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公开(公告)号：KR100823172B1
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020070011088
申请日：2007-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14654
Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a process cost by forming a first conductive region and a second conductive region using one photo mask. A substrate(110) has light receiving elements arranged in a first direction and a second direction. A first conductive region(120) is positioned under the light receiving elements, and extends in the first direction. A second conductive region is positioned between the light receiving elements and the first conductive region. A contact(190) is connected to the first conductive region, and a conductive line is connected to the contact. The second conductive region has a first portion positioned on the first conductive region, a second portion positioned at both sides of the first conductive region, and a third portion connected to the first and the second portion.
Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，通过使用一个光掩模形成第一导电区域和第二导电区域来降低处理成本。 基板（110）具有沿第一方向和第二方向布置的光接收元件。 第一导电区域（120）位于光接收元件下方，并沿第一方向延伸。 第二导电区域位于光接收元件和第一导电区域之间。 触点（190）连接到第一导电区域，并且导线与触点连接。 第二导电区域具有位于第一导电区域上的第一部分，位于第一导电区域两侧的第二部分和连接到第一和第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：KR1020080015643A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020060077246
申请日：2006-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박원제
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14609 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: An image sensor having inner lenses and a manufacturing method thereof are provided to improve the photo sensitivity of the sensor employing metal interconnections formed by a damascene process. A photoelectric conversion device is formed in a predetermined region of a semiconductor substrate(1), and then a lower dielectric layer(15) is formed on the substrate having the photoelectric conversion device. A portion of the lower dielectric layer is etched to form a concave surface which is positioned on the photoelectric conversion device. An inner lens(21a) filling a space enclosed by the concave surface and a main etch stop(21b) extending from the inner lens to cover the lower insulation layer are formed.
Abstract translation: 提供具有内透镜及其制造方法的图像传感器，以提高使用通过镶嵌工艺形成的金属互连的传感器的光敏性。 在半导体衬底（1）的预定区域中形成光电转换器件，然后在具有光电转换器件的衬底上形成下电介质层（15）。 蚀刻下部电介质层的一部分以形成位于光电转换器件上的凹面。 填充由凹面包围的空间的内透镜（21a）和从内透镜延伸以覆盖下绝缘层的主蚀刻停止（21b）。
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公开(公告)号：KR100755674B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020060086166
申请日：2006-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to ensure an area of the photoelectric conversion element by overlapping an isolated read gate over the photoelectric conversion element. First and second unit pixel active regions are defined in a substrate(100) by a device isolation region(102), each unit pixel active region having a photoelectric conversion active region(140) and a read active region. A read gate(130) is formed on the read active region of the first unit pixel active region, and is partially overlapped over the photoelectric conversion of the first or the second unit pixel active region. The read gate is electrically isolated from the overlapped photoelectric conversion active region.
Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法，以通过在光电转换元件上重叠隔离的读取栅极来确保光电转换元件的面积。 通过器件隔离区（102）在衬底（100）中限定第一和第二单位像素有源区，每个单位像素有源区具有光电转换有源区（140）和读有效区。 读门（130）形成在第一单位像素有效区的读有效区上，并且部分重叠在第一或第二单位像素有效区的光电转换之上。 读取栅极与重叠的光电转换有源区域电隔离。
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公开(公告)号：KR1020070013612A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068043
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박원제
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and a forming method thereof are provided to remove quickly surplus electric charges from a substrate by using a pickup region. A plurality of isolation layers are formed on a first conductive type substrate in order to define first to second active regions. A second conductive type photodiode region(110) is formed within the first active region. A second conductive type floating diffusion region(114) is formed within the second active region. A source follower gate(108c) crosses over the second active region. The source follower gate is electrically connected with the floating diffusion region. First and second source/drain regions(115,116) are formed at both sides of the source follower gate within the second active region. A first pickup region(122) is formed within the third active region. The third active region is connected to one side of the second active region. The floating diffusion region and the first and second source/drain regions are spaced apart from each other.
Abstract translation: 提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器及其形成方法，以通过使用拾取区域从衬底快速去除剩余电荷。 为了限定第一至第二有源区，在第一导电类型的衬底上形成多个隔离层。 在第一有源区内形成第二导电型光电二极管区（110）。 第二导电型浮动扩散区（114）形成在第二有源区内。 源极跟随器栅极（108c）跨过第二有源区域。 源极跟随器栅极与浮动扩散区域电连接。 第一和第二源极/漏极区域（115,116）形成在第二有源区域内的源极跟随器栅极的两侧。 第一拾取区域（122）形成在第三有源区域内。 第三有源区域连接到第二有源区域的一侧。 浮动扩散区域和第一和第二源极/漏极区域彼此间隔开。
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公开(公告)号：KR100672993B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050005007
申请日：2005-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14656 , H01L27/14687 , H04N5/3597 , H04N5/3745
Abstract: 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 전송 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는 그 게이트 상부에 절연막을 개재하여 도전막 패턴을 구비한다. 따라서, 상기 도전막 패턴에 인가된 전압이 상기 전송 트랜지스터의 전송 게이트 및 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트에 커플링된다. 따라서 상기 전송 게이트에는 상기 전송 게이트에 인가되는 전압 뿐만아니라 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 추가적으로 인가되기 때문에 별도의 고전압 발생회로가 필요 없으며, 또한 상기 구동 게이트에 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 인가되기 때문에 이미지 센서의 동적 범위를 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, CMOS, CCD, 전송 게이트, 플로팅 확산 영역-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101517849B1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020080084618
申请日：2008-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 고농도 소오스 드레인 이온 주입 시 불필요한 금속이온 불순물이 플로팅 확산층(floating diffusion)에 유입되어 발생하는 백점(white spot) 및 암전류 문제점이 개선된 이미지 센서를 제공 한다.
