限的区域中包含重复形成为细间距的多个孔图案。 在精细图案形成方法中，在特征层上形成规则排列的多个柱状引导件。 含有第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段的纯嵌段共聚物和含有第一均聚物和第二均聚物的嵌段共聚物层形成在每个柱型引导件的周围。 通过进行嵌段共聚物层的相分离，形成多个第一区域，其包含第一聚合物嵌段和第一均聚物并且与柱状引导体规则地排列，并且第二区域包含第二聚合物嵌段和 第二均聚物，并且分别围绕柱型引导件和第一域。 在移除第一区域之后，通过使用柱状引导件和第二区域作为蚀刻掩模来蚀刻特征层来形成多个孔。
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公开(公告)号：KR1020130124861A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048321
申请日：2012-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/308 , G03F1/00 , G03F1/70 , G03F7/0002 , G03F7/2024 , G03F7/203 , G03F7/70466 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0335
Abstract: A method for forming patterns comprises a first exposure step for exposing at least one first region in a photoresist layer; a process for forming at least one first hole by removing the first region by using a first developing solution; a second exposure step for exposing at least one second region surrounding the first hole in the photoresist layer; a process for forming at least one second hole by removing the non-exposure region of the photoresist layer by using a second developing solution.
Abstract translation: 用于形成图案的方法包括用于曝光光致抗蚀剂层中的至少一个第一区域的第一曝光步骤; 通过使用第一显影液去除第一区域来形成至少一个第一孔的方法; 第二曝光步骤，用于暴露光致抗蚀剂层中围绕第一孔的至少一个第二区域; 通过使用第二显影液去除光致抗蚀剂层的非曝光区域来形成至少一个第二孔的工艺。
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公开(公告)号：KR100694601B1
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：KR1020010002656
申请日：2001-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/68
Abstract: 반도체 공정을 수행하는 과정에서 웨이퍼의 오염 발생을 최소화할 수 있는 웨이퍼 적재 장치가 개시되어 있다. 양쪽의 측면부에 나란하도록 위치하는 다수개의 슬릿(slot)이 구비되고, 다수매의 웨이퍼가 삽입되기 위한 적재부와, 상기 적재부의 전면에 구비되고, 상기 삽입된 웨이퍼가 외부로 입출하도록 상기 적재부 전면을 개폐하는 제1 도어부와, 상기 적재부 배면의 소정 부위에 구비되고, 상기 적재부의 내부와 외부를 도통하기 위한 제2 도어부로 구성되는 웨이퍼 적재 장치를 제공한다. 따라서 상기 웨이퍼 적재 장치는 상기 본체부가 상기 도어부에 의해 닫혀있더라도, 상기 본체부의 하부에 구비되는 개폐부에 의해 상기 본체부의 내부를 외부와 도통되어 상기 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100463746B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1019980032307
申请日：1998-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 이소프로필알코올과 같은 저비점의 알코올의 증기를 스팀과 함께 사용하여 웨이퍼를 건조시키는 건조장치에 관한 것이다.
도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 건조장치는, 린스챔버(1)와 상기 린스챔버(1)의 상방에 위치하는 건조챔버(2) 및 상기 건조챔버(2)에 연결되어 상기 건조챔버(2)에 스팀과 알코올증기의 혼합증기를 공급하는 스팀알코올혼합기(9)를 포함하여 이루어진다.
따라서, 별도로 알코올을 가열시키지 않음은 물론 건조 중에도 별도의 온도조절의 필요없이 스팀 자체의 열에 의하여 상기 스팀알코올혼합증기를 고온상태로 지속적으로 유지하면서 웨이퍼(6)를 건조시켜 웨이퍼(6)의 건조속도를 빠르게 함은 물론 건조된 웨이퍼(6) 표면 상에 수적에 의한 물반점의 형성을 억제할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980012037A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031222
申请日：1996-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR100126784B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019940016452
申请日：1994-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: A method for cleaning a semiconductor substrate and a cleaning liquid used therein is disclosed. A semiconductor substrate, particularly the semiconductor substrate where a polycide structure is formed, is cleaned by the cleaning liquid of TC-1. The TC-1 is the liquid which is obtained by mixing aqueous solutions of tetra Methyl Ammonium Hydroxide(NR4OH) and H2O2 and delonized water. A word line layer is formed on the semiconductor substrate, it is one selected from the group consisting of a metal layer, a metal nitride layer, metal silicide layer, layers of polysilicon and metal, layers of polysilicon and metal silicide, and layers of polysilicon and metal nitride. Thereby, it is possible to remove particle, polymer and metallic impurities without the damage of a word line structure.
Abstract translation: 公开了一种用于清洁其中使用的半导体衬底和清洁液体的方法。 半导体衬底，特别是形成多晶硅结构的半导体衬底，被TC-1的清洗液清洗。 TC-1是通过混合四甲基氢氧化铵（NR4OH）和H 2 O 2的水溶液和脱水的水而获得的液体。 在半导体衬底上形成字线层，它是选自金属层，金属氮化物层，金属硅化物层，多晶硅和金属层，多晶硅和金属硅化物层以及多晶硅层 和金属氮化物。 由此，可以除去粒子，聚合物和金属杂质，而不会损坏字线结构。
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公开(公告)号：KR1019970067664A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960006295
申请日：1996-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 제거할 수 있는 반도체 장치의 세정액 및 이를 응용한 세정방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 불화암모늄, 초산, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정한다.
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公开(公告)号：KR1019970060425A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960001677
申请日：1996-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 제거할 수 있는 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막상에 형성된 포토 레지스터 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창상에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 질산 에틸렌글리콜, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정한다.
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