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公开(公告)号：KR1019990065224A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000433
申请日：1998-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종욱
IPC: G11C16/06
Abstract: 본 발명에 따른 불 휘발성 메모리 장치는 각각이 행들과 열들의 매트릭스로 배열된 복수 개의 메모리 셀들을 갖는 적어도 2 개의 매트들과; 상기 매트들 중 하나의 매트에 대한 프로그램/독출 동작이 수행될 때 다른 하나의 매트에 대한 프로그램/독출 동작은 수행되지 않으며; 상기 매트들에 대응하는 열들에 각각 연결되며, 독출 동작 동안에 어드레싱되는 메모리 셀들의 데이터를 감지하고 그리고 프로그램 동작 동안에 기입하고자 하는 데이터를 래치하는 복수 개의 페이지 버퍼들과; 상기 매트들에 각각 대응하는 복수 개의 데이터 라인들과; 프로그램/독출 동작 동안에 상기 매트들의 열들 중 상기 데이터 라인들에 대응하는 복수 개의 열들을 선택하기 위한 어드레스에 따라 상기 어드레싱된 열들과 각 매트의 대응하는 상기 데이터 라인들을 전기적으로 연결하는 열 디코더들 및; 상기 매트들 중 선택되는 매트에 대한 프로그램 동작이 수행된 후 프로그램 검증 동작을 위한 독출 동작이 수행됨에 따라 상기 선택된 매트에 대응하는 열 디코더를 통해서 데이터 라인들 상에 전달된 감지 데이터 및, 상기 비선택된 매트에 대응하는 열 디코더를 통해서 페이지 버퍼들로부터 대응하는 데이터 라인들 상에 전달된 기입 데이터를 받아들여서 프로그램 패스/페일 플래그 신호를 발생하는 패스/페일 플래그 발생 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100205240B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960039904
申请日：1996-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/32 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 이 불휘발성 반도체 메모리 장치는 하나의 기판 상의 한 영역에 형성된 단일 비트 메모리 셀 어레이와, 다른 영역에 형성된 다중 비트 메모리 셀 어레이와, 셀 어레이들의 경계에서 전기적으로 단선된 복수 개의 비트 라인들과, 단일 비트 기입 및 독출 동작들을 위한 복수 개의 단일 비트 감지 증폭기들과, 다중 비트 기입 및 독출 동작들을 위한 복수 개의 다중 비트 감지 증폭기들을 구비한다. 이로써, 하나의 칩에서 다중 비트 동작과 단일 비트 동작이 메모리 셀 어레이의 국부적인 영역에서 동시에 수행될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990024674A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970045947
申请日：1997-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N19/895
Abstract: 본 발명은 손상 구획을 제외한 주변 구획에 대한 움직임 벡터를 추정하고 이 벡터에 의해 복구된 손상 구획과 주변 구획간의 불연속을 줄이도록 한 움직임 추정에 기초한 시간예측 오류 은폐방법 및 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 손상된 구획과 그에 인접한 주변 구획들로 이루어진 하나의 영역을 설정하고 기준프레임내 탐색영역에 있는 대상부분과 상기 설정된 영역에서 손상 구획을 제외한 나머지 영역간의 차이를 산출하는 움직임 추정부를 구비한다. 오류 은폐부는 기준프레임내 영상중에서 움직임 벡터가 지정하는 손상된 구획위치에 해당하는 영상을 읽어와 손상된 구획의 영상값으로 대체하고 복구된 손상 구획과 주변 구획들간의 불연속을 줄여 오류를 은폐한다. 따라서, 전송된 영상의 주관적/객관적 화질을 개선할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100142367B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019950002007
申请日：1995-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C29/82
Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
열리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거검증회로
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
오픈된 노말 비트라인의 발생에 관계없이 신뢰성있게 동작할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 제공
[발명의 해결방법의 요지]
소거검증동작중 오픈된 노말 비트라인과 접속된 데이터래치에 저장된 페일 데이터를 패스 데이터로 변경시키는 수단을 제공함.
[발명의 중요한 용도]
개인용 컴퓨터등의 영구메모리-
公开(公告)号：KR1019970051387A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950054693
申请日：1995-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종욱
IPC: G11C17/18
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 워드라인 전압인가 장치에 관한 것으로서, 특히 외부에서 인가된 전압을 선택 워드라인에 공급하기 위한 워드라인 전압인가 장치에 관한 것이다.