플로팅 확산층 영역에 유입되는 불필요한 금속이온 불순물을 방지하기 위하여, 게이트 전극 및 기판 상에 불순물 거름막으로 사용될 제 1 스페이서 질화막층을 형성하고, 상기 제 1 스페이서 질화막 거름막층을 관통하는 플로팅 확산 영역 고농도 불순물층을 형성하고, 주변 회로 영역 게이트 전극 측벽에 제 2 스페이서를 형성하고, 플로팅 확산 영역은 제 2 스페이서를 형성하지 않고 블로킹 막을 형성하여, 고농도 소오스 드레인 불순물 형성시 유입되는 불필요한 금속이온 불순물이 플로팅 확산층에 유입되지 않아서 백점 현상 및 암전류 또는 노이즈를 감소시키는 이미지 센서 디바이스를 제공한다.Abstract translation: 提供了一种高浓度的源极和漏极的离子注入时不需要的金属离子杂质，以提高白点（白点），并且发生被引入浮置扩散层（浮置扩散）图像传感器中的暗电流的问题。
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公开(公告)号：KR101458052B1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020080055187
申请日：2008-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603
Abstract: 혼색현상 (크로스토크) 및 암전류 특성이 개선된 이미지 센서를 제공 한다. 이미지 센서는 하나의 픽셀을 통해 입사된 빛이 생성 시키는 전자는 그 픽셀의 포토다이오드(photodiode)에 집적될 수 있도록 기판에 형성되는 포토다이오드 형성 영역 소자분리 구조를 일반 주변회로 영역보다 깊게 형성하여, 이웃 포토다이오드에 전자들이 집적되지 않는 구조를 제공하고, 포토다이오드 인접 가드링(guarding) 영역에 깊은 N 웰 정션을 만들어 기판 깊숙한 곳에서 발생된 전자들을 동작전압(Vdd) 단자로 빼내어 혼색현상 및 암전류 또는 노이즈를 감소시키는 이미지 센서 디바이스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101177553B1
公开(公告)日：2012-08-27
申请号：KR1020050068043
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박원제
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 센서는 소스 팔로어 게이트 양측의 제1 또는 제2 소스/드레인 영역 일측에 배치된 픽업 영역을 포함한다. 픽업 영역을 통하여 기판 내 발생될 수 있는 과잉 전하들을 신속하게 배출시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090025944A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070091166
申请日：2007-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14689 , H01L29/6656
Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of the image sensor by preventing the silicidation of the semiconductor substrate. An image sensor comprises a semiconductor substrate(101); a charge transport unit(130) formed on the semiconductor substrate; a photoelectron transform portion(110) which is formed within one semiconductor substrate of the charge transport unit, and accumulates the electric charge; an electric charge detection part(120) converting the electric charge accumulated in the photoelectron transform portion into the electric signal; the first spacer(210) formed on sidewall and photoelectron transform portion of the charge transport unit; a blocking film(220) which is formed on the semiconductor substrate conformably; the second spacer(230) formed in the sidewall of the charge transport unit in which the blocking film is formed.
Abstract translation: 提供了图像传感器及其制造方法，以通过防止半导体衬底的硅化来提高图像传感器的可靠性。 图像传感器包括半导体衬底（101）; 形成在半导体衬底上的电荷传输单元（130） 形成在电荷输送单元的一个半导体基板内的光电子变换部（110），蓄积电荷; 电荷检测部（120），其将在所述光电子变换部中累积的电荷转换为所述电信号; 形成在电荷输送单元的侧壁和光电子变换部分上的第一间隔物（210） 形成在半导体衬底上的阻挡膜（220）; 形成在其中形成有阻挡膜的电荷输送单元的侧壁中的第二间隔物（230）。
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公开(公告)号：KR100746222B1
公开(公告)日：2007-08-03
申请号：KR1020050062436
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 이미지 센서의 제조방법들이 제공된다. 이 방법들은 화소영역 및 씨모스 영역을 갖는 반도체기판을 준비한다. 이때, 상기 씨모스 영역은 NMOS 영역과 PMOS 영역을 포함한다. 상기 반도체기판 내에 활성영역들을 한정하는 소자분리막을 형성한다. 상기 반도체기판 상에 폴리실리콘막을 형성한다. 상기 폴리실리콘막을 갖는 기판 상에 상기 CMOS 영역 중 적어도 상기 PMOS 영역을 덮는 이온주입마스크 패턴을 형성한다. 상기 이온주입마스크 패턴을 이용하여 상기 폴리실리콘막 내에 실질적으로 균일한 n+불순물 도핑을 실시한다. 상기 이온주입마스크 패턴을 제거한 후 상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 상기 화소영역의 상기 반도체기판 상에 전송 게이트 전극, 상기 NMOS 영역의 상기 반도체기판 상에 NMOS 게이트 전극 및 상기 PMOS 영역의 상기 반도체기판 상에 PMOS 게이트 전극을 형성한다.
이미지 센서, 전송 게이트 전극, 저항패턴, 이온주입마스크 패턴, n+불순물 도핑, 포토다이오드, 플로팅확산영역
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