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公开(公告)号：KR100750144B1
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：KR1020050121894
申请日：2005-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/50 , H04N21/431
CPC classification number: H04N21/482 , H04H60/43 , H04H60/50 , H04H60/73 , H04N21/4332 , H04N21/4345 , H04N21/4383 , H04N21/4524
Abstract: 본 발명은 방송 채널에 대한 검색 정보를 제공하기 위한 방송 검색 리스트를 동적으로 구성하여 제공하는 방송 수신 장치 및 방송 채널 정보 제공 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방송 수신 장치는 복수의 채널들 중 하나의 채널을 튜닝하여 수신되는 다수의 디지털 방송 신호 중 하나의 방송 신호를 출력하는 튜너부; 출력된 방송 신호에 포함된 서비스 정보를 해석하는 방송 신호 처리부; 방송 신호 처리부로부터 해석된 서비스 정보를 저장하는 저장부; 서비스 정보를 이용하여 방송 검색 리스트를 동적으로 생성하고, 방송 검색 리스트를 제공하기 위한 화면을 생성하는 제어부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 방송 채널에 대한 검색 정보를 제공하기 위한 방송 검색 리스트를 동적으로 변경하여 제공할 수 있다.
디지털 멀티미디어 방송, 앙상블, 서비스, 채널 정보, 사용자 인터페이스-
公开(公告)号：KR100746010B1
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020050110307
申请日：2005-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G10L21/02
Abstract: An apparatus and a method for controlling the amplitude of a received voice signal are provided to generate data having uniform volume irrespective of the amplitude of a voice signal inputted through a microphone by controlling the volume of digitally converted voice data at predetermined amplitude by using a software application program. A voice signal receiving unit(110) receives an analog voice signal. An A/D converting unit(140) converts the analog voice signal into digital voice data. A volume converting unit(160) includes a volume analyzing unit and a standardization unit. The volume analyzing unit analyzes whether the volume of the digital volume data is included in a predetermined range. The standardization unit standardizes the volume of the digital voice data to be included in the predetermined range according to the analyzed result.
Abstract translation: 提供一种用于控制所接收的语音信号的幅度的装置和方法，用于通过使用软件以预定幅度控制数字转换的语音数据的音量来生成具有均匀音量的数据，而与通过麦克风输入的语音信号的幅度无关 应用程序。 语音信号接收单元（110）接收模拟语音信号。 A / D转换单元（140）将模拟语音信号转换为数字语音数据。 音量转换单元（160）包括音量分析单元和标准化单元。 音量分析单元分析数字音量数据的音量是否被包括在预定范围内。 标准化单元根据分析结果来标准化包括在预定范围内的数字语音数据的音量。
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公开(公告)号：KR100663569B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050009548
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안영준
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 이동 통신 단말기의 육아일기 기능 제공 방법에 있어서, 사용자 입력정보에 의거하여 적어도 하나의 육아 대상 및 그 육아대상에 대한 고유정보를 등록하는 과정과. 상기 등록된 육아대상에 대한 육아정보를 입력받는 과정과, 상기 육아정보가 입력되면 이를 날짜별로 저장하는 과정과, 사용자 요청이 있으면 상기 저장된 육아정보를 사용자가 원하는 기간별로 디스플레이 하는 과정을 포함함을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 이동 통신 단말기를 통해 육아대상의 정보를 용이하게 관리할 수 있도록 함으로써 사용자가 언제 어디서나 이동 통신 단말기를 이용하여 육아대상의 정보 즉, 육아일기를 편리하게 기록할 수 있다.
이동 통신 단말기, 육아일기-
公开(公告)号：KR100642632B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040029118
申请日：2004-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823412 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/1052 , H01L29/66621 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: A method of forming an integrated circuit device includes forming a non-planar field-effect transistor in a cell array portion of a semiconductor substrate and forming a planar field-effect transistor in a peripheral circuit portion of the semiconductor substrate. The non-planar field-effect transistor may be selected from the group of a FinFET and a recessed gate FET. Dopants may be implanted into a channel region of the non-planar field-effect transistor, and a cell protection layer may be formed on the non-planar field-effect transistor. Then, dopants may be selectively implanted into a channel region of the planar field-effect transistor using the cell protection layer as a mask to block implanting of the dopants into the channel region of the non-planar field-effect transistor.
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公开(公告)号：KR100618827B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040034903
申请日：2004-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/11 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1104 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 본 발명에서는 n형 FinFET과 p형 FinFET을 복층 구조로 만들어 셀의 면적을 줄인 반도체 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 그리고, 셀 영역에는 FinFET을, 주변회로 영역에는 MOSFET을 포함하는 반도체 소자의 제조방법도 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, 반도체 기판의 셀 영역의 제1 활성영역에 형성되고 제1 도전형 FinFET 게이트 산화막, 제1 도전형 FinFET 게이트 전극 및 제1 도전형 FinFET 소스/드레인 영역으로 이루어진 제1 도전형 FinFET을 포함한다. 제1 도전형 FinFET 상에는 층간절연막이 형성되어 있다. 그리고, 층간절연막을 관통하여 제1 도전형 FinFET 소스/드레인 영역과 연결되며 층간절연막 상에 형성된 셀 영역의 제2 활성영역에는 제2 도전형 FinFET 게이트 산화막, 제2 도전형 FinFET 게이트 전극 및 제2 도전형 FinFET 소스/드레인 영역으로 이루어진 제2 도전형 FinFET이 형성되어 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060088638A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009548
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안영준
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 이동 통신 단말기의 육아일기 기능 제공 방법에 있어서, 사용자 입력정보에 의거하여 적어도 하나의 육아 대상에 대한 고유정보를 등록하는 과정과. 상기 등록된 육아대상에 대한 육아정보를 입력받는 과정과, 상기 육아정보가 입력되면 이를 날짜별로 저장하는 과정을 포함함을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 이동 통신 단말기를 통해 육아대상의 정보를 용이하게 관리할 수 있도록 함으로써 사용자가 언제 어디서나 이동 통신 단말기를 이용하여 육아대상의 정보 즉, 육아일기를 편리하게 기록할 수 있다.
