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公开(公告)号：KR1020170114514A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160041561
申请日：2016-04-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/3016 , G02B5/3083 , H01L27/3232 , H01L51/5265 , H01L51/5275 , H01L51/5281
Abstract: 유기발광표시패널, 그리고상기유기발광표시패널의일면에위치하고편광자및 보상필름을포함하는원편광판을포함하고, 상기보상필름의제1 방향에대한위상지연은상기유기발광표시패널의제1 방향에대한위상지연을고려하여광학설계되는유기발광장치에관한것이다.
Abstract translation: 包括一个圆偏振片包括有机发光显示面板，并且位于有机光的侧发光显示面板，偏振器和补偿膜，和在补偿膜的第一方向上的有机光的第一方向发光显示面板的相位延迟 本发明涉及考虑到相位延迟而光学设计的有机发光装置。
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公开(公告)号：KR1020170100724A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160022906
申请日：2016-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/317 , G01R31/28
CPC classification number: G06F1/20 , G06F11/073 , G06F11/3037 , G06F11/3051 , G06F11/321 , G06F12/16
Abstract: 메모리장치진단시스템은메모리장치및 중앙서버를포함한다. 메모리장치는파라메터제어신호에응답하여파라메터를조절하는메모리모듈, 피드백신호에응답하여파라메터제어신호를변경하는메모리컨트롤러및 메모리모듈을모니터링하여정보신호를생성하는메모리상태감시부를포함한다. 중앙서버는정보신호를수집하고, 정보신호에기초하여메모리모듈의사용패턴을나타내는피드백신호를생성하여메모리장치에전달한다.
Abstract translation: 存储设备诊断系统包括存储设备和中央服务器。 存储器装置包括响应于参数控制信号调整参数的存储器模块，响应于反馈信号改变参数控制信号的存储器控制器以及监视存储器模块并产生信息信号的存储器状态监视器。 中央服务器收集信息信号并基于信息信号产生指示存储器模块的使用模式的反馈信号，并将其发送到存储器装置。
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公开(公告)号：KR101676816B1
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020100012894
申请日：2010-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 여기에제공되는플래시메모리장치의프로그램방법은선택된워드라인의메모리셀들을프로그램하고, 검증동작을수행하여상기선택된워드라인의메모리셀들의문턱전압들이목표상태들의검증레벨들과같거나높은지의여부를판별하는것을포함하고, 상기목표상태들각각과관련된상기검증동작의시작점은상기목표상태들이전에행해진초기상태들의프로그래밍동안최초로검출된적어도하나의패스비트의위치에의거하여결정되고, 상기목표상태들각각과관련된상기검증동작의종료점은상기목표상태들중 최하위목표상태의패스정보에의거하여결정된다.
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公开(公告)号：KR1020160079448A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140190806
申请日：2014-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/3016 , C09K19/2007 , C09K19/3068 , C09K19/46 , C09K2019/0448 , C09K2019/2035 , C09K2019/3083 , C09K2219/03 , G02B1/11 , G02B5/3083 , C08J5/18 , C08F2/44 , C08F2/50 , C08F220/26 , C09K19/42 , G02B5/00
Abstract: 하기화학식 1로표현되는제1 액정화합물과하기화학식 2로표현되는제2 액정화합물을포함하고, 상기제1 액정화합물과상기제2 액정화합물의용해도파라미터의차이는 2.50 내지 2.90인광학필름용조성물, 필름및 표시장치에관한것이다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 또는 2에서, X, R내지 R, Z, n, m 및 p는명세서에기재한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于光学薄膜，薄膜和显示装置的组合物。 该组合物包含由化学式1表示的第一液晶化合物和由化学式2表示的第二液晶化合物，其中第一液晶化合物和第二液晶化合物的溶解度参数差为2.50至2.90。 在化学式1或2中，X，R 1至R 9，Z，n，m和p与说明书中所述相同。 根据本发明，可以简化处理，并且可以提高显示性能，同时光学膜的厚度不增加。
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公开(公告)号：KR101634363B1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020090094376
申请日：2009-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C7/1048 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치및 그것의프로그램방법에관한것이다. 본발명의불휘발성메모리장치의프로그램방법은, (a) 비활성화된검증동작에의하여메모리셀들을프로그램하는단계; 및 (b) 활성화된검증동작에의하여상기메모리셀들을프로그램하는단계를포함하되, 상기비활성화된검증동작시, 상기메모리셀들의비트라인들에대한프리차지가차단된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101616100B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020090091233
申请日：2009-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F11/1072 , G11C11/10
Abstract: 본발명은메모리시스템및 그것의동작방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른메모리시스템은데이터를저장하기위한플래시메모리; 상기플래시메모리의선택페이지에저장될 N개의물리적페이지를임시로저장하기위한버퍼메모리; 및파셜인터리브방식을이용하여상기버퍼메모리로부터섹터데이터를입력받고, 상기입력받은섹터데이터로부터패러티비트를생성하는 ECC 회로를포함한다. 상기 N개의물리적페이지는 M개의페이지그룹으로구분되고, 상기 M개의페이지그룹사이의비트에러율불균형을완화하기위하여상기선택페이지에해당하는메모리셀들의문턱전압분포를조정한다. 본발명의실시예에따른메모리시스템에의하면, 비트에러율불균형을완화할수 있고, ECC 회로의부담을줄일수 있으며, 버퍼메모리의크기도줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101554727B1
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020090063632
申请日：2009-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치및 그것의프로그램검증방법에관한것이다. 본발명에따른불휘발성메모리장치는선택워드라인으로프로그램전압을제공하고프로그램검증동작을수행한다. 그리고상기프로그램검증결과에따라다음프로그램루프에서의비트라인전압을조절할수 있다. 상기프로그램검증동작을수행하는단계에서, 목표검증전압은프리검증전압으로사용할수 있다. 본발명에따른불휘발성메모리장치는프로그램검증결과에따라, 다음프로그램루프에서의비트라인전압을조절함으로, 메모리셀의문턱전압분포를좁게할 수있다. 본발명에따른불휘발성메모리장치는목표검증전압을프리검증전압으로사용함으로, 프로그램검증속도를좀 더빠르게할 수있다.
