公开(公告)号：KR1019980068055A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970004487

申请日：1997-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손정훈 ,  이응준 ,  최길현 ,  김병준

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체소자 제조장치를 개시하고 있다. 이는, 단차도포성 향상을 위해 스퍼터 설비에 채용하는 리플로우 모듈로서 수십 내지 수백개의 램프로 구성된 램프 하우징을 구비한 RTP(Rapid Thermal Processing) 챔버를 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래의 리플로우 모듈을 단 시간에 온도를 제어할 수 있는 RTP 챔버로 대체함으로써 리플로우 시간을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980011811A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960031101

申请日：1996-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이원창 ,  손정훈 ,  윤여철

IPC: H01L21/203

公开(公告)号：KR1019980005861A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023953

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용준 ,  최길현 ,  손정훈 ,  김병준

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR1020180000711A

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：KR1020170176348

申请日：2017-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황성재 ,  김강학 ,  손정훈 ,  손서영 ,  이주완

IPC: G06Q50/10 ,  G06Q30/02 ,  H04L12/58 ,  G06Q30/06 ,  G06F9/44 ,  G06Q50/00

CPC classification number: G06Q50/10 ,  G06F9/44 ,  G06Q30/0224 ,  G06Q30/0601 ,  G06Q50/01 ,  H04L51/04

Abstract: 본발명에의하면, 사용자장치에제공되는메시지에서하나이상의키워드가결정되는단계및 결정된키워드에기초하여하나이상의앱(application)을포함하는앱 리스트를표시하는단계를포함하는앱 리스트제공방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，可以提供一种应用列表提供方法，包括：确定提供给用户设备的消息中的一个或多个关键字;以及基于所确定的关键字来显示包括一个或多个应用的​​应用列表 有。

公开(公告)号：KR100705400B1

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020010050718

申请日：2001-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손정훈 ,  홍진기 ,  김민

IPC: H01L21/28

Abstract: 도전 물질이 확산되어 저지막과 반응함으로서 발생되는 공정 불량을 방지하는 반도체 장치의 배선 형성 방법이 개시되어 있다. 도전성 물질이 매립되어 있는 홀 또는 트랜치로 이루어지는 제1 도전체 패턴을 구비하는 제1 절연막을 형성한다. 상기 제1 절연막의 상부에 산소와 실리콘이 1: 1.7 이하로 조성되는 실리콘 산 질화막으로 이루어지는 저지막을 형성한다. 상기 저지막 상에 제2 절연막을 형성한다. 상기 제1 절연막 및 저지막의 소정 부위를 연속적으로 식각하여 상기 제1 도전체 패턴의 상부면의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀의 내부 및 상기 제2 절연막의 상부면에 연속적으로 금속 베리어막을 형성한다. 그리고 상기 금속 베리어 막이 형성된 콘택홀을 매몰하면서 도전성 물질을 증착시킨다. 이 때 상기 조성을 갖는 저지막은 도전성 물질과의 반응이 억제되기 때문에 상기 저지막이 도전체로 변성하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 배선 형성 시의 공정 불량을 최소화 할 수 있다.

公开(公告)号：KR100621548B1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020040060277

申请日：2004-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손정훈 ,  오혁상 ,  김성일 ,  정주혁

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862

Abstract: 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법이 제공된다. 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법은, 먼저, 도전성 패턴이 매립되어 있는 기판상에 식각 저지막 및 절연막을 순차적으로 형성한다. 다음, 앞서의 결과물을 패터닝하여 식각 저지막이 노출되도록 개구부를 형성한다. 이어, 기판상에 단차를 따라 제1 확산 방지막을 형성한다. 다음, 스퍼터링 방식의 식각을 통하여 개구부 하부의 제1 확산 방지막과 식각 저지막을 제거한다. 이어, 도전성 패턴과 전기적으로 연결되는 도전 물질을 개구부에 매몰시킨다.
스퍼터링, 아르곤 입자, 다마신, 비아홀

