노광장치의 초점 측정방법 및 이에 사용하는 마스크
    21.
    发明授权
    노광장치의 초점 측정방법 및 이에 사용하는 마스크 失效
    用于测量照射装置的焦点的方法和在方法中使用的掩模

    公开(公告)号:KR100219536B1

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:KR1019970003577

    申请日:1997-02-05

    Inventor: 박정철

    CPC classification number: G03F7/70483

    Abstract: 본 발명은 노광장치의 촛점 측정방법 및 이에 사용하는 마스크에 관해 개시한다.
    본 발명에 의한 노광장치의 촛점측정방법에서는 광 투과창이 콘덴서 렌즈의 광축에 대해 비 대칭적으로 형성되어 있는 따라서 비 대칭적으로 광을 입사시키는 어퍼쳐와 상기 어퍼쳐로 부터 입사되는 광을 회절시키는 서로 다른 피치를 갖는 두개의 패턴군을 구비하는 마스크를 사용하여 노광장치의 최적 촛점을 측정한다.
    상기 마스크에 새겨진 두개의 패턴군의 중심이 되는 패턴 상의 상대적인 이동을 측정함으로써 노광장치의 최적 촛점을 측정할 수 있다. 이러한 방법은 별도의 특별한 장비를 요하지 않으며 PSM과 같은 제작공정이 복잡한 별도의 마스크도 필요로 하지 않으므로 비용을 낮추면서 쉬운 측정방법을 제공한다.

    반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
    23.
    发明授权
    반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 失效
    形成防反射膜的方法及其制造半导体器件的应用

    公开(公告)号:KR1019970004447B1

    公开(公告)日:1997-03-27

    申请号:KR1019930018016

    申请日:1993-09-08

    CPC classification number: H01L21/0276 G03F7/091 Y10S438/952

    Abstract: The method of fabricating a semiconductor device comprises the steps of: fabricating an anti-reflective coating; forming a photoresist layer on top of the anti-reflective coating; and exposing and developing the photoresist layer. The method of fabricating the anti-reflective coating comprises the step of depositing a polymer solution, which comprises at least one among the phenol-type resin and the acryl resin and the polyvinyl alcohol, on top of a substrate and the step of baking at the high temperature of 200 - 400 deg.C for 30 seconds or 5 minutes.

    Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括以下步骤:制造抗反射涂层; 在抗反射涂层的顶部上形成光致抗蚀剂层; 以及曝光和显影光致抗蚀剂层。 制造抗反射涂层的方法包括在基材的顶部上沉积包含酚类树脂和丙烯酸树脂和聚乙烯醇中的至少一种的聚合物溶液的步骤,以及在 高温200-400℃30秒或5分钟。

    프로젝션 렌즈 시스템 및 이를 포함한 프로젝션 시스템
    25.
    发明公开
    프로젝션 렌즈 시스템 및 이를 포함한 프로젝션 시스템 审中-实审
    投影镜头系统和投影系统

    公开(公告)号:KR1020170022760A

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:KR1020150118171

    申请日:2015-08-21

    CPC classification number: G02B17/08 G02B13/16 G02B13/18 G02B17/0852

    Abstract: 프로젝션렌즈시스템및 이를포함한프로젝션시스템이개시된다. 개시된프로젝션렌즈시스템은, 마이크로디스플레이패널이있는물체측과스크린이있는상측사이에배열된적어도하나의렌즈를포함하는프로젝션렌즈시스템에있어서, 조리개; 상기조리개의물체측에배치된것으로, 정의굴절력을가지는전군; 상기조리개의상측에배치된것으로, 가장상측에배치된제1비구면렌즈와, 상기제1비구면렌즈의물체측에이웃하여배치된제2비구면렌즈를포함하는후군; 및부의굴절력을가지고, 상기후군으로부터나온광을상측으로반사시키는비구면미러;를포함한다.

    Abstract translation: 布置在微显示面板所在的物体侧和屏幕所在的像侧之间的投影透镜系统,并且包括孔径光阑; 布置在孔径光阑的物体侧并具有正折射光焦度的前透镜组; 布置在所述孔径光阑的图像侧的后透镜组,所述后透镜组包括在最靠近所述像侧的位置处的第一非球面透镜和与所述第一非球面透镜的物体侧表面相邻的第二非球面透镜; 以及具有负屈光力并将来自后透镜组的光朝向像侧反射的非球面镜。

    재생 시작 위치를 선택 가능한 영상 재생장치 및 그제어방법
    26.
    发明公开
    재생 시작 위치를 선택 가능한 영상 재생장치 및 그제어방법 无效
    可选择播放开始位置的程序文件再现装置及其控制方法

    公开(公告)号:KR1020060012746A

    公开(公告)日:2006-02-09

    申请号:KR1020040061377

    申请日:2004-08-04

    Inventor: 박정철

    Abstract: 재생 시작 위치를 선택 가능한 영상 재생장치 및 그 제어방법이 개시된다. 본 발명에 따른 영상 재생장치는, 복수의 프로그램 파일을 저장하는 제1저장장치와, 각 프로그램 파일에 대한 정지이력정보를 저장하는 제2저장장치와, 적어도 하나의 요청신호를 인가하는 입력부와, 프로그램에 대한 리스트 및 리스트에서 선택된 프로그램의 재생 시작 위치에 대한 정보를 표시하는 프로그램 리스트 화면을 생성하는 화면생성부와, 생성된 프로그램 리스트 화면을 표시하는 표시부 및 입력부로부터 프로그램 파일에 대한 리스트 요청신호가 수신되면, 프로그램 리스트 및 정지이력정보를 기초로 생성한 선택된 프로그램의 제1재생시작위치에 대응하는 썸네일 이미지와 선택된 프로그램의 전체 길이 중 썸네일 이미지가 존재하는 제1재생시작위치에 대한 정보를 포함하는 프로그램 리스트 화면을 생성하여 표시부에 표시하도록 처리하 는 제어부를 구비한다. 따라서, 사용자는 썸네일 이미지를 확인하여 재생 시작 위치를 선택할 수 있으므로 과거에 자신이 시청하던 위치를 용이하게 선택할 수 있다.

    반도체 소자의 사진 식각 방법

    公开(公告)号:KR1019980015252A

    公开(公告)日:1998-05-25

    申请号:KR1019960034508

    申请日:1996-08-20

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 사진 식각 방법에 대해 기재되어 있다.
    반도체 기판상에 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층이 형성된 상기 반도체 기판을 고온에서 열처리한 후 쿨링(Cooling)하는 단계; 상기 물질층상에 DUV(Deep Ultra Violet)용 감광막을 형성하는 단계; 상기 DUV용 감광막이 형성된 상기 반도체 기판을 135∼145℃ 온도에서 소프트 베이크(Soft Bake)하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 DUV를 광원으로 하여 노광(Exposure)하는 단계로 이루어진 본 발명에 의한 반도체 소자의 사진 식각 방법은, 물질층과 DUV용 감광막이 형성된 반도체 기판을 소프트 베이크하는 공정시 공정 온도를 최적화함으로써 상기 감광막의 푸팅 현상을 방지할 수 있다.

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