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28.发明公开
公开(公告)号：KR1020150062652A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020130147520
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A61K9/127 , A61K31/7076 , A61K31/7056
CPC classification number: A61K31/704 , A61K9/0009 , A61K9/127 , A61K41/0033 , A61K47/26
Abstract: 초음파감응제를포함한초음파감응성리포좀, 그를포함한약제학적조성물및 그를이용하여개체의체내에활성제를효율적으로전달하는방법을제공한다.
Abstract translation: 提供了包含声敏剂，包含其的药物组合物和使用超声敏感性脂质体将活性剂有效递送到受试者的方法的超声敏感性脂质体。 根据本发明的一个实施方案，所述超声敏感脂质体包含：脂双层; 和安置在脂质双层中的超声敏敏剂，其中，当暴露于超声波时，该超声敏敏剂自组装形成聚集体。
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公开(公告)号：KR1020150055166A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020130136351
申请日：2013-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3404
Abstract: 비휘발성메모리장치의구동방법이제공된다. 상기비휘발성메모리장치의구동방법은비휘발성메모리장치의구동방법은제1 루프구간동안다수의제1 프로그램펄스를이용하여다수의비휘발성메모리셀을제1 프로그램하여, 상기다수의비휘발성메모리셀의문턱전압을제1 방향으로이동시키고, 리버스쉬프트(reverse shift) 구간동안상기다수의비휘발성메모리셀의문턱전압을상기제1 방향과다른제2 방향으로이동시키고, 제2 루프구간동안다수의제2 프로그램펄스를이용하여상기다수의비휘발성메모리셀을제2 프로그램하여, 상기다수의비휘발성메모리셀의문턱전압을다시제1 방향으로이동시킨다.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件的驱动方法。 非易失性存储器件的驱动方法包括：在第一循环期间使用多个第一编程脉冲来首先对多个非易失性存储单元进行编程，将非易失性存储单元的阈值电压移动到第一方向; 将非易失性存储单元的阈值电压移动到与反向移位期间的第一方向不同的第二方向; 在第二循环期间使用多个第二编程脉冲来二次编程非易失性存储单元，将非易失性存储单元的阈值电压再次移动到第一方向。
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公开(公告)号：KR1020150032389A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111389
申请日：2013-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/24 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/3418 , G11C16/3422 , G11C16/3427 , G11C16/3431
Abstract: 본 발명은 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 상기 불휘발성 메모리 장치는 수직으로 적층되며 하나의 비트 라인을 공유하는 적어도 두 개의 셀 스트링들을 포함하며, 상기 셀 스트링들 사이의 디스터브 환경을 기초로 프리차지 조건을 설정하는 단계, 상기 셀 스트링들 중 선택되지 않은 셀 스트링들을 상기 프리차지 조건에 응답하여 프리차지하는 단계 및 상기 셀 스트링들 중 선택된 셀 스트링에 포함된 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함한다. 본 발명의 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법에 의하면, 비선택 비트라인에 대한 프리차지 동작이 디스터브 환경 적응적으로 수행될 수 있으므로 프로그램 디스터브가 방지되면서도 프로그램 속도가 빨라질 수 있다.
Abstract translation: 非易失性存储器件及其编程方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其编程方法。 包括垂直堆叠并共享位线的至少两个单元串的非易失性存储器件的编程方法包括以下步骤：基于单元串之间的干扰环境设置预充电条件; 响应于所述预充电条件而不从所述单元串中选择的预充电单元串; 以及编程包括在从所述单元串中选择的至少一个单元串中的存储单元。 因此，非易失性存储器件及其编程方法可以自适应地对干扰环境进行非选择位线的预充电操作，从而防止程序干扰并提高编程速度。
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