불 휘발성 반도체 메모리 장치의 워드라인 전압인가 장치는, 외부의 명령을 유입하여 저장하는 명령버퍼부; 상기 명령버퍼부에서 저장된 명령을 해독하여 제어신호를 생성하는 명령레지스터부; 상기 명령레지스터부에서 출력된 제어신호에 의해 리드신호를 출력하는 리드타이밍 제어부; 외부 바이어스 전압을 유입하는 패드부; 상기 패드부에서 유입된 외부 바이어스전압을 선택적으로 상기 리드신호의 제어신호에 의하여 출력시키는 전송게이트부를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 장치는 워드라인 레벨 생성부에서 생성하는 워드라인 전압레벨이 불안정할 때, 외부 바이어스전압으로 대체하여 워드라인에 인가함으로써, 메모리에 저장된 데이터를 정확히 리드하는 기능을 제공한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950020719A
公开(公告)日：1995-07-24
申请号：KR1019930028379
申请日：1993-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종욱
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리장치, 특히 내부전압 발생방법 및 그 회로에 관한 것으로, 메모리장치의 동작개시를 알리는 제어신호에 인에이블되어 제1 및 제2입력노드에 입력되는 기준전압 및 내부전압을 차동증폭하는 과정과, 상기 기준전압을 입력하는 노드의 전류량에 비례하여 상기 내부전압입력노드에 전류를 공급하여 내부전압을 일정 크기로 유지시키는 과정을 구비하는 반도체 메모리장치의 내부전압 발생방법에 있어서, 미리설정된 조건에서 상기 차동증폭기의 구동능력을 확장시켜 차동증폭기의 동작을 촉진하여 내부전원을 회복시키는 확장과정을 더 구비함으로써, 어드레스신호의 천이 또는 데이타 입출력선 프리차아지등에 따라 일시적으로 내부전압의 강하가 발생하더라도, 이에 적응적으로 대처하여 내부전압의 회복시간이 빠르고 그에 라 안정적인 내부전압을 공급할 수 있는 내부전압 발생방법 및 그 회로를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101809544B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020150148832
申请日：2015-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L12/2818
Abstract: 범용웹 애플리케이션에서홈 네트워크장치를제어하기위한제어정보를서버로부터수신하는단계와수신된제어정보에포함된스크립트형태의 API(application program interface)를통하여홈 네트워크장치를제어하는제어명령을제어모듈(control point module)로전달하는단계와홈 네트워크장치의제어명령이수행된처리결과데이터를제어모듈로부터수신하는단계를포함하는범용웹 애플리케이션을이용한홈 네트워크장치의제어방법이개시되어있다.
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公开(公告)号：KR1020100075257A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133900
申请日：2008-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G08C17/02 , G08C23/04 , G08C2201/92
Abstract: PURPOSE: An integrated remote control apparatus for controlling multiple electronic devices, an integrated remote control system, and a control method thereof are provided to facilitate a set up process on multiple electronic devices. CONSTITUTION: A signal transmitting unit(12) transmits control signals of multiple electronic devices. A remote controller signal receiving unit(13) receives remote control signals from a dedicated remote controller of multiple electronic devices. The code information of the dedicated remote controller of one electronic device is received from an information providing device. A controller(15) controls the signal transmitting unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制多个电子设备的集成远程控制装置，集成遥控系统及其控制方法，以便于在多个电子设备上建立过程。 构成：信号发送单元（12）发送多个电子设备的控制信号。 遥控器信号接收单元（13）从多个电子设备的专用遥控器接收遥控信号。 从信息提供装置接收一个电子设备的专用遥控器的代码信息。 控制器（15）控制信号发送单元。
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公开(公告)号：KR1020100055237A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020080114214
申请日：2008-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/406 , G11C11/4076
CPC classification number: G11C11/40626 , G11C7/04 , G11C7/1063 , G11C7/109 , G11C11/4096
Abstract: PURPOSE: A temperature sensing circuit of a semiconductor memory device is provided to reduce current consumption by preventing the change of a refresh cycle due to the repetitive renewal of temperature information. CONSTITUTION: A first input signal generator(500) outputs a first input signal which has high level during a uniform temperature period by decoding a thermometer code. A second input signal generator(600) outputs a second input signal which has high level during a temperature period which is greater than the first input signal by decoding the thermometer code. An exclusive OR gate outputs a result value of the exclusive OR operation about the first and the second input signal. A first latch(700) stores the first input signal for a constant time. A transmission gate(800) outputs the first input signal of the first latch in response to the result value of the exclusive OR gate. A second latch(900) stores the first input signal of the transmission gate. The second latch outputs the temperature information of the semiconductor memory device to an external memory controller and CPU.
Abstract translation: 目的：提供半导体存储器件的温度检测电路，以通过防止由于温度信息的重复更新引起的刷新周期的改变来减少电流消耗。 构成：第一输入信号发生器（500）通过解码温度计代码输出在均匀温度周期期间具有高电平的第一输入信号。 第二输入信号发生器（600）通过对温度计代码进行解码，在大于第一输入信号的温度周期期间输出具有高电平的第二输入信号。 异或门输出关于第一和第二输入信号的异或运算的结果值。 第一锁存器（700）将第一输入信号存储恒定时间。 传输门（800）响应异或门的结果值输出第一锁存器的第一输入信号。 第二锁存器（900）存储传输门的第一输入信号。 第二锁存器将半导体存储器件的温度信息输出到外部存储器控制器和CPU。
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公开(公告)号：KR1020100010839A
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：KR1020080071899
申请日：2008-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A method for registering a device in an access point and a device therefor are provided to register a non registration device in an access point using a registration device in which a register is not mounted. CONSTITUTION: In authentication allowing mode, a non registration device is allowed to be authenticated. A control signal for controlling a registration device is transmitted to the registration device to enable an access point to transmit a mode change request(210). A mode check request for checking whether operating mode of the access point is the authentication allowing mode is transmitted to the access point(220). A mode check response is received from the access point(230). An authentication operation with the access point is selectively performed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在接入点中注册设备的方法及其设备，用于使用其中未安装寄存器的注册设备在接入点中注册非注册设备。 规定：在认证允许模式下，允许非注册设备进行认证。 用于控制注册装置的控制信号被发送到注册装置，以使接入点能够发送模式改变请求（210）。 用于检查接入点的操作模式是否是认证允许模式的模式检查请求被发送到接入点（220）。 从接入点（230）接收模式检查响应。 选择性地执行与接入点的认证操作。
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