公开(公告)号：KR1020040077307A

公开(公告)日：2004-09-04

申请号：KR1020030012817

申请日：2003-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손정훈

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a damascene metal line is provided to improve step coverage of an inner wall of an aperture by forming a sidewall spacer on an undercut of an inner wall of an aperture. CONSTITUTION: The first diffusion barrier(14) is formed on a lower metal line(12). An interlayer dielectric(16) is formed on the first diffusion barrier. An aperture is formed on the interlayer dielectric. The residual buffer layer is removed from the aperture by performing a wet-etch process. A sidewall spacer is formed on an undercut of an inner wall of the aperture. A barrier layer liner is coated on the lower metal line of the bottom of the aperture and the sidewall spacer of the inner wall of the aperture. A copper seed liner(40) is coated on the barrier layer liner.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成镶嵌金属线的方法，以通过在孔的内壁的底切上形成侧壁间隔来改善孔的内壁的台阶覆盖。 构成：第一扩散阻挡层（14）形成在下金属线（12）上。 在第一扩散阻挡层上形成层间电介质（16）。 在层间电介质上形成孔。 通过进行湿蚀刻工艺从孔中去除残留缓冲层。 侧壁间隔件形成在孔的内壁的底切上。 阻挡层衬垫涂覆在孔的底部的下金属线和孔的内壁的侧壁间隔物上。 铜衬垫（40）涂覆在阻挡层衬垫上。

公开(公告)号：KR1019990034759A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056455

申请日：1997-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최길현 ,  손정훈 ,  김병준

IPC: H01L21/20

Abstract: 세정(cleaning)을 목적으로 하는 식각 공정에 이용되는 스퍼터(sputter)를 개시한다. 본 발명은, 챔버(chamber) 및 챔버내의 상단부에 장착되어 챔버내에 자기장(magnetic filed)을 인가하는 회전하는 자석 구조를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990027882A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050412

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손정훈 ,  김병준 ,  이삼해 ,  최길현

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 스퍼터링 장비의 핸드 오프 테이블에 관한 것으로, 웨이퍼를 담는 카세트가 로딩되는 카세트부, 카세트부 내에 로딩된 웨이퍼를 핸드 오프 테이블에 전송시키는 로드 암, 핸드 오프 테이블에 놓여진 웨이퍼가 이동되어 소정의 공정이 실시되기 전에 웨이퍼를 대기시키는 전송 챔버, 및 전송 챔버와 연결되고 전송 챔버 내에 대기중인 웨이퍼가 로딩되어 소정의 공정이 실시되는 적어도 하나 이상의 공정 챔버를 구비하는 스퍼터링 장비에 있어서, 핸드 오프 테이블은 웨이퍼가 놓이는 척과, 척의 가장자리에 설치된 발광부, 반사부 및 수광부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980026097A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960044422

申请日：1996-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최길현 ,  손정훈 ,  이응준 ,  김병준

IPC: H01L21/285

Abstract: 저압 조건하에서 플라즈마를 형성하여 반도체 기판 상에 물질을 증착하는 스퍼터링 장치에 관하여 개시한다. 이는 반도체 기판 상에 증착되는 물질의 스텝 커버리지를 개선하기 위하여 롱 스로우 스퍼터링 기법을 채택할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 제공한다. 이때, 롱 스로우 스퍼터링 기법은 스퍼터링 장치의 동일한 쳄버에서 소오스부와 장착 웨이퍼 사이의 유효 볼륨을 증가시키는 것이 바람직하며, 유효 볼륨의 증가는 스퍼터링 장치 내의 소오스부와 장착 웨이퍼 간의 거리를 확장시켜 이룩할 수 있다. 한편, 증가된 소오스부와 장착 웨이퍼 간의 거리 증가에 따라, 다아크 스페이스 실드를 지지하기 위한 어댑터로 그 길이가 확장된 다아크 스페이스 링을 구비하는 것이 바람직하며, 스퍼터링 장치 내의 다크 스페이스 실드는 영구 자석의 일종인 버킹 마그네트를 이용하여 구비할 수 있다. 이로써, 반도체 기판 상의 증착 물질의 스텝 커버리지가 개선되어, 고단차 콘택을 양호하게 매몰할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.