이동 통신 단말기, 육아일기-
公开(公告)号：KR100587672B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040006557
申请日：2004-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/092 , H01L21/8228
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/66795
Abstract: 본 발명은 다마신 공법을 이용한 핀 트랜지스터 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 핀 트랜지스터 형성방법은, 반도체 기판에 소자분리막이 형성될 영역만을 노출시키는 제1마스크 패턴을 이용하여 소자분리막 및 활성영역을 형성하는 단계와; 게이트 전극이 형성될 영역만을 노출시키는 제2마스크 패턴을 형성하고, 상기 제2마스크 패턴 및 상기 제1마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 소자 분리막 만을 선택적으로 식각함에 의하여, 게이트 형성영역에만 상기 활성영역의 양 측벽의 일부를 노출시켜 핀을 형성하는 단계와; 상기 핀의 양 측벽에 게이트 절연막을 형성하고 상기 제1마스크 패턴 및 상기 게이트 절연막을 덮는 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 사이에 두고 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 상기 활성영역의 나머지 부위에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 게이트 전극의 분리를 용이하게 할 수 있으며, 기존 공정을 이용함에 의해 원가를 절감할 수 있으며, 소오스 및 드레인 영역의 콘택이나 실리사이드 형성이 유리한 장점을 가진다.
다마신, 핀, 트리밍, 숏채널 효과, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020050094576A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020040019754
申请日：2004-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66787 , H01L29/78645
Abstract: 3차원 시모스(CMOS) 전계효과 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 상기 3차원 시모스 전계효과 트랜지스터는 반도체기판을 구비한다. 상기 반도체기판은 엔모오스(NMOS) 활성영역 및 피모오스(PMOS) 활성영역을 갖는다. 한편, 상기 활성영역들 각각은 채널영역 및 상기 채널영역에 의해 이격된 소오스/드레인 영역들을 갖다. 이에 더하여, NMOS 게이트전극이 상기 NMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을, PMOS 게이트전극이 상기 PMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을 덮는다. 또한, 상기 게이트 전극들과 상기 채널영역들 사이에 각각 게이트 절연막들이 개재된다. 이때, 상기 PMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이가 상기 NMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이와 다르다. 이에 따라, NMOS 전계효과 트랜지스터와 PMOS 전계효과 트랜지스터의 전류구동능력을 상호 독립적으로 최적화할 수 있는 3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터를 제공한다..
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公开(公告)号：KR1020040048250A
公开(公告)日：2004-06-07
申请号：KR1020020076046
申请日：2002-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/09
Abstract: PURPOSE: A servo control system by using a hardwired filter on an ODD(Optical Disc Drive) is provided to offer the optimized servo control system by making a control filter of relatively lower needs for flexibility while using many parts of an operation volume of a DSP(Digital Signal Processor). CONSTITUTION: A DSP processes a signal by receiving an electric signal matched with the light reflected from an optical disc. A memory stores data and filter coefficients. The hardwired filter performs a periodic calculation and outputs a result by receiving the electric signal matched with the light reflected from the optical disc, and referring to the data and the filter coefficients stored in the memory.
Abstract translation: 目的：通过在ODD（光盘驱动器）上使用硬连线滤波器的伺服控制系统提供优化的伺服控制系统，通过使用相对较低灵活性的控制滤波器，同时使用DSP的多个部分 （数字信号处理器）。 构成：DSP通过接收与从光盘反射的光匹配的电信号来处理信号。 存储器存储数据和滤波器系数。 硬连线滤波器进行周期性计算，并通过接收与从光盘反射的光匹配的电信号并参考存储在存储器中的数据和滤波器系数来输出结果。
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公开(公告)号：KR1020170010574A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150102365
申请日：2015-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안영준
CPC classification number: H04L67/34 , H04L67/02 , H04L67/2804
Abstract: 본발명의실시예에따른정보처리장치는, 어플리케이션실행장치에서설치될어플리케이션의주 프로그램과, 주프로그램의실행에관한복수의속성의데이터를포함하는제1리소스데이터가저장되는저장부와; 제1리소스데이터의복수의속성중에서주 프로그램의실행시 이용정도가상대적으로낮은적어도하나의속성의데이터를배제하여제1리소스데이터보다작은데이터크기를가지는제2리소스데이터를생성하고, 주프로그램및 생성된제2리소스데이터를포함하는어플리케이션의설치용팩키지프로그램을생성하는적어도하나의프로세서를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 一种信息处理装置，包括：存储器，被配置为存储要安装在应用执行装置中的应用程序的主程序和包括与关于所述主程序的执行的多个属性对应的数据的第一资源数据; 以及至少一个处理器，被配置为创建除了与所述第一资源数据的所述多个属性中的至少一个属性对应的数据的第二资源数据，当所述主程序被执行时，所述至少一个属性被使用小于另一个属性，所述第二资源数据 资源数据具有比第一资源数据更小的数据大小，并且产生包括主程序和所创建的用于安装应用程序的第二资源数据的程序包程